电磁双重屏蔽膜制造技术

本发明专利技术属于新型抗电磁干扰（ＥＭＩ）屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛锰、钴，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Ｆｅ：３０％～８５％，Ｃｒ：５％～５０％，Ｎｉ：１％～２０％，Ｔｉ：１～１０％；所述金属成分按照铬当量（［Ｃｒ］＝Ｃｒ＋Ｍｏ＋０．０１５Ｓｉ＋０．００５Ｔｉ）和镍当量（［Ｎｉ］＝Ｎｉ＋０．３Ｃ＋０．００５Ｍｎ）成分配比，计算的镍当量［Ｎｉ］小于２４，铬当量大于１６；由于本发明专利技术是采用奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶材，鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性，它是一种镀覆于电子产品塑料外壳表面的理想金属膜之一。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽
，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜。
技术介绍
随着电子系统向轻薄化、微型化发展，现在多数电子系统的机盒都采用了塑料机盒。塑料具有可塑性好、可短期内批量生产、绝缘等优点，但是，塑料抗EMI效果较差，需要在成型后的塑料表面一定区域镀覆一层导电率或导磁率较高的材料，达到电磁屏蔽的效果，例如数字产品手机、PDA、笔记本电脑、机顶盒等，都要在塑料机盒内表面镀覆抗EMI膜材料，也就是进行塑料金属化，它是高频电子产品塑料外壳表面的重要结构。目前主要采用电镀、化学镀、导电导磁涂料、真空蒸发和磁控溅射方法，对电子产品塑料外壳表面镀覆抗EMI金属膜；其中，磁控溅射的抗EMI金属膜的性能最好，因而在高端产品中普遍使用，如手机、PDA、笔记本电脑的围框和外壳。但是磁控溅射沉积磁屏蔽膜效率很低，不适合磁屏蔽膜工业化生产。因此，研制一种具有可以快速磁控溅射制备的导电率好、导磁率高的电磁双重屏蔽膜已成为电子产品生产企业急需解决的问题之一。在现有技术中，电磁屏蔽膜材料主要有两类(1)电屏蔽材料，要求具有高的电导率，特别是高频电子产品表面肌肤效应明显，高的电导率才可以起到有效电屏蔽的作用；(2)磁屏蔽材料，要求具有较高磁导率的磁性材料。电磁屏蔽膜材料主要是铜或镍，铜的良好电导率可起到电屏蔽作用，但铜易氧化、耐候性差；而对于抗EMI要求较高的场合要求电和磁的双重屏蔽，镍具有较高磁导率和较低电阻率可以起到电磁屏蔽双重作用，并且具有良好的耐候性，但是由于镍是铁磁性材料，镍靶会屏蔽靶表面磁场，导致其成膜效率很低，不适合磁控溅射工业化生产，这严重阻碍了磁控溅射在塑料金属化中的应用。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种既有较好导电率、又有较高导磁率，且生产工艺简单、成本低廉的电磁双重屏蔽膜。本专利技术的目的是采用这样的技术方案实现的它包括铁、铬、镍、钛，其特征在于所述金属成分的百分含量为Fe30％～85％，Cr5％～50％，Ni1％～20％，Ti1～10％；所述金属成分按照铬当量(＝Cr+Mo+0.015Si+0.005Ti)和镍当量(＝Ni+0.3C+0.005Mn)成分配比，计算的镍当量小于24，铬当量大于16。本专利技术的解决方案是基于镍铬类双相不锈钢的金相组织有奥氏体和铁素体两种相结构特性，奥氏体是顺磁性的，铁素体是磁性的；在金属学中，将促进形成铁素体的元素折算成铬当量为(＝Cr+Mo+0.015Si+0.005Ti)，将促进形成奥氏体的元素折算成镍当量(＝Ni+0.3C+0.005Mn)，根据铬当量和镍当量从谢夫尔图表中可查出该成分不锈钢的铁素体和奥氏体含量。根据上述原理，本专利技术设计靶材成分时，通过大量的实践探索，确定选择组织在奥氏体区，而其铬和镍当量位置很接近铁素体区，并增加形成铁素体并溅射产额大的元素，减少形成奥氏体并溅射产额小的元素，这样溅射后，就可以获得铁素体的不锈钢金属薄膜，本专利技术方法所形成的铁素体元素如Cr等的溅射产额都大于形成奥氏体元素Ni、Mn的溅射产额；对于镍铬类双相不锈钢，其成分就处于奥氏体和铁素体相互转化的临界区域，很容易发生相结构的变化，众所周知奥氏体不锈钢焊接时，焊接组织中常常因为成分偏析导致出现铁素体的焊缝组织。由于本专利技术是采奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶材，鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性，它是一种镀覆于电子产品塑料外壳表面的理想金属膜之一。具体实施例方式本专利技术电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛，所述金属成分的百分含量为Fe63％，Cr30％，Ni6％，Ti1％。本专利技术所述电磁双重屏蔽膜采用的法制备方法是塑料表面清洗-塑料表面活化-金属化溅射镀；所述金属化溅射镀采用的溅射靶为奥氏体的镍铬类双相不锈钢靶材。下面结合具体实施例对工艺步骤作进一步说明(1)塑料表面清洗将被镀塑料件放在清洗液中，超声清洗20分钟后，取出烘干；所述塑料件是ABS、ABS+PC、PC或PC+玻璃纤维中的一种材料制成；(2)塑料表面活化将覆盖一定掩模的塑料放入真空镀膜装置行星片架上，抽真空至本底真空度5×10-3Pa后，充入氩气至真空度0.5Pa，并稳定在该真空度，打开射频电源，通过真空腔体内的射频线圈放电产生等离子体，对塑料表面进行活化处理，提高后面金属化膜的结合力，10分钟后关闭射频电源，等离子表面活化结束；(3)金属化溅射镀打开溅射靶电源，馈入功率密度20W/cm2，行星片架转动，稳定后打开挡板开始直流溅射，溅射靶为直径为60毫米的1Cr18Ni9Ti不锈钢材料，十分钟后在磁体表面镀覆一层厚度一微米的不锈钢膜后，在真空中保留10分钟，再放入大气打开真空腔体，取出镀覆好电磁双重屏蔽膜的塑料件，这时塑料表面的薄膜具有较高的电导率和磁导率，可以作为电磁屏蔽膜使用；所述电磁双重屏蔽膜的金属成分包括Fe30％～85％，Cr5％～50％，Ni1％～20％，Ti1～10％；各金属成分配比按照铬当量(＝Cr+Mo+0.015Si+0.005Ti)和镍当量(＝Ni+0.3C+0.005Mn)计算，计算的镍当量小于24，铬当量大于16。屏蔽膜厚度在0.1～1000微米范围内。所述溅射靶为不锈钢1Cr18Ni9Ti，其铬和镍当量为(18,7)，其标准金相组织是奥氏体，其当成分偏析时(如焊接组织)就会出现铁素体；Cr溅射产额为0.67、Ni为0.66、Ti为0.22、Fe为0.53，由于铁磁性的Ni、Fe实际溅射产额较低，溅射后的成分约在Cr30Ni6Ti，铬和镍当量为(35,6)，已经落入铁素体区域了，所以在溅射不锈钢时，获得的薄膜属于铁素体组织，从而达到采用顺磁体为靶材，溅射获得铁磁体金属薄膜的作用。按照国家标准测试(1)经过10％氯化钠的常温耐候性盐雾试验，48小时后未见锈蚀；(2)25℃和70℃反复热冲击实验20次，未见起皮脱落；(3)常温溶液湿润法(10％氯化钠+2％明胶溶液)测量，膜层未见蓝色斑痕和孔蚀现象，说明膜层致密；(4)标准拉力计测试膜层结合力大于7MPa；(5)用磁铁粉测试具有一定的磁性吸力，方块电阻低于8；(5)对其金相组织分析鉴定靶材是奥氏体组织，溅射后薄膜是铁素体组织；实验结果表明膜层完全可以作为电磁双重屏蔽膜使用，而且膜层具有良好的结合力和耐候性。权利要求1.电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛，其特征在于所述金属成分的百分含量为Fe30％～85％，Cr5％～50％，Ni1％～20％，Ti1～10％。2.根据权利要求1所述的电磁双重屏蔽膜，其特征在于所述金属成分按照铬当量(＝Cr+Mo+0.015Si+0.005Ti)和镍当量(＝Ni+0.3C+0.005Mn)成分配比，计算的镍当量小于24，铬当量大于16。3.根据权利要求1所述电磁双重屏蔽膜，其特征在于所述电磁双重屏蔽膜厚度在0.1～1000微米范围内。4.根据权利要求1所述电磁双重屏蔽膜的制备方法是塑料表面清洗—塑料表面活化—金属化溅射镀；所述金属化溅射镀采用的溅射靶为奥氏体的镍铬类双相不锈钢靶材。5.根据权利要求4所述电磁双重屏蔽膜的制备方法，其特征在于溅射靶为直径为60毫米的1Cr18Ni9Ti不锈钢材本文档来自技高网...

【技术保护点】
电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Ｆｅ：３０％～８５％，Ｃｒ：５％～５０％，Ｎｉ：１％～２０％，Ｔｉ：１～１０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董树荣，王德苗，任高潮，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]