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本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Ｓｉ衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Ｓｉ衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Ｓｉ衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及...
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