本发明公开了一种无氰化学还原镀金液及镀金方法，该配液包括以下质量浓度的组分：金盐0.5‑1g/L、复合还原剂5‑15g/L、复合络合剂2‑6g/L、稳定剂30‑90mg/L、分散剂0.5‑1g/L、复合缓蚀剂0.5‑5g/L。该发明得到...

本发明公开了一种无氰化学还原加厚金的工艺配方及化学镀方法，该配液包括以下质量浓度的组分：金盐1‑3g/L、复合加速剂30‑60mg/L、络合剂2‑6g/L、晶核细化剂20‑60mg/L、复合还原剂5‑15g/L、复合稳定剂30‑90mg...

本发明公开了一种用于共晶焊接的电镀金锡溶液，该溶液包括以下质量浓度的组分：金盐3‑6g/L、导电盐5‑15g/L、亚锡盐5‑10g/L、复合络合剂4‑6g/L、复合光亮剂50‑150mg/L、抗氧化剂0.1‑0.5g/L、稳定剂15‑4...

本发明公开了一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液工艺配方，化学镀镍液包括以下质量浓度的组分：镍盐4‑6g/L、复合络合剂8‑12g/L、防弯折剂0.5‑1g/L、稳定剂20‑60mg/L、还原剂5‑15g/L、复合防针孔剂15‑45mg/...

本发明公开了一种用于电池集流体用复合铜箔的水电镀溶液，该电镀液配方包括以下质量浓度组分：五水硫酸铜140

本发明公开了一种用于射频器件的玻璃通孔电镀铜液及其电镀铜工艺，该电镀铜液包括以下组分：甲基磺酸铜250

本发明公开了一种应用于晶圆通孔填孔的环保工艺，该工艺包括：除油、粗化、排氧处理、活化、化学镀铜、电镀铜。该发明工艺操作简单，其中包含的化学品镀液环保安全，废水处理简单，电镀铜后，基材的填孔通孔内不会出现折镀，铜层均匀性致密且填孔率在95...

本发明公开了一种适用于超深孔TSV填充的电镀铜液及其电镀铜工艺。电镀铜工艺通过真空超声润湿的方式进行前处理，再配合本发明提供的TSV填充的电镀铜液实现超深孔TSV的100％填充。TSV电镀填充溶液包括甲基磺酸铜、甲基磺酸、二水氯化铜、N...

本发明公开了一种环保无氰电镀液及其电镀工艺。该配方包括以下质量浓度的组分：金盐3

本发明公开了一种脉冲无氰电镀金液及其电镀工艺，电镀金溶液包括以下质量浓度的组分：金盐5

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种环保化学还原金液及其工艺，该环保化学还原金液包括以硫氰酸亚金盐作为金源，以硫氰酸铵与辅助还原剂配合作为复合还原剂；硫氰酸亚金盐在化学还原金液中的浓度为1.5g/L

本发明公开了一种亚硫酸金钠无氰电镀金液及其电镀工艺，电镀金溶液包括以下质量浓度的组分：亚硫酸金钠4

本发明公开了一种玻璃基板的化学镀镍液及其化学镀镍工艺，该化学镀镍液组分为镍盐4

本发明涉及陶瓷基板技术领域，具体涉及一种应用于陶瓷基板的化学镍金工艺，包括如下步骤：步骤一：首先在陶瓷基板上制作线路，陶瓷基板沉积金属层，通过刻蚀得到具有连通线路的陶瓷基板；步骤二：采用光刻胶涂敷在陶瓷基板上，选用线路配合的模板进行光固...

本发明公开了一种应用于薄膜电镀铜添加剂及其电镀工艺，该电镀铜添加剂包括以下质量浓度的组分：硫酸铜60

本发明公开了一种玻璃基板的通孔高深度电镀铜液及其电镀铜工艺，电镀铜溶液包括以下质量浓度的组分：硫酸铜60