一种粒状多晶硅输送系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种粒状多晶硅输送系统，包括多个依次连接的输送管，所述输送管包括可拆卸式连接的外管体和自磨组件；所述自磨组件包括内磨套以及连接于内磨套内侧的多个自磨板，所述内磨套安装于外管体内部，所述自磨板所在平面与内磨套轴线垂直。本实用新型专利技术能够减少粒状多晶硅产品中硅粉和氢的含量，提高产品质量，同时能够保证生产的连续性。同时能够保证生产的连续性。同时能够保证生产的连续性。

【技术实现步骤摘要】
一种粒状多晶硅输送系统


[0001]本技术属于多晶硅生产
，具体涉及一种粒状多晶硅输送系统。

技术介绍

[0002]顺应绿色和可持续发展的战略，太阳能光伏发电技术成为了当前电力生产的主要技术之一，多晶硅是光伏发电的主要原料之一。高纯多晶硅主要有改良西门子法和硅烷流化床法两种主流生产方法，改良西门子法以三氯氢硅生产高纯多晶硅，硅烷流化床法是以高纯度硅烷为原料，以流化床为反应场所，将籽晶从流化床顶部加入，硅烷在流化床内分解并沉积在籽晶上成长为粒状多晶硅，当粒状多晶硅长大到一定直径时，流化床内的气体无法使长大的粒状多晶硅在流化床内继续呈现流化状态，长大后的粒状多晶硅从流化床反应器底部排出流化床，得到粒状多晶硅产品。
[0003]流化床内的硅烷气有90%以上分解并沉积在籽晶表面形成粒状多晶硅，10%以下的硅烷气分解形成硅粉，由于粒状多晶硅表面具有较大的比表面积，部分硅粉被吸附在粒状多晶硅表面，导致粒状多晶硅产品硅粉含量较高，在下游直拉单晶或者铸锭应用时，使得硅受热熔化为液态的时间变长，同时部分粒状多晶硅表面的硅粉尘在颗粒硅加入直拉单晶炉或铸锭炉时被扬起，或者在直拉单晶炉或者铸锭炉抽真空置换空气时，部分硅粉被带起，飘散在单晶炉或铸锭炉中，从而附着在热场、水冷屏等内部构件上，对直拉单晶或者铸锭抽真空设备产生不利影响，抽真空置换空气带起的硅粉尘还容易导致拉单晶或铸锭设备腔体的污染，在后期掉入液态硅的表面，影响单晶产品或铸锭产品的质量或应发拉单晶等径生长过程断线或产生晶体缺陷，这种因硅粉在加料或抽真空置换过程中被带起，飘散在单晶炉或铸锭炉中，从而附着在热场、水冷屏等内部构件上的过程，通常被称之为挂灰。
[0004]此外，粒状多晶硅表面和粒状多晶硅表面的硅粉具有较大的比表面积，容易吸附微量氢气，同时粒状多晶硅表面还存在氢键，这些氢键通常被称为氢挂键，这部分氢键较难以脱除，粒状多晶硅表面吸附的微量氢气和粒状多晶硅表面存在的氢键在应用于直拉单晶时，在颗粒硅受到高温熔化或者受热时释放的氢气泡会推动颗粒硅跳出液态硅的液面，从而破坏直拉单晶时熔化的硅表面波动；另外，跃出的颗粒硅附着在水冷屏及其他热场材料上，容易在后期掉落进入液态硅中，污染硅液并导致拉单晶等径生长过程中断线或产生晶体缺陷，所述的颗粒硅受到高温熔化或者受热时释放氢气导致颗粒硅跳起通常被称为氢跳。
[0005]现有研究中考虑采用适应性的装置进行粒状多晶硅表面硅粉、氢键和微量氢气的脱除，但是采用单独的装置会影响生产的连续性。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种粒状多晶硅输送系统，能够减少粒状多晶硅产品中的硅粉和氢含量，提高产品质量，同时能够保证生产的连续性。
[0007]本技术提供了如下的技术方案：
[0008]一种粒状多晶硅输送系统，包括多个依次连接的输送管，所述输送管包括可拆卸式连接的外管体和自磨组件；
[0009]所述自磨组件包括内磨套以及连接于内磨套内侧的多个自磨板，所述内磨套安装于外管体内部，所述自磨板所在平面与内磨套轴线垂直。
[0010]进一步的，所述外管体和内磨套的横截面形状为圆形，所述自磨板的形状为半环形或环形。
[0011]进一步的，所述内磨套和自磨板为一体成型结构，所述内磨套的外壁设有至少一个滑块，所述滑块沿内磨套的轴线方向延伸，所述外管体的内壁设有与滑块相匹配的滑槽。
[0012]进一步的，所述滑块和滑槽的形状为等腰梯形，且梯形长边一侧靠近外管体。
[0013]进一步的，所述外管体的两端外边缘分别设有上法兰和下法兰，所述上法兰和下法兰上设有均匀分布的安装孔。
[0014]进一步的，还包括限位组件，所述限位组件包括拉手、与拉手连接的限位柱以及与限位柱连接的限位塞；所述拉手设于外管体外部，所述限位柱贯穿外管体设置，所述内磨套设有能够与限位塞卡合的限位槽，所述外管体设有容纳限位塞的储存腔；所述限位柱外部套有限位弹簧，所述限位弹簧的一端与拉手连接，另一端与外管体连接。
[0015]进一步的，多个所述输送管依次连接呈之字形。
[0016]进一步的，各输送管之间通过转接管连接，两端的输送管分别连接进料管和出料管。
[0017]进一步的，各输送管的轴线与水平面间的夹角为30
°
~70
°
。
[0018]进一步的，多个所述输送管依次连接呈直线。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0020]（1）采用本技术输送粒状多晶硅时，粒状多晶硅首先存积在自磨板上表面和内磨套形成的区域内，随后落下的粒状多晶硅与该区域内的粒状多晶硅相互摩擦后继续向下流动，一方面，避免了粒状多晶硅和内磨套直接摩擦，降低了将磨损的内磨套材料带入后面工序的风险，避免了粒状多晶硅被磨损的内磨套污染的风险，进一步提升了产品质量；另一方面，粒状多晶硅之间的相互摩擦能够将表面的硅粉、氢键和微量氢气脱除，从而减少粒状多晶硅产品中的硅粉和氢含量；
[0021]（2）本技术提供的粒状多晶硅输送系统可安装于粒状多晶硅生产装置的出料端，保证生产的连续性；
[0022]（3）本技术提供的粒状多晶硅输送系统，输送管的外管体和自磨组件可拆卸式连接，当自磨组件发生磨损后，可将其拆卸进行更换，不需整体更换输送管，节约成本。
附图说明
[0023]图1是本技术实施例1中粒状多晶硅输送系统的结构示意图；
[0024]图2是本技术实施例1中输送管的结构示意图；
[0025]图3是图2在A
‑
A方向的剖视图；
[0026]图4是图3中B局部的结构放大图；
[0027]图5是本技术实施例2中输送管的结构示意图；
[0028]图6是图5中限位组件的放大结构示意图；
[0029]图7是本技术实施例3中输送管的结构示意图；
[0030]图8是图7在C
‑
C方向的剖视图；
[0031]图9是本技术实施例3中粒状多晶硅输送系统的结构示意图；
[0032]图中标记为：1、外管体；2、内磨套；3、自磨板；4、下法兰；5、自磨组件；6、上法兰；7、限位组件；8、安装孔；9、滑块；10、拉手；11、限位柱；12、限位弹簧；13、限位塞；14、储存腔；15、进料管；16、输送管；17、转接管；18、出料管。
具体实施方式
[0033]下面结合附图对本技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0034]需要说明的是，在本技术的描述中，术语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图中所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术而不是要求本技术必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种粒状多晶硅输送系统，其特征在于，包括多个依次连接的输送管，所述输送管包括可拆卸式连接的外管体和自磨组件；所述自磨组件包括内磨套以及连接于内磨套内侧的多个自磨板，所述内磨套安装于外管体内部，所述自磨板所在平面与内磨套轴线垂直。2.根据权利要求1所述的粒状多晶硅输送系统，其特征在于，所述外管体和内磨套的横截面形状为圆形，所述自磨板的形状为半环形或环形。3.根据权利要求1所述的粒状多晶硅输送系统，其特征在于，所述内磨套和自磨板为一体成型结构，所述内磨套的外壁设有至少一个滑块，所述滑块沿内磨套的轴线方向延伸，所述外管体的内壁设有与滑块相匹配的滑槽。4.根据权利要求3所述的粒状多晶硅输送系统，其特征在于，所述滑块和滑槽的形状为等腰梯形，且梯形长边一侧靠近外管体。5.根据权利要求1所述的粒状多晶硅输送系统，其特征在于，所述外管体的两端外边缘分别设有上法兰和下法兰，所述上法兰和下法兰上设有均匀分布的安装孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰天石，陈其国，陈辉，李俊南，宋昊炜，
申请(专利权)人：江苏中能硅业科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：