集成电路用送电和热管理装置制造方法及图纸

一种用于向集成电路送电的系统，其包括去耦电容器，该去耦电容器位于形成为用于集成电路的插座或框架的连接器内。该送电系统采用集成到连接器内的电能储存器的形式，从而无需把复杂昂贵的电源迹线形成在与集成电路连接的电路板内或把分立电容器安装在该电路板上。该电能储存器集成到盖部件中，该盖部件装配在集成电路上面，并包含在内部分收纳集成电路的一部分的凹部。该盖部件包括至少一个通向集成电路工作表面的开口。由该盖部件支撑散热装置，例如翅片式散热器等，该散热装置贯穿它的开口与集成电路的发热表面接触以在工作期间使它冷却。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及集成电路用系统。更具体地说，本专利技术涉及集成电路用的用于支持半导体技术进步的送电系统、信号传送系统、封装设计系统、热管理系统、以及电磁干扰(EMI)发射控制系统。
技术介绍
I.半导体技术消费者需要功能更多、性能更好、尺寸更小、重量更轻、可靠性更高、成本更少和上市时间更快的创新电子产品。半导体技术是消费者期望的创新电子产品的核心组成部分。多年来，半导体技术的进步已导致集成电路(IC)装置的功能和性能的巨大增长，同时使集成电路装置的尺寸、重量、缺陷和成本最小。历史上，电子工业可安装在半导体芯片上的晶体管数量大约每十八个月翻一番。这种快速发展周期可使新型创新产品能快速投放市场。例如，半导体制造商花了近三十年才把微处理器时钟速率完善到以1GHz运行，而目前制造商在达到1GHz后的不到十八个月就达到了2GHz的微处理器时钟速率。制造商预计，通过制造速度更快的硅晶体管来拓展半导体技术今后十年的快速进步不存在根本障碍。这些晶体管预计尺寸约20纳米，并将可使制造商在今后几年内制造包含以接近20GHz的速度运行并以不到1伏特的电压操作的十亿晶体管的微处理器。这些新型晶体管如同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种送电和热管理装置，用于向集成电路供电并在其工作期间对集成电路散热，所述集成电路具有设置在其上的导电迹线，所述装置包括以下组合：电绝缘电源连接器本体部分，具有设置在其上、用于在其中接收所述集成电路的集成电路接收凹部，所述凹部的尺寸 设置为当所述电源连接器与所述集成电路匹配时在其中接收至少一部分所述集成电路，电能储存器与所述连接器本体部分整合，用于选择性地通过所述集成电路导电迹线的方式向所述集成电路的所述电源电路放电，多个导电端子从与所述集成电路导电迹线对置的所述电能储存器延伸，当所述电源连接器与所述集成电路匹配时，端子接触所述集成电路的导电迹线，所述电源连接器本体部分还包括贯穿...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿古斯托P帕内拉，阿林杜姆杜塔，詹姆士L麦格拉思，
申请(专利权)人：莫莱克斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]