【技术实现步骤摘要】
一种用于生产PD
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1抗体的CHO细胞高效灌流补料培养方法
[0001]本专利技术涉及生物制药及生物工程领域，具体涉及抗体药生产的细胞培养
，尤其是涉及一种用于生产PD
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1抗体的CHO细胞灌流补料培养方法。
技术介绍
[0002]自上世纪70年代，随着DNA重组技术和单克隆抗体技术的出现，推动着生物制药领域的迅速发展。从1986年第一个治疗性抗体——抗CD3单抗OKT3进入市场以来，已有百余种治疗性抗体药获得FDA批准，成为现代生物医药的重要组成部分，广泛用于恶性肿瘤、免疫性疾病、遗传缺陷疾病、病毒性疾病等方面的治疗。
[0003]程序死亡受体1(Programmed Death
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1)是免疫检查点蛋白之一，属于免疫球蛋白超家族CD28家族成员。其在限制T细胞活性中发挥着重要作用，活化的T细胞表面的PD
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1与在肿瘤细胞表面的PD
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L1相互作用，对免疫应答起负调节并减弱抗肿瘤免疫力。目前，已有针对PD
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于生产PD
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1抗体的CHO细胞高效灌流补料培养方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在细胞培养容器中加入基础培养基，接种表达PD
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1单克隆抗体的CHO细胞后进行培养；（2）当细胞培养至活细胞密度为50
×
106cells/mL~75
×
106cells/mL、离线pH值≤6.95时，降低培养温度和溶氧值；同时在第2天至第6天采用细胞截留装置利用灌流培养基进行灌流补料培养，所述灌流培养基包括基础培养基、第一补料培养基和第二补料培养基；在第7天、第9天、第11天和第13天分别同时流加第一补料培养基和第二补料培养基进行流加培养；所述基础培养基、第一补料培养基和第二补料培养基以不同的速率补充到细胞培养容器中，通过细胞截留装置排出废弃培养基，将细胞和蛋白产物保留在生物反应器内，培养过程中维持葡萄糖浓度在3g/L~6g/L；其中，所述基础培养基为Hycell CHO培养基，所述Hycell CHO培养基中添加如下组分：4 mM 谷氨酰胺、1%v/v HT添加剂、0.7g/L CB5、1g/L 泊洛沙姆188和0.1 mg/L CuSO4•
5H2O；所述第一补料培养基为CB7a；所述第二补料培养基为CB7b。2.根据权利要求1所述的CHO细胞高效灌流补料培养方法，其特征在于，灌流补料培养中，在第2天至第6天，基础培养基按照 0.2～1.0VVD阶梯递增的速率进行灌流；第一补料培养基按照0.02～0.10VVD速率进行灌流；第二补料培养基按照0.002～0.01VVD速率进行灌流；优选的，灌流补料培养中，在第2天至第6天，基础培养基按照 0.2～0.8VVD阶梯递增的速率进行灌流；第一补料培养基按照0.02～0.08VVD速率进行灌流；第二补料培养基按照0.002～0.008VVD速率进行灌流。3.根据权利要求2所述的CHO细胞高效灌流补料培养方法，其特征在于，灌流补料培养中，第2天和第3天，基础培养基按照0.4VVD速率进行灌流，第一补料培养基按照0.04VVD速率进行灌流，第二补料培养基按照0.004VVD速率进行灌...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵如奎，周荣云，徐传学，公杰，李锦茂，白莉惠，朱吉满，
申请(专利权)人：广州誉衡生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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