电磁双重屏蔽膜制造技术

本发明专利技术属于新型抗电磁干扰（ＥＭＩ）屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛锰、钴，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Ｆｅ：３０％～８５％，Ｃｒ：５％～５０％，Ｎｉ：１％～２０％，Ｔｉ：１～１０％；所述金属成分按照铬当量（［Ｃｒ］＝Ｃｒ＋Ｍｏ＋０．０１５Ｓｉ＋０．００５Ｔｉ）和镍当量（［Ｎｉ］＝Ｎｉ＋０．３Ｃ＋０．００５Ｍｎ）成分配比，计算的镍当量［Ｎｉ］小于２４，铬当量大于１６；由于本发明专利技术是采用奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶材，鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性，它是一种镀覆于电子产品塑料外壳表面的理想金属膜之一。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽
，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜。
技术介绍
随着电子系统向轻薄化、微型化发展，现在多数电子系统的机盒都采用了塑料机盒。塑料具有可塑性好、可短期内批量生产、绝缘等优点，但是，塑料抗EMI效果较差，需要在成型后的塑料表面一定区域镀覆一层导电率或导磁率较高的材料，达到电磁屏蔽的效果，例如数字产品手机、PDA、笔记本电脑、机顶盒等，都要在塑料机盒内表面镀覆抗EMI膜材料，也就是进行塑料金属化，它是高频电子产品塑料外壳表面的重要结构。目前主要采用电镀、化学镀、导电导磁涂料、真空蒸发和磁控溅射方法，对电子产品塑料外壳表面镀覆抗EMI金属膜；其中，磁控溅射的抗EMI金属膜的性能最好，因而在高端产品中普遍使用，如手机、PDA、笔记本电脑的围框和外壳。但是磁控溅射沉积磁屏蔽膜效率很低，不适合磁屏蔽膜工业化生产。因此，研制一种具有可以快速磁控溅射制备的导电率好、导磁率高的电磁双重屏蔽膜已成为电子产品生产企业急需解决的问题之一。在现有技术中，电磁屏蔽膜材料主要有两类(1)电屏蔽材料，要求具有高的电导率，特别是高频电子产品表面肌肤效应明显，高的电导率才可本文档来自技高网...

【技术保护点】
电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Ｆｅ：３０％～８５％，Ｃｒ：５％～５０％，Ｎｉ：１％～２０％，Ｔｉ：１～１０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董树荣，王德苗，任高潮，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]