一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液及其电镀铜工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液及其电镀铜工艺。电镀铜工艺通过真空超声润湿的方式进行前处理，再配合本发明专利技术提供的TSV填充的电镀铜液实现超深孔TSV的100％填充。TSV电镀填充溶液包括甲基磺酸铜、甲基磺酸、二水氯化铜、N.N二甲基二硫代氨基甲酰基丙磺酸钠、2,5,8,11

【技术实现步骤摘要】
一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液及其电镀铜工艺


[0001]本专利技术涉及电镀铜
，尤其涉及一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液及其电镀铜工艺。

技术介绍

[0002]TSV技术是目前3D封装上应用最为广泛的技术，贯穿硅晶圆通孔(Through Silicon Via
‑
TSV)能够进行三维堆栈式封装方式，在先进封装中，关于电信号的引出通过基于TSV技术的纵向互联是最为适合的晶圆级封装技术。
[0003]TSV的关键技术是垂直互联和电隔离技术，包括通孔的形成，绝缘层和阻挡层的实现，导电材料的填充，其中电镀填充是整个TSV工艺的关键节点。为了实现高度集成化，许多研究专注于此，但是由于良率问题或者使用寿命问题，均未能满足12寸晶圆的TSV封装工艺量产需求。随着国内多家上马12英寸TSV立体集成项目，解决超深孔的TSV填充镀铜技术迫在眉睫。
[0004]专利CN103290438B提供了一种镀铜液包括铜盐120
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300g/L、酸10
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200g/L、氯离子30
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜工艺，其特征在于，包括以下具体步骤：a、电镀前处理，将晶圆放置密封腔内先进行抽真空将晶圆孔内实现真空状态，再通过真空负压将润湿溶液吸入TSV孔内，同时进行超声波处理实现所有TSV孔内的充分完全润湿；b、前处理之后的基材进入电镀铜槽，夹好夹具，设置相关参数，检查设备无误后，进行电镀铜。2.根据权利要求1所述的一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜工艺，其特征在于，步骤a的具体条件是：超声波功率为300
‑
600W、超声波时间3
‑
10min。3.根据权利要求1所述的一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜工艺，其特征在于，步骤b的具体条件是：真空时注水方式为喷淋注水，喷淋压力为1.5
‑
2.5kg/cm2，电镀电流密度为0.5
‑
2.5A/dm2，通过将润湿溶液形成喷雾状，够有利于孔内润湿，并且实现节水。4.根据权利要求1所述的一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜工艺，其特征在于，步骤b的所述真空用润湿溶液为一种复合湿润剂溶液，包括2,5,8,11
‑
四甲基
‑6‑
十二碳炔
‑
5,8
‑
二醇聚氧乙烯醚30
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60mg/L、十二烷基聚氧乙烯醚硫酸钠30
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60mg/L，按质量浓度1:1组成高效润湿剂。5.一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液，其特征在于，包括以下质量浓度：甲基磺酸铜为500
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700ml/L、甲基磺酸为100
‑
300ml/L、二水氯化铜为0.12
‑
0.24g/L和添加剂组分...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文宝，姚玉，洪学平，
申请(专利权)人：深圳创智芯联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：