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上海芯刻微材料技术有限责任公司专利技术
上海芯刻微材料技术有限责任公司共有56项专利
一种树脂及含其的制造技术
本发明公开了一种树脂及含其的
一种树脂及含其的制造技术
本发明公开了一种树脂及含其的
一种制备厚膜光刻胶树脂的方法技术
本发明涉及一种制备厚膜光刻胶树脂的方法。具体地,本发明涉及一种无规共聚物的制备方法,所述无规共聚物包含式Ia'和Ic所示结构单元;所述制备方法包括如下步骤:将包含式Ia和Ic所示结构单元的无规共聚物前体与式II所示化合物在三氟乙酸的存在...
磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用制造技术
本发明公开了一种磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用。具体地,本发明公开了一种如式Ⅰ所示的磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用,以式Ⅰ所示的磺酸亚胺类化合物作为产酸剂制备得到的光刻胶组合物形成的胶膜矩形性佳。...
一种i线光刻胶及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物的制备方法包括下列步骤:将i线光刻胶组合物的各组分混合均匀,即可;所述i线光刻胶组合物包括以下组分:树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂;所述树脂包括下述重量份数...
一种i线光刻胶及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物包括以下组分:树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂;所述树脂包括下述重量份数的组分:80
KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法技术
本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法。具体地,本发明公开了一种以如式Ⅰ所示的化合物作为光产酸剂的KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法,主要包含涂覆、预烘烤、掩模板图案复制、再烘烤和显影等步骤。经本公开的KrF厚膜光刻胶组...
KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法技术
本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法。具体地,本发明公开了一种包含如式Ⅰ所示的光产酸剂的KrF厚膜光刻胶组合物,由该光刻胶组合物形成的光刻胶胶膜矩形性佳。佳。佳。
一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种如式I所示的添加剂在光刻胶中的应用;所述光刻胶包括如下原料:如式I所示的添加剂、如式(L)所示的树脂、光致产酸剂和溶剂,所述添加剂的重均分子量为1000~30...
一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法技术
本发明公开了一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法,还提供了一种光刻胶组合物、其制备方法及其应用。该光刻胶组合物的原料包括:无规共聚物、光致生酸剂、光敏聚合物和有机溶剂。所述无规共聚物为由下述通式Ia、Ib和Ic表示的结构单元组成...
一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种光刻胶,其包括如下原料:如式I所示的添加剂、如式(L)所示的树脂、光致产酸剂和溶剂,所述添加剂的重均分子量为1000~3000;所述添加剂的重均分子量/数均分...
一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法技术
本发明公开了一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法。具体地,本发明提供了一种由下述通式Ia、Ib和Ic表示的结构单元组成的重均分子量为1000
一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种如式I所示的添加剂;所述添加剂的重均分子量为1000~3000;所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1~5。本发明添加剂至少具有以下优势:含该添加剂的光刻...
一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得,所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂;其中,所述聚合物由下述方法制得,其包括下列步骤:(1)将溶剂I预热;(2)将如式(A)所...
一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得,所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂;其中,所述聚合物由下述方法制得,其包括下列步骤:(1)将溶剂I预热;(2)将如式(A)所示的单体、如...
一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到:(1)将溶剂I预热;(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混...
一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到:(1)将溶剂I预热;(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合,得一混合...
一种i线光刻胶及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物的制备方法包括下列步骤:将i线光刻胶组合物的各组分混合均匀,即可;所述i线光刻胶组合物包括以下组分:树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂;所述树脂包括下述重量份数...
一种i线光刻胶及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物包括以下组分:树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂;所述树脂包括下述重量份数的组分:80
一种193nm湿法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种193nm湿法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种光刻胶,其包括如下原料:如式I所示的添加剂、如式(L)所示的树脂、光致产酸剂和溶剂,所述添加剂的重均分子量为1000~3000;所述添加剂的重均分子量/数均分...
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