进气管支架制造技术

本申请提供一种进气管支架，包括进气管主体件及进气管固定脚，进气管主体件包括自上而下贯穿进气管主体件的第一贯通孔，进气管固定脚包括2个以上，且至少1个进气管固定脚与进气管主体件活动连接，进气管固定脚远离进气管主体件的一端具有凸出部，通过凸出部将进气管主体件与半导体刻蚀机台中的石英部件的内嵌槽进行固定，且进气管固定脚的内壁所围成的图形与第一贯通孔及石英部件的通孔相连通。本申请通过设置与进气管主体件活动连接的进气管固定脚，可在拆卸时，避免进气管固定脚对石英部件造成的损伤，以及可避免多次拆卸对进气管支架造成的形变，从而可降低对物资的浪费。从而可降低对物资的浪费。从而可降低对物资的浪费。

【技术实现步骤摘要】
进气管支架


[0001]本申请属于半导体设备领域，涉及一种进气管支架。

技术介绍

[0002]刻蚀，是半导体制造工艺中的一种相当重要的步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过腐蚀处理掉所需除去的部分。
[0003]刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀，其中，湿法刻蚀的优点是：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低，缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差、不能用于小的特征尺寸、会产生大量的化学废液；干法刻蚀的优点是：各向异性好、选择比高、可控性灵活性及重复性好、适用于较小的特征尺寸，缺点是：成本高、设备复杂。
[0004]干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种进气管支架(100)，其特征在于，所述进气管支架(100)包括：进气管主体件(110)，所述进气管主体件(110)包括自上而下贯穿所述进气管主体件(110)的第一贯通孔(101)；进气管固定脚，所述进气管固定脚包括2个以上，且至少1个所述进气管固定脚与所述进气管主体件(110)活动连接，所述进气管固定脚远离所述进气管主体件(110)的一端具有凸出部(123)，通过所述凸出部(123)将所述进气管主体件(110)与半导体刻蚀机台中的石英部件(200)的内嵌槽(201)进行固定，且所述进气管固定脚的内壁所围成的图形与所述第一贯通孔(101)及所述石英部件(200)的通孔(202)相连通。2.根据权利要求1所述的进气管支架(100)，其特征在于：所述进气管固定脚包括与所述进气管主体件(110)固定连接的第一进气管固定脚(121)及与所述进气管主体件(110)活动连接的第二进气管固定脚(122)。3.根据权利要求2所述的进气管支架(100)，其特征在于：所述第一进气管固定脚(121)与所述第二进气管固定脚(122)的有效面积比为4:1～2:1。4.根据权利要求1所述的进气管支架(100)，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兴昭，陈泳，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：