一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法。本发明专利技术公开的光敏剂，其由光敏剂A和光敏剂B组成。采用本发明专利技术的光敏剂制得的i线光刻胶组合物在用于i线光刻时得到的光刻胶图形光敏性和分辨率高。胶图形光敏性和分辨率高。胶图形光敏性和分辨率高。

【技术实现步骤摘要】
一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法


[0001]本专利技术涉及一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法。

技术介绍

[0002]光刻胶是一类通过光束、电子束、离子束等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，在集成电路和半导体分立器件的微细加工中有着广泛的应用。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体材料上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩膜版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是微细加工技术中的关键材料。根据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩膜版相同图形的称为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得到与掩膜版相反图形的称为负性光刻胶。两种光刻胶都有各自不同的应用领域，通常来讲，正性光刻胶用的更为普遍，占到光刻胶总量的80％以上。
[0003]光刻技术随着集成电路集成度的提高、加工线宽的缩小，经历了从g线 (436nm)光刻，i线(365nm)光刻，到深紫外248nm光刻，及目前的193nm光刻的发展本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光敏剂，其由光敏剂A和光敏剂B组成；所述光敏剂A和光敏剂B的结构如下所示：2.如权利要求1所述的光敏剂，其特征在于，所述光敏剂A以重量份数计为10
‑
20份，如10
‑
17份或10
‑
15份；和/或，所述光敏剂B以重量份数计为5
‑
10份，如5份。3.一种i线光刻胶组合物，其包括以下组分：酚醛树脂、如权利要求1或2所述的光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂；所述酚醛树脂为酚醛树脂A和酚醛树脂B的至少一种；其中，所述酚醛树脂A的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚、3，5
‑
二甲酚和甲醛进行反应得到；所述酚醛树脂B的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚和甲醛进行反应得到；所述有机硅流平剂可为聚甲基苯基硅氧烷。4.如权利要求3所述的i线光刻胶组合物，其特征在于，所述酚醛树脂以重量份数计为80
‑
100份，例如80份；和/或，所述有机硅流平剂在所述i线光刻胶组合物中的浓度为500
‑
2000ppm，例如500ppm、1000ppm或2000ppm；和/或，所述有机溶剂以重量份数计为450
‑
800份，例如450份。5.如权利要求3或4所述的i线光刻胶组合物，其特征在于，所述酚醛树脂为酚醛树脂A、酚醛树脂B或酚醛树脂A和酚醛树脂B的组合；当所述酚醛树脂为酚醛树脂A和B的组合时，酚醛树脂A和酚醛树脂B的质量比优选2:7
‑
7:2；和/或，所述有机硅流平剂的重均分子量为3000
‑
6000；和/或，所述有机溶剂为醚类溶剂、酯类溶剂、酰胺类溶剂、芳烃类溶剂和酮类溶剂的一种或多种。6.如权利要求5所述的i线光刻胶组合物，其特征在于，所述醚类溶剂为乙二醇单甲醚、丙二醇甲醚、苯甲醚、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚和二缩乙二醇乙醚中的一种或多种；和/或，所述酯类溶剂为丙二醇单甲醚乙酸酯、醋酸丁酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯和γ
‑
丁内酯中的一种或多种；和/或，所述酰胺类溶剂为二甲基乙酰胺；和/或，所述芳烃类溶剂为二甲苯；和/或，所述酮类溶剂为N
‑
甲基吡咯烷酮。
7.如权利要求3
‑
6任一项所述的i线光刻胶组合物，其特征在于，在所述酚醛树脂A的制备方法中，间甲酚以重量份数计为50
‑
80份，例如65份；和/或，在所述酚醛树脂A的制备方法中，对甲酚以重量份数计为20
‑
50份，例如35份；和/或，在所述酚醛树脂A的制备方法中，3，5
‑
二甲酚以重量份数计为1
‑
10份，例如5份；和/或，在所述酚醛树脂A的制备方法中，草酸以重量份数计为0.5
‑
5份，...

【专利技术属性】
技术研发人员：方书农，王溯，耿志月，唐晨，
申请(专利权)人：上海芯刻微材料技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：