一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚制造技术

技术编号:35387181 阅读:26 留言:0更新日期:2022-10-29 18:56
本实用新型专利技术公开了一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,涉及坩埚领域,本实用新型专利技术包括外层坩埚,外层坩埚的内部设置有内层坩埚,外层坩埚和内层坩埚之间设置有耐火填充层,外层坩埚的顶部四角均安装有螺杆,本实用新型专利技术通过将铸锭坩埚设为外层和内层,且外层坩埚和内层坩埚采用螺杆和螺母固定,且外层坩埚和内层坩埚之间设置有耐火填充层,耐火填充层起到定位内层坩埚和防止内层坩埚错位的作用,防止内层坩埚受热膨胀无法缓冲受到外层坩埚内壁挤压而开裂,当内层坩埚损坏后,工作人员转动旋转片,使得螺母转动,螺母转动与螺杆发生脱离,然后将内层坩埚从外层坩埚取出,实现了内层坩埚更换的工作,降低了使用成本。降低了使用成本。降低了使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚


[0001]本技术涉及坩埚领域,具体为一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚。

技术介绍

[0002]坩埚是化工、矿冶领域生产和科研经常使用的一种容器,用于矿物、金属或非金属的焙烧和熔炼,在冶金工业、单晶硅、材料加工等行业广泛应用。
[0003]坩埚使用后内壁会挂渣,因此需要对石墨坩埚内部进行清理,而长期清理会导致石墨坩埚内壁造成磨损,从而影响碳化硅晶体的制备,为此,需要直接将石墨坩埚整体进行更换,又由于整体更换则耗费使用成本,同时耗费能源,且目前生产所用的坩埚晶核形成慢,大小不均匀,导致多晶硅锭的生产速度慢,形貌差。

技术实现思路

[0004]基于此,本技术的目的是提供一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,以解决坩埚容易发生磨损,更换成本高以及晶核形成慢,大小不均匀的技术问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,包括外层坩埚,所述外层坩埚的内部设置有内层坩埚,所述内层坩埚的内部设置有隔板,所述外层坩埚和内层坩埚之间设置有耐火填充层,所述外层坩埚的顶部四角均安装有螺杆,所述内层坩埚的顶部四角均贯穿有通孔,且所述螺杆的一端延伸至通孔的内部并套接有螺母,所述外层坩埚的外表面开设有凹槽,所述外层坩埚的底部设置有支撑凸起部,所述内层坩埚和隔板内壁分别设置有弧形凸起部和不粘层。
[0006]进一步的,耐火填充层包括有耐火棉层,所述耐火棉层的底部设置有岩棉层,所述岩棉层的底部设置有玻璃纤维层。
[0007]通过采用上述技术方案,防止内层坩埚受热膨胀无法缓冲受到外层坩埚内壁挤压而开裂。
[0008]进一步的,所述不粘层为石墨材料制作而成,所述不粘层的厚度为5~20mm。
[0009]通过采用上述技术方案,石墨材料与焙烧、熔炼金属矿物不发生反应,不粘埚,耐温性好,减少了对坩埚的清理次数和清理时间,避免长期清理会导致坩埚内壁造成磨损的情况。
[0010]进一步的,所述螺母设置有四组,且四组所述螺母的两侧均设置有旋转片。
[0011]通过采用上述技术方案,工作人员通过旋转片能够便于转动螺母。
[0012]进一步的,所述隔板设置有两组,且两组所述隔板呈十字交叉分布,隔板与内层坩埚拆卸设置。
[0013]通过采用上述技术方案,提高了多晶硅锭的成型速度。
[0014]进一步的,所述支撑凸起部设置有多组,且多组所述支撑凸起部为从下至上横切面逐渐变小的结构。
[0015]通过采用上述技术方案,使支撑凸起部的底部通过点接触和热辐射吸收足够的热
量,传递至外层坩埚的底部时形成较小的过热点,使该点温度高于周边温度,其周边形成相对冷点,同时相对冷点均匀分布,使内层坩埚内能均匀成核。
[0016]综上所述,本技术主要具有以下有益效果:
[0017]1、本技术通过设置有不粘层,不粘层为石墨材料制作而成,石墨材料与焙烧、熔炼金属矿物不发生反应,不粘埚,耐温性好,减少了对坩埚的清理次数和清理时间,避免长期清理会导致坩埚内壁造成磨损的情况,可有效延长坩埚使用寿命,达到防粘料的效果,大大提高生产,具有显著的经济效益和社会效益,可广泛用于冶金行业的金属熔炼、矿物渣料焙烧熔分等实验和生产;
[0018]2、本技术通过将铸锭坩埚设为外层和内层,且外层坩埚和内层坩埚采用螺杆和螺母固定,且外层坩埚和内层坩埚之间设置有耐火填充层,耐火填充层起到定位内层坩埚和防止内层坩埚错位的作用,防止内层坩埚受热膨胀无法缓冲受到外层坩埚内壁挤压而开裂,当内层坩埚损坏后,工作人员转动旋转片,使得螺母转动,螺母转动与螺杆发生脱离,然后将内层坩埚从外层坩埚取出,实现了内层坩埚更换的工作,同时使外层坩埚起到重复使用的作用,节约了能源,降低了使用成本;
[0019]3、本技术的外层坩埚外表面开设有凹槽,凹槽增加了外层坩埚的表面面积,使晶体炉的热量向坩埚内层均匀传递,内层坩埚的内部设置有隔板,通过设置隔板将坩埚分隔成多个结晶区间,提高多晶硅锭的生产速度,通过设置有弧形凸起部能够引导多晶硅在内层坩埚及隔板的壁面上生长大小均匀的小晶粒,保证多晶硅均匀快速地生长,外层坩埚的底部设置有支撑凸起部,支撑凸起部增强了外层坩埚该点处的导热性,进而使得该位置处的温度高于周边温度,其周边形成均匀分布的相对冷点,使内层坩埚的内部可均匀成核,提高了晶核形成的速度。
附图说明
[0020]图1为本技术的结构示意图;
[0021]图2为本技术的内层坩埚剖面结构示意图;
[0022]图3为本技术的耐火填充层结构示意图;
[0023]图4为本技术的图1中A处放大结构示意图。
[0024]图中:1、外层坩埚;2、内层坩埚;3、隔板;4、凹槽;5、不粘层;6、支撑凸起部;7、通孔;8、螺杆;9、螺母;10、旋转片;11、耐火填充层;1101、耐火棉层;1102、岩棉层;1103、玻璃纤维层;12、弧形凸起部。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。
[0026]下面根据本技术的整体结构,对其实施例进行说明。
[0027]一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,如图1

4所示,包括外层坩埚1,外层坩埚1的内部设置有内层坩埚2,内层坩埚2的内部设置有隔板3,外层坩埚1和内层坩埚2之间设置有耐火填充层11,耐火填充层11包括有耐火棉层1101,耐火棉层1101的底部设置有岩棉层
1102,岩棉层1102的底部设置有玻璃纤维层1103,防止内层坩埚2受热膨胀无法缓冲受到外层坩埚1内壁挤压而开裂,外层坩埚1的顶部四角均安装有螺杆8,内层坩埚2的顶部四角均贯穿有通孔7,且螺杆8的一端延伸至通孔7的内部并套接有螺母9,外层坩埚1的外表面开设有凹槽4,外层坩埚1的底部设置有支撑凸起部6,内层坩埚2和隔板3内壁分别设置有弧形凸起部12和不粘层5,不粘层5为石墨材料制作而成,不粘层5的厚度为5~20mm,石墨材料与焙烧、熔炼金属矿物不发生反应,不粘埚,耐温性好,减少了对坩埚的清理次数和清理时间,避免长期清理会导致坩埚内壁造成磨损的情况。
[0028]参阅图1、图2和图4,螺母9设置有四组,且四组螺母9的两侧均设置有旋转片10,工作人员通过旋转片10能够便于转动螺母9。
[0029]参阅图1,隔板3设置有两组,且两组隔板3呈十字交叉分布,隔板3与内层坩埚2拆卸设置,隔板3提高了多晶硅锭的成型速度。
[0030]参阅图2,支撑凸起部6设置有多组,且多组支撑凸起部6为从下至上横切面逐渐变小的结构,使支撑凸起部6的底部通过点接触和热辐射吸收足够的热量,传递至外层坩埚的底部时形成较小的过热点,使该点温度高于周边温度,其周边形成相对冷点,同时相对本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,包括外层坩埚(1),其特征在于:所述外层坩埚(1)的内部设置有内层坩埚(2),所述内层坩埚(2)的内部设置有隔板(3),所述外层坩埚(1)和内层坩埚(2)之间设置有耐火填充层(11),所述外层坩埚(1)的顶部四角均安装有螺杆(8),所述内层坩埚(2)的顶部四角均贯穿有通孔(7),且所述螺杆(8)的一端延伸至通孔(7)的内部并套接有螺母(9),所述外层坩埚(1)的外表面开设有凹槽(4),所述外层坩埚(1)的底部设置有支撑凸起部(6),所述内层坩埚(2)和隔板(3)内壁分别设置有弧形凸起部(12)和不粘层(5)。2.根据权利要求1所述的一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,其特征在于:耐火填充层(11)包括有耐火棉层(1101),所述耐火棉层(1101)的底部设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷成贵
申请(专利权)人:江苏圣亚有色金属材料有限公司
类型:新型
国别省市:

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