有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物技术

本发明专利技术涉及有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物。本发明专利技术的目的是提供一种化合物，能形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成材料。本发明专利技术的解决手段是一种有机膜形成材料，其特征在于含有下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，R1是下述式(2)的任一者，R2表示硝基、卤素原子、羟基、烷基氧基、炔基氧基、烯基氧基、直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、三氟甲基氧基；n表示0或1，m表示1～3的整数，p表示0或1，l表示0～2的整数；W是碳数2～40的2价有机基团。价有机基团。价有机基团。价有机基团。

【技术实现步骤摘要】
有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物


[0001]本专利技术是关于有机膜形成材料、图案形成方法、及适合用于上述材料的化合物。
现有技术
[0002]伴随LSI的高集成化与高速化，图案尺寸的微细化正急速进展。光刻技术，伴随该微细化，通过光源的短波长化及适当选择与其对应的抗蚀剂组成物，已达成微细图案的形成。成为其中心的是以单层使用的正型光致抗蚀剂组成物。该单层正型光致抗蚀剂组成物，通过使抗蚀剂树脂中具有对于利用氯系或氟系气体等离子所为的干蚀刻具蚀刻耐性的骨架，且具有如曝光部溶解的切换(switching)机构，借此使曝光部溶解来形成图案，并将残存的抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜将被加工基板进行干蚀刻加工。
[0003]然而，于维持所使用的光致抗蚀剂膜的膜厚的状态进行微细化，亦即将图案宽进一步缩小时，光致抗蚀剂膜的解析性能降低，又，欲利用显影液对光致抗蚀剂膜进行图案显影的话，会发生所谓纵横比变得过大，结果造成图案崩坏的问题。因此，伴随图案的微细化，光致抗蚀剂膜也逐渐薄膜化。
[0004]另一方面，被加工基板的加工，通常使用将形成有图案的光致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机膜形成材料，其特征在于，含有下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂：该通式(1)中，R1是下述式(2)的任一者，R2表示硝基、卤素原子、羟基、碳数1～4的烷基氧基、碳数2～4的炔基氧基、碳数2～4的烯基氧基、碳数1～6的直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、三氟甲基氧基；n表示0或1，m表1～3的整数，p表示0或1，l表示0～2的整数；W是碳数2～40的2价有机基团；R1＝2.根据权利要求1所述的有机膜形成材料，其中，该通式(1)表示的化合物是下述通式(3)表示的化合物；该通式(3)中，R1、R2、W、l、p如同前述；m
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表示1或2的整数。3.根据权利要求1或2所述的有机膜形成材料，其中，该化合物的利用凝胶渗透层析法所为的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn，是1.00≤Mw/Mn≤1.10。4.根据权利要求1或2所述的有机膜形成材料，其中，该有机溶剂是沸点未达180度的有机溶剂1种以上、与沸点180度以上的有机溶剂1种以上的混合物。5.根据权利要求1或2所述的有机膜形成材料，其中，更含有酸产生剂、交联剂、表面活性剂及塑化剂中的1种以上。6.一种图案形成方法，具有下述步骤：使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成材料于被加工体上形成有机膜；使用含硅抗蚀剂中间膜材料于该有机膜上形成含硅抗蚀剂中间膜；使用光致抗蚀剂组成物于该含硅抗蚀剂中间膜上形成抗蚀剂上层膜；于该抗蚀剂上层膜形成电路图案；将该经形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，通过蚀刻将图案转印至该含硅抗蚀剂中间膜；将该经转印图案的含硅抗蚀剂中间膜作为掩膜，通过蚀刻将图案转印至该有机膜；
进一步地，将该经转印图案的有机膜作为掩膜，将该被加工体进行蚀刻而于该被加工体形成图案。7.一种图案形成方法，具有下述步骤：使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成材料于被加工体上形成有机膜；使用含硅抗蚀剂中间膜材料于该有机膜上形成含硅抗蚀剂中间膜；于该含硅抗蚀剂中间膜上形成有机抗反射膜(BARC)；于该BARC上使用光致抗蚀剂组成物形成抗蚀剂上层膜而成为4层膜构造；于该抗蚀剂上层膜形成电路图案；将该经形成图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，通过蚀刻将图案转印至该BARC膜及该含硅抗蚀剂中间膜；将该经转印图案的含硅抗蚀剂中间膜作为掩膜，通过蚀刻将图案转印至该有机膜；进一步地，将该经转印图案的有机膜作为掩膜，将该被加工体进行蚀刻而于该被加工体形成图案。8.一种图案形成方法，具有下述步骤：使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成材料于被加工体上形成有机膜；于该有机膜上形成选自硅氧化膜、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郡大佑，小林直贵，山本靖之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：