【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学镀，尤其涉及一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液工艺配方。
技术介绍
1、目前，国内芯片表面处理技术所使用的的药水基本上来自于日本公司，尤其在化学镀纯钯、快速还原镀金等领域，国内极度空缺。芯片化学镀镍要求沉积速度快，镀液稳定且能够致密光亮，由于镀镍相对于镀贵金属而言成本低，国内参与较多，尽管如此依然无法满足生产需求，尤其是无法配套化学镀钯、镀金液的。而国内化学镀纯钯和快速镀金几乎一片空白，主要问题关键点在于化学镀钯稳定性和还原加厚问题以及在镀金上存在色差问题。
2、在专利cn113026005a中提供了一种应用在柔性线路板化学镀镍钯金镀层的化学镀溶液及工艺，但是在镀钯时由于体系稳定性较差，无法满足工艺需求；在专利cn106987829a中公开了一种应用在柔性线路板化学镍钯金镀层的化学镍配方，该配方按照浓度包括以下组分：镍盐20-30g/l、次亚磷酸15-25g/l、柠檬酸15-25g/l、苹果酸10-20g/l、乙酸铵10-20g/l、硫酸铈2-5mg/l、酒石酸锑钾1-3mg/l、界面活性剂5-10mg/l和糖精10-20g/l；该体系主要存在镀速慢，无法适应芯片的高速要求，且均匀性也比较差；在镀金领域中几乎很难发现较为优良的快速镀金液。
3、为了解决以上问题，实现芯片镍钯金表面处理技术自主化，本申请提供了一种功率芯片的铝基材化学镍钯金液配方。
技术实现思路
1、针对上述技术中存在的不足之处，本专利技术提供一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，包括以下质量浓度的组分：镍盐4-6g/l、复合络合剂8-12g/l、防弯折剂0.5-1g/l、稳定剂20-60mg/l、还原剂5-15g/l、复合防针孔剂15-45mg/l、启镀剂40-80mg/l，余量为去离子水；
3、ph为4.4-4.8
4、操作温度65-75℃
5、所述镍盐为硫酸镍；
6、ph控制由质量浓度5％的氢氧化钠和体积浓度5％浓盐酸的溶液进行调节；所述还原剂为次亚磷酸钠；所述复合防针孔剂为l-硫代脯氨酸和丁炔二醇乙氧基化合物组成的组合物，其在使用时的质量浓度比为1:2，采用复合防针孔剂可以减少镍高速沉积过程中氢气对镀层的影响，提高镀层的致密性。
7、其中，所述复合络合剂为氨基丁二酸和3,5-吡啶二甲酸组成的组合物，其在使用时的质量浓度比为1:1，所述稳定剂为2-甲基-4-氨基嘧啶。该复合络合剂和稳定剂可以提高镀液稳定性，同时络合剂可以改善镍离子在本体溶液中分散性能，提高镀层的均匀性。
8、其中，所述防弯折剂为2,2'-硫代二乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸酯]；所述启镀剂为3-[[(苄硫基)硫代羰基]硫基]丙酸，弯折剂可解决在不规则区域镀镍层的均匀性和致密性与平坦区不一致问题，启镀剂是实现高效镀镍的关键组分，加速镍的沉积还原，且目前市面化学镀镍体系中加入的启镀剂需要等稳度升上来准备生产时才会将启镀剂加入以防止升温过程中被分解一部分，与之相比该启镀剂在升温过程中不会被分解，从而使用更加便捷，且在60℃以上就可以实现加速效果。
9、一种功率芯片的铝基材化学镀钯液工艺配方，包括以下质量浓度的组分：钯盐0.8-1.2g/l、复合络合剂30-90 4-6/l、启镀剂0.2-0.6g/l、复合稳定剂10-40mg/l、还原剂10-40g/l、均匀剂30-60g/l、余量为去离子水；
10、ph 5.4-6.0
11、温度 55-65℃
12、ph控制由质量浓度5％的氢氧化钠和体积浓度5％浓硫酸的溶液进行调节；所述钯盐为硫酸四氨钯；所述复合络合剂为三(2-氨基乙基)胺和双3-氨基丙基-1,3-丙二胺，复合络合剂可以极大提高稳定性，与传统络合剂乙二胺相比，更能提高镀层亮度。
13、其中，所述还原剂为甲酸钠；所述复合稳定剂为l-半胱氨酸和n-boc-4-巯基哌啶组成的组合物，其在使用时的质量浓度比为1:1，本申请的稳定剂可以实现更宽温度操作范围，而市面上一般普通化学镀钯液操作温度也仅仅是控制在±2℃，当温度提升一度，速度上升30％，变化趋势过大，导致温度控制比较窄，与之相比本申请温度控范围可达到60±5℃。
14、其中，所述的启镀剂为聚二硫二丙烷磺酸钠；所述的均匀剂为5-氟尿嘧啶。启镀剂可以提高镀速，另外由于再生产过程中为了调配钯盐稳定性，会在钯盐中加入过量的氨水，但是随着周期增加，氨水会不断积累，虽然ph始终保持一致，但是在补加药水时，加入钯盐会导致体系呈碱性，在高温碱性条件下钯离子迅速配位，即使加入硫酸调节ph，氨钯络合物已经形成，该ph条件解离不出，因此槽液活性降低，出现漏镀，而该启镀剂可以激发钯的活性，维持镀速，延长使用寿命；均匀剂可以提高镀层致密性和光亮性，改善厚钯发黄发黑现象。
15、一种功率芯片的铝基材化学镀金液工艺配方，包括以下质量浓度组分：金盐1-2g/l、加速剂60-120mg/l、络合剂2-4g/l、光亮剂40-80mg/l、复合还原剂5-15g/l、稳定剂10-30mg/l、余量为去离子水；
16、温度控制在75-85℃；
17、ph为5.4-6.0；
18、所述金盐为亚硫酸金钠；所述复合还原剂为氨硫脲和3-醛基吲唑，其在使用时的质量浓度比为1:1，复合还原剂还原效果与一般化学镀金液相比，不需要在85℃以上高温才可以实现还原金，温度要求仅仅只需要70℃即可具有优良的还原性能。
19、其中，所述稳定剂为2-巯基胞嘧啶；所述络合剂为羟基乙叉二膦酸。
20、其中，所述加速剂为呋喃烯啶，加速剂可加快镀金速度，传统加速剂为氯化铊，氯离子引入会导致设备腐蚀，同时也腐蚀基材，而本申请可以解决该问题产生，同时又满足生产需求。
21、其中，所述光亮剂为2-碘苯磺酸钠，可以提高镀层结构晶细化，提高镀层光亮性。
22、本专利技术的有益效果是：与现有技术相比，本专利技术提供的一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液工艺配方，存在以下优势：
23、1)本专利技术提供的化学镀镍液中采用复合防针孔剂可以减少镍高速沉积过程中氢气对镀层的影响，提高镀层的致密性；同时本申请中加入的启镀剂在升温过程中不会被分解，从而使用更加便捷，且在60℃以上就可以实现加速效果。
24、2)本专利技术提供的化学镀钯液中采用复合络合剂三(2-氨基乙基)胺和双3-氨基丙基-1,3-丙二胺可以极大提高稳定性，与传统络合剂乙二胺相比，更能提高镀层亮度和稳定性，启镀剂为聚二硫二丙烷磺酸钠可以维持槽液活性，提高使用周期，提高镀速，均匀剂5-氟尿嘧啶可以提高镀层致密性和光亮性，改善厚钯发黄发黑现象。
25、3)本专利技术在化学镀金液中加入复合还原剂为氨本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，其特征在于，包括以下质量浓度的组分：镍盐4-6g/L、复合络合剂8-12g/L、防弯折剂0.5-1g/L、稳定剂20-60mg/L、还原剂5-15g/L、复合防针孔剂15-45mg/L、启镀剂40-80mg/L，余量为去离子水；
2.根据权利要求1所述的一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，其特征在于，所述复合络合剂为氨基丁二酸和3,5-吡啶二甲酸组成的组合物，其在使用时的质量浓度比为1:1；所述稳定剂为2-甲基-4-氨基嘧啶。
3.根据权利要求1所述的一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，其特征在于，所述防弯折剂为2,2'-硫代二乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸酯]；所述启镀剂为3-[[(苄硫基)硫代羰基]硫基]丙酸。
4.根据权利要求1所述的一种功率芯片的铝基材化学镀钯液工艺配方，其特征在于，化学镀钯液包括以下质量浓度的组分：钯盐0.8-1.2g/L、复合络合剂4-6g/L、启镀剂0.2-0.6g/L、复合稳定剂10-40mg/L、还原剂10-40g/L、均匀剂30-60g/L
5.根据权利要求4所述的一种功率芯片的铝基材化学镀钯液工艺配方，其特征在于，所述还原剂为甲酸钠；所述复合稳定剂为L-半胱氨酸和N-Boc-4-巯基哌啶组成的组合物，其在使用时的质量浓度比为1:1。
6.根据权利要求4所述的一种功率芯片的铝基材化学镀钯液工艺配方，其特征在于，所述的启镀剂为聚二硫二丙烷磺酸钠；所述的均匀剂为5-氟尿嘧啶。
7.一种功率芯片的铝基材化学镀金液工艺配方，其特征在于，包括以下质量浓度组分：金盐1-2g/L、加速剂60-120mg/L、络合剂2-4g/L、光亮剂40-80mg/L、复合还原剂5-15g/L、稳定剂10-30mg/L、余量为去离子水；
8.根据权利要求7所述的一种功率芯片的铝基材化学镀金液工艺配方，其特征在于，所述稳定剂为2-巯基胞嘧啶；所述络合剂为羟基乙叉二膦酸。
9.根据权利要求7所述的一种功率芯片的铝基材化学镀金液工艺配方，其特征在于，所述加速剂为呋喃烯啶。
10.根据权利要求7所述的一种功率芯片的铝基材化学镀金液工艺配方，其特征在于，所述光亮剂为2-碘苯磺酸钠。
...【技术特征摘要】
1.一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，其特征在于，包括以下质量浓度的组分：镍盐4-6g/l、复合络合剂8-12g/l、防弯折剂0.5-1g/l、稳定剂20-60mg/l、还原剂5-15g/l、复合防针孔剂15-45mg/l、启镀剂40-80mg/l，余量为去离子水；
2.根据权利要求1所述的一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，其特征在于，所述复合络合剂为氨基丁二酸和3,5-吡啶二甲酸组成的组合物，其在使用时的质量浓度比为1:1；所述稳定剂为2-甲基-4-氨基嘧啶。
3.根据权利要求1所述的一种功率芯片的铝基材化学镀镍液工艺配方，其特征在于，所述防弯折剂为2,2'-硫代二乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸酯]；所述启镀剂为3-[[(苄硫基)硫代羰基]硫基]丙酸。
4.根据权利要求1所述的一种功率芯片的铝基材化学镀钯液工艺配方，其特征在于，化学镀钯液包括以下质量浓度的组分：钯盐0.8-1.2g/l、复合络合剂4-6g/l、启镀剂0.2-0.6g/l、复合稳定剂10-40mg/l、还原剂10-40g/l、均匀剂30-60g/l、余量为...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚吉豪，王江锋，
申请(专利权)人：深圳创智芯联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。