具有键合线的半导体元件及其制备方法技术

一种半导体元件包括具有一键合垫的一半导体基底，以及设置在该半导体基底上的一第一介电层。该键合垫的一部分由该第一介电层曝露。该半导体元件还包括设置在该键合垫的该部分上的一金属氧化物层，以及穿透该金属氧化物层以键合到该键合垫的一键合线。该键合垫的该部分完全由该金属氧化物层和该键合线覆盖。部分完全由该金属氧化物层和该键合线覆盖。部分完全由该金属氧化物层和该键合线覆盖。

【技术实现步骤摘要】
具有键合线的半导体元件及其制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请案主张2021年10月4日申请的美国正式申请案第17/493,820号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开提供一种半导体元件及其制备方法，特别涉及一种具有键合线的半导体元件及其制备方法。

技术介绍

[0004]半导体元件对于现代许多应用来说是不可或缺的。随着电子技术的发展，半导体元件的尺寸越来越小，同时提供更多的功能，并且包括更多的集成电路。由于半导体元件的小型化，晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)因其成本低、工艺相对简单而被广泛使用。此外，在这种小型半导体元件中可以实现许多制备的操作。
[0005]然而，半导体元件的制备和积集涉及许多复杂的步骤和操作。半导体元件的制备和积集的复杂性的增加可能会导致缺陷。因此，需要不断改进半导体元件的工艺，以解决这些问题。
[0006]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一半导体基底，具有一键合垫；一第一介电层，设置在该半导体基底上，其中该键合垫的一部分由该第一介电层曝露；一金属氧化物层，设置在该键合垫的该部分上；以及一键合线，穿透该金属氧化物层与该键合垫键合，其中该键合垫的该部分完全由该金属氧化物层和该键合线覆盖。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该键合垫包括铜。3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属氧化物层包括钽、氮化钽、钛、氮化钛或其组合。4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属氧化物层包括从该金属氧化物层的一顶部表面突出的一飞溅结构，而该键合线的一底部表面由该金属氧化物层的该飞溅结构包围并直接接触。5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第二介电层，设置在该第一介电层上；以及一第三介电层，设置在该第二介电层上，其中该第一介电层、该第二介电层和该第三介电层分别具有实质上对齐的一侧壁。6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括：一聚合物层，以覆盖该第三介电层的一顶部表面以及该第一介电层、该第二介电层和该第三介电层的该侧壁。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该聚合物层与该金属氧化物层和该键合线直接接触。8.一种半导体元件，包括：一半导体基底，具有一键合垫；一介电质叠层，设置在该半导体基底上，其中该键合垫的一顶部表面由该介电质叠层曝露；一键合线，与该键合垫的该顶部表面物理键合；以及一金属氧化物层，设置在该键合垫的该顶部表面上，其中该金属氧化物层与该键合线的一底部表面和该介电质叠层的一侧壁直接接触。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该金属氧化物层包围并机械支撑该键合线的该底部表面。10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该键合垫包括铜，而该金属氧化物层包括钽、氮化钽、钛、氮化钛或其组合。11.如权利要求8所述的半导体元件，其中该介电质叠层包括一第一介电层、设置在该第一介电层上的一第二介电层以及设置在该第二介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：