制电介质用无铅玻璃、制电介质用玻璃陶瓷组合物、电介质及层积电介质的制造方法技术

一种制电介质用无铅玻璃，以摩尔％计，由以下氧化物ＳｉＯ↓［２］２０～３９％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］５～３５％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］２～１５％、ＣａＯ＋ＳｒＯ１～２５％、ＢａＯ５～２５％、ＺｎＯ０～３５％、ＴｉＯ↓［２］＋ＺｒＯ↓［２］＋ＳｎＯ↓［２］０～１０％形成，其中Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］＋ＺｎＯ的含量在１５～４５％、不含碱金属氧化物或其含量低于１％。另，由含Ｂａ化合物粉末与前述制电介质用无铅玻璃粉末为主要成分制成的制电介质用玻璃陶瓷组合物。另外，由前述制电介质用玻璃陶瓷组合物焙烧得到的电介质。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于低温焙烧形成电介质的玻璃和玻璃陶瓷组合物，适用于在高频领域使用的电路、天线等基板的电介质以及适用于这种基板的层积电介质的制造方法。
技术介绍
电介质被用于，在高频波领域使用的天线、谐振滤波器等的基板中，为使这种电介质拥有高介电常数，目前已公开了多种玻璃可作为这种电介质材料(例如日本专利特开平7-118060号公报中表1、2所示。)。这种介电常数高的电介质也可与介电常数低的电介质层积形成电路板被使用(例如日本专利特开2001-284807号公报中所示。)。近年来，对于这种电介质，希望其低温焙烧成为可能(例如小于等于900℃焙烧成为可能)、不含铅、并提高电绝缘性，因而要求减少其碱金属氧化物的含量。本专利技术就是以提供能解决这样问题的制电介质用的无铅玻璃、制电介质用的玻璃陶瓷组合物以及电介质为目的的。另外，当高介电常数层与低介电常数层层积时，如日本专利特开2001-284807号公报中所公开的将相互组成不同的层层积成一体焙烧时，因为各层间组成不同其焙烧收缩行为往往不同，常常会出现层间脱离和变形的问题。本专利技术以提供可解决这样问题的层积介质的制造方法为目的。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
电介质形成用无铅玻璃，其特征在于，以摩尔％计，实质上由以下氧化物：ＳｉＯ↓［２］２０～３９％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］５～３５％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］２～１５％、ＣａＯ＋ＳｒＯ１～２５％、ＢａＯ５～２５％、ＺｎＯ０～３５％、ＴｉＯ↓［２］＋ＺｒＯ↓［２］＋ＳｎＯ↓［２］０～１０％形成，Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］＋ＺｎＯ为１５～４５％，不含碱金属氧化物或该氧化物的合计含量未满１％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤和弘，大崎康子，中山胜寿，渡边一成，千叶次郎，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]