一种大功率可控硅制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率可控硅，属于可控硅器件技术领域，其包括大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。本发明专利技术改变传统的器件的引脚结构，通过弯折设计使引脚与封装体背面持平，从而可以实现将器件贴放于电路板上，整体上控制了可控硅所占空间，让器件的安装更为稳固、电路板设置更为灵活，而且还可以通过散热底板与电路板接触解决散热问题。此外，引脚的连接段仍然兼容传统的插接方式，应用面更广。应用面更广。应用面更广。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率可控硅


[0001]本专利技术属于可控硅器件
，具体地说，涉及一种大功率可控硅。

技术介绍

[0002]传统的可控硅器件包括封装体及外露于封装体的多个直立引脚，一般通过与插接座对接或直接焊接的方式安装于电路板之上，此安装方式显然占据较多的空间，且可控硅的主体部分仅依靠引脚支撑，容易产生晃动甚至被折断。因此，涉及一种大功率可控硅是十分有必要的。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0004]一种大功率可控硅，包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，其特征在于，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。
[0005]优选地，所述封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极与栅极分别连接对应的引脚，该可控硅芯片的阴极连接散热底板。
[0006]优选地，所述封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率可控硅，其特征在于：包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，其特征在于，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。2.根据权利要求1所述的大功率可控硅，其特征在于：所述封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极与栅极分别连接对应的引脚，该可控硅芯片的阴极连接散热底板。3.根据权利要求1所述的大功率可控硅，其特征在于：所述封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极、阴极与栅极分别连接对应的引脚。4.根据权利要求2所述的大功率可控硅，其特征在于：所述散热底板包括由封装体端面伸出的第一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢博宇，黄伟，卢博朗，徐爽，卢贤利，
申请(专利权)人：浙江柳晶整流器有限公司，
类型：发明
国别省市：