一种无氰电镀金溶液及其应用制造技术

技术编号:41881301 阅读:24 留言:0更新日期:2024-07-02 00:35
本发明专利技术提供了一种无氰电镀金溶液及其应用。本发明专利技术的无氰电镀金溶液包括如下质量含量的组分:金离子2‑20 g/L,络合剂20‑150 g/L,缓冲剂3‑80 g/L,表面活性剂5‑500 mg/L,稳定剂2‑100 mg/L,晶粒细化剂1‑30 mg/L,硬化剂0.01‑5 g/L和抗氧剂0.1‑10 g/L,所述金离子来自无氰金盐。本发明专利技术的无氰电镀金溶液稳定性好,寿命可达4MTO,对光刻胶友好,适用于多种电镀金工艺,获得的金镀层可以满足0.05‑20μm的金厚需求,退火后的硬度在60‑80 Hv,镀层保形优异,肩部收缩≤0.5μm,粗糙度低于50 nm,具有优异的兼容性和广谱性,能够良好地满足打线、焊接、倒装压合等不同场景的实际应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电镀,尤其是涉及一种无氰电镀金溶液及其应用


技术介绍

1、电镀金技术主要是以氰化亚金钾为金盐的电镀金工艺,由于氰化物电镀金存在剧毒等问题,在实际应用过程中存在一定的安全隐患。目前,无氰金主要应用于五金和首饰等领域,其对金镀层的外观和硬度具有一定的要求。然而,由于微电子领域对镀金溶液的工作参数、镀层性能具有更高的要求,现有无氰金溶液通常难以适用于芯片的先进封装和微电子领域。

2、cn 111364074 a公开了一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液的制备方法,该电镀液的ph值为8.0-11.5,包括氯金酸、主配位剂、复合配位剂ⅰ、复合配位剂ⅱ、缓冲剂、光亮剂和润湿剂。然而,该电镀液的ph值范围较高,在晶圆上镀金时容易对光刻胶进行攻击,使光刻胶脱落或造成金凸块变形;同时,该电镀液采用月桂酰两性基二乙酸二钠、月桂酸钾皂、磺化琥珀酸二辛酯钠盐、十二烷基硫酸钠、十八烷基硫酸钠、异辛基硫酸钠、月桂醇醚硫酸钠、烯丙基磺酸钠等作为润湿剂,在电镀液运动过程中容易产生大量泡沫,泡沫形成后容易造成漏镀等风险,从而无法良好地在半导体领域使用;此外,该本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无氰电镀金溶液,其特征在于,包括如下质量含量的组分:金离子 2-20 g/L,络合剂20-150 g/L,缓冲剂3-80 g/L,表面活性剂5-500 mg/L,稳定剂2-100 mg/L,晶粒细化剂1-30 mg/L,硬化剂0.01-5 g/L和抗氧剂0.1-10 g/L,所述金离子来自无氰金盐。

2.根据权利要求1所述的无氰电镀金溶液,其特征在于,无氰金盐选自亚硫酸金钠和亚硫酸金钾中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的无氰电镀金溶液,其特征在于,络合剂选自亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵、硫代硫酸钠、硫代硫酸钾和硫代硫酸铵中的至少一种

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【技术特征摘要】

1.一种无氰电镀金溶液,其特征在于,包括如下质量含量的组分:金离子 2-20 g/l,络合剂20-150 g/l,缓冲剂3-80 g/l,表面活性剂5-500 mg/l,稳定剂2-100 mg/l,晶粒细化剂1-30 mg/l,硬化剂0.01-5 g/l和抗氧剂0.1-10 g/l,所述金离子来自无氰金盐。

2.根据权利要求1所述的无氰电镀金溶液,其特征在于,无氰金盐选自亚硫酸金钠和亚硫酸金钾中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的无氰电镀金溶液,其特征在于,络合剂选自亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵、硫代硫酸钠、硫代硫酸钾和硫代硫酸铵中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的无氰电镀金溶液,其特征在于,缓冲剂选自有机酸及其盐中的至少一种,有机酸选自磷酸、硼酸、柠檬酸、苹果酸、乙酸、乙二胺四乙酸或酒石酸。

【专利技术属性】
技术研发人员:姚玉王江锋姚吉豪
申请(专利权)人:深圳创智芯联科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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