半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Ｓｉ衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Ｓｉ衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Ｓｉ衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Ｓｉ衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Ｓｉ衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的涉及，特别涉及包括半导体芯片和具有电容器及通路(through via)的转接板(interposer)的半导体器件及其制造方法、电容器结构及其制造方法。
技术介绍
在个人电脑、便携式电话及其它移动设备领域中，电子装置随着功能的增多变得越来越复杂。为防止由于高频运行的大规模集成电路(LSI)中的开关噪声(switchingnoise)引发的故障，采用通过与电源并联连接吸收噪声的去耦电容器而减少源阻抗的方法。源阻抗Z表示为Z(P)∝V/(nif)，…(1)其中，V为电源电压，n为每LSI的元件数，i为元件的开关电流，f为驱动频率。由于LSI电压越来越低，元件集成度越来越高，以及频率越来越高，因此所需阻抗急剧下降。由以下公式给出去耦电容器的阻抗Z(C)Z(C)＝1/2， …(2)其中，R为电阻，L为电感，C为电容。为降低去耦电容器的阻抗，需要增加电容C和减少电感L。通常，围绕LSI设置多层陶瓷电容器作为去耦电容器。多层陶瓷电容器具有彼此交替堆叠的电极层和陶瓷介电层，并具有形成于其相应的侧表面上的一对表面电极，以使每个表面电极连接至每个其它相应的电极层。该多层陶瓷电容器可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括转接板和半导体芯片，该转接板包括：Ｓｉ衬底；多个通路，这些通路通过绝缘材料在穿过该Ｓｉ衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，其设置于该Ｓｉ衬底的第一主表面上，以使其电连接至所述通路；以及多个外部连接端子，其设置于该Ｓｉ衬底的第二主表面上，以使其电连接至所述通路，该第二主表面背对该第一主表面，该半导体芯片设置于该第一主表面或该第二主表面上，以使其电连接至所述通路，其特征在于：该Ｓｉ衬底的厚度小于所述通孔的直径。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：栗原和明，盐贺健司，约翰D巴尼基，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]