混合集成电路制造技术

技术编号:3729265 阅读:131 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种混合集成电路。目前在将片状部件钎焊焊接在导电配线层的焊盘上时,熔化的焊剂会使焊盘间发生短路。本发明专利技术的混合集成电路包括:在两端形成有端子电极39B的片状部件37B;对应所述端子电极设置多个焊盘40的导电配线层35;被覆除所述焊盘以外位置的所述导电电线层的外敷层树脂38,其中,用导电性粘接剂52将所述片状部件37B的端子电极39B粘接在焊盘40上,并且在所述焊盘40间设有绝缘性粘接剂53。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种片状部件的端子电极安装在形成于导电配线层上的焊盘上的混合集成电路
技术介绍
最近,越来越要求便携式计算机或打印机等电子仪器上使用的片状部件小型化、薄型化和轻量化。为此具有作为片状部件将半导体元件安装在衬底上、用绝缘树脂将该衬底模制的封装型半导体电路。图18是现有的封装型半导体集成电路。封装型半导体集成电路介由焊剂2将LSI等裸片3安装在连接垫1上,用金属细线6连接该裸片3的电极(未图示)和引线端子5。然后,用绝缘性树脂层9被覆连接垫1和裸片3的周围。在所述封装型半导体电路中,引线端子5利用焊剂9A安装在印刷在安装衬底7上的印刷配线8上。该封装型半导体集成电路由于引线端子5从绝缘性树脂层9露出到外部,故焊接容易,但是整体安装尺寸大,小型化、薄型化和轻量化上存在困难。图19和图20是改良了所述的封装型半导体集成电路的混合集成电路的平面图和剖面图。LSI等裸片10安装在形成于导电配线层11上的连接垫11A上。位于片状电容器17的两端的电极17A1、17A2直接钎焊焊接在导电配线层14A1上形成的焊盘15A1、15A2上。其次,LSI等裸片10的电极13A1和形成于焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合集成电路,其设有:在两端形成有端子电极的片状部件;对应所述端子电极设置多个焊盘的导电配线层;被覆除所述焊盘以外位置的所述导电配线层的外敷层树脂;电连接在所述导电配线层,露出至下面的外部电极,其特征在于,在通过焊剂安装所述片状部件的端子电极的所述焊盘间的外敷层树脂上设置空间部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:成瀬俊道高草木宣久小林初
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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