【技术实现步骤摘要】
一种应用于薄膜电镀铜添加剂及其电镀工艺
[0001]本专利技术涉及铜电镀
,尤其涉及一种应用于薄膜电镀铜添加剂及其电镀工艺。
技术介绍
[0002]半导体薄膜电镀铜工艺是目前市场应用最广,性价比较高的电镀技术,是在半导体阻挡层上电沉积一层铜,作为后续工序生产的基底。许多关于晶圆上的电镀铜技术被开发使用,在专利CN110541179A中提出一种高铜电镀溶液,但该溶液得到铜层均匀性比较差;另外在专利CN103290438A提出一种晶圆电镀铜溶液,但是该溶液酸性过强,废液处理成本高,与目前环保趋势不相符合。
[0003]随着环保压力日益严重,工业废水处理成本较高,给不少企业带了巨大压力,在满足市场需求情况下,开发出既性能优异,又具备可以降低废水处理成本实现环保,是目前发展的必然趋势。为此,本专利技术旨在提供一种半导体薄膜电镀铜溶液以解决目前的问题。
技术实现思路
[0004]针对上述技术中存在的不足之处,本专利技术提供一种应用于薄膜电镀铜添加剂及其电镀工艺。该专利技术溶液属于中性电镀铜溶液,废水处理简单,镀液稳定性能优异,镀层均匀光亮结合力好,且使用电流密度范围广。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供一种应用于薄膜电镀铜添加剂,包括以下质量浓度的组分:包括以下质量浓度的组分:硫酸铜60
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90g/L、复合光亮剂40
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120mg/L、复合整平剂30
‑ꢀ
90mg/L、润湿剂10
‑
40mg/L、防折镀剂20 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于薄膜电镀铜添加剂,其特征在于,包括以下质量浓度的组分:硫酸铜60
‑
90g/L、复合光亮剂40
‑
120mg/L、复合整平剂30
‑ꢀ
90mg/L、润湿剂10
‑
40mg/L、防折镀剂20
‑
60mg/L、电解质0.1
‑
0.5g/L、稳定剂20
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45mg/L,pH为5.5
‑
6.5操作温度25
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35℃电流密度为0.1
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6.5A/dm2所述复合整平剂为三环唑和2
‑
丙炔基
‑2‑
羟烷基醚两者的组合物,且二者在使用时的质量浓度比为1:1。2.根据权利要求1所述的一种应用于薄膜电镀铜添加剂,其特征在于,所述复合光亮剂为吡啶丙烷磺酸内盐、N,N
‑
二乙基丙炔胺硫酸盐和烯丙基磺酸钠,三者在使用时的质量浓度比为1:1:2,吡啶丙烷磺酸内盐为10
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30mg/L,N,N
‑
二乙基丙炔胺硫酸盐为10
‑
30mg/L,烯丙基磺酸钠为20
‑
60mg/L。3.根据权利要求1所述的一种应用于薄膜电镀铜添加剂,其特征在于,所述电解质为硫酸钾。4.根据权利要求1所述的一种应用于薄膜电镀铜添加剂,其特征在于,所述稳定剂为磺基水杨酸。5.根据权利要求1所述的一种应用于薄膜电镀铜添加剂,其特征在于,所述防折镀剂为3
‑
[[(苄硫基)硫代羰基]硫基]丙酸;所述润湿剂为1
‑
烯丙氧基
‑3‑
(4
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壬基苯酚)
‑2‑
丙醇聚氧乙烯(10)醚硫酸铵。6.一种应用于薄膜电镀铜添加剂的电镀工艺,其特征在于,包括以下具体步骤:第一步骤,将基材打磨,纯水冲洗三遍,氢氟酸洗,再纯水三遍,中性除油1min,再通过25kHz超声波清洗5min、钌活化1min、纯水水洗一遍;第二步骤,化学镀锌,超声清洗后的基材进入化学镀锌槽进行化学镀锌,得到一层致密的化学锌层,再纯水清洗三遍;第三步骤,化学镀铜,基材通过化学镀锌水洗后进入化学镀铜槽,进行化学镀铜...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚玉,洪学平,
申请(专利权)人:深圳创智芯联科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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