【技术实现步骤摘要】
刷新次数确定方法及设备
[0001]本公开实施例涉及半导体制造
,尤其涉及一种刷新次数确定方法及设备。
技术介绍
[0002]存储器是一种可提供数据访问功能的数据存储设备,存储器通常以二进制形式存储数据。存储器中可以包括大量的存储单元,每个存储单元可以存储一位二进制数据0或1。例如,DRAM(dynamic random access memory,动态随机存储器)是一种常用的存储器,DRAM的存储单元包括存储电容和晶体管,晶体管用于控制向存储电容中写入数据,或控制从存储电容中读取数据。
[0003]现有技术中,存储电容通过电荷量来表示存储的数据,但是存储电容存在漏电的物理特性,在漏电量达到一定量时,会导致存储的数据丢失。为了避免数据丢失,需要对存储器确定预设刷新周期和目标刷新次数,以根据目标刷新次数在预设刷新周期内对存储器进行不断的刷新。每次刷新对应多个存储单元,以充电的方式将存储单元中原本存储的数据再次写入。这样,存储器中的各个存储单元在一个预设刷新周期内均得到至少一次刷新。
[0004]然而,上述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种刷新次数确定方法,其特征在于,应用于存储器,所述方法包括:对所述存储器中目标字线对应的存储单元写入第一数据;根据当前刷新次数对所述存储器进行刷新;从所述目标字线对应的存储单元中读取第二数据,所述第一数据的写入结束时间和所述第二数据的读取开始时间之间的时间差大于所述存储器的数据保留时长;若所述第二数据和所述第一数据不满足预设条件,则更新所述当前刷新次数,并返回所述对所述存储器中目标字线对应的存储单元写入第一数据的步骤,直至所述第二数据和所述第一数据满足所述预设条件时,根据所述当前刷新次数确定预设刷新周期内的目标刷新次数。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述对所述存储器中目标字线对应的存储单元写入第一数据之后,还包括:等待第一时长,所述第一时长小于所述存储器的数据保留时长。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述根据当前刷新次数对所述存储器进行刷新之后,还包括:等待第二时长,所述第二时长小于所述存储器的数据保留时长,所述第一时长和所述第二时长之和大于所述存储器的数据保留时长。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:根据环境温度确定所述第一时长和所述第二时长,所述第一时长和所述第二时长均与所述环境温度负相关。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述等待第一时长之前,还包括:对所述存储器的所有存储单元进行刷新。6.根据权利要求3至5任一项所述的方法,其特征在于,所述预设条件包括以下一种:所述第一数据和所述第二数据一致、所述第一数据和所述第二数据不一致。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,当所述预设条件为所述第一数据和所述第二数据不一致时,所述更新所述当前刷新次数,包括:减小所述当前刷新次数,所述当前刷新次数在初始时取最大值。8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,当所述预设条件为所述第一数据和所述第二数据一致时,所述更新所述当前刷新次数,包括:增大所述当前刷新次数,所述当前刷新次数在初始时取最小值。9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈静,刘欢欢,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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