一种半导体电路及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体电路及其制备方法，其中，所述半导体电路的制备方法包括以下步骤：S1、将金属基板放置到载具；S2、将多个元器件分别贴装至所述金属基板；S3、将引线框架放置到所述金属基板；S4、将所述金属基板连同所述载具放入回流炉进行焊接；S5、对焊接后的所述金属基板进行清洗；S6、对所述金属基板及多个所述元器件进行绑定线；S7、对部分所述绑定金属线进行拉力测试；S8、对多个所述元器件的表面分别进行点胶；S9、对所述金属基板进行等离子轰击清洗；S10、对所述金属基板进行塑封。本发明专利技术的半导体电路的制备方法可以避免大功率等离子轰击清洗时导致元器件损伤的情况，以提升半导体电路的成品率。以提升半导体电路的成品率。以提升半导体电路的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体电路及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种半导体电路及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体电路即模块化智能功率系统MIPS(Module Intelligent Power System)，其不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路，并且可将检测信号送到CPU或DSP作中断处理，主要由高速低工耗的管芯和优化的门级驱动电路以及快速保护电路构成，即使发生负载事故或使用不当，也可以使其自身不受损坏。
[0003]现有的半导体电路在制备方法依次包括元器件贴装、引脚安装、回流焊接、第一次清洗、金属线绑定、第二次清洗以及塑封等，其中，第二次清洗一般使用等离子轰击物理清洗，而为了提升其清洗效果，一般都会使用大功率等离子轰击清洗，这容易导致元器件在等离子轰击时造成损伤，致使半导体电路无法使用。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种功率模组，以解决现有半导体电路制备时，采用大功率等离子轰击清洗导致元器件损伤的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体电路的制备方法，其包括以下步骤：
[0006]S1、将金属基板放置到载具上；
[0007]S2、将多个元器件分别贴装至所述金属基板对应的元器件安装位；
[0008]S3、将引线框架放置到所述金属基板对应的焊接位，以在所述金属基板上形成引脚；
[0009]S4、将放置引线框架后的所述金属基板连同所述载具一起放入回流炉进行焊接，以使多个所述元器件分别焊接固定在所述金属基板的元器件安装位；
[0010]S5、对焊接后的所述金属基板进行清洗，以去除所述金属基板上的阻焊剂和铝屑；
[0011]S6、通过半导体设备对所述金属基板及其元器件安装位上的多个所述元器件进行绑定线，以使多个所述元器件分别通过绑定的多个绑定金属线与所述金属基板上的电路布线层形成电连接；
[0012]S7、通过所述半导体设备对多个所述元器件的表面分别进行点胶，以在多个所述元器件的表面分别形成保护层；
[0013]S8、通过所述半导体设备对点胶后的所述金属基板进行等离子轰击清洗；
[0014]S9、通过所述半导体设备对等离子轰击清洗后的所述金属基板进行塑封，以在所述金属基板上形成塑封层。
[0015]优选的，所述步骤S2中，多个所述元器件通过在所述金属基板对应的元器件安装位上刷锡膏或点银胶的方式贴装至所述金属基板。
[0016]优选的，多个所述元器件包括半导体逆变电路芯片、电容、电阻以及元器件半成
品。
[0017]优选的，所述元器件半成品的制备方法为：将高压功率器件贴装至表面镀银的散热铜片，以形成所述元器件半成品。
[0018]优选的，所述步骤S4之后,所述步骤S5之前还包括步骤:对多个所述元器件的焊接质量进行检测。
[0019]优选的，所述步骤S5中，清洗的方式为喷淋清洗或超声清洗。
[0020]优选的，所述半导体设备包括机架、设置于所述机架的工作台上的轨道、设置于所述机架内且位于所述轨道上方的导轨、依次滑动设置于所述导轨上的绑线装置、拉力测试装置、第一机械臂、点胶装置和第二机械臂、设置于所述机架的工作台上的等离子清洗装置以及铰接于所述机架一侧的观察门。
[0021]优选的，所述步骤S9完成后还包括步骤：对塑封后的所述金属基板依次进行激光打标、后固化处理、引脚切除以及电参数测试。
[0022]优选的，所述步骤S6之后，所述步骤S7之前还包括步骤：通过所述半导体设备对所述绑定金属线进行拉力测试。
[0023]本专利技术还提供了一种半导体电路，所述半导体电路由上述的半导体电路的制备方法制成。
[0024]与现有技术比较，本专利技术中半导体电路的制备方法通过进行等离子轰击清洗前，采用点胶的方式在元器件的表面形成保护层，从而可以通过保护层避免大功率等离子轰击清洗时导致元器件损伤的情况，以提升半导体电路的成品率。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的一种半导体电路的制备方法的步骤流程图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的一种半导体电路的制备方法中半导体设备的正视图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的一种半导体电路的制备方法中半导体设备的俯视图；
[0029]图4为本专利技术实施例提供的一种半导体电路的制备方法中半导体设备的侧视图；
[0030]图5为本专利技术实施例提供的一种半导体电路的制备方法中半导体设备的立体图；
[0031]图6为本专利技术实施例提供的一种半导体电路的制备方法中点胶完成后的成品图。
[0032]1、金属基板；2、元器件；3、绑定金属线；4、保护层；5、机架；6、轨道；7、导轨；8、绑线装置；9、拉力测试装置；10、第一机械臂；11、点胶装置；12、第二机械臂；13、等离子清洗装置；14、观察门；15、半导体电路半成品。
具体实施方式
[0033]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范
围。
[0034]本专利技术实施例提供了一种半导体电路的制备方法，结合图1至图6所示，其包括以下步骤：
[0035]S1、将金属基板放置到载具上。
[0036]其中，所述金属基板1通过自动化设备或人工手动放置到所述载具上；所述载具由铝、合晶石、陶瓷以及PPS等耐高温200℃的材料制成。
[0037]S2、将多个元器件分别贴装至所述金属基板对应的元器件安装位。
[0038]其中，多个所述元器件2包括半导体逆变电路芯片、电容、电阻以及元器件半成品等。
[0039]半导体逆变电路芯片通过自动粘晶设备(DA)贴装至所述金属基板1；所述电容、所述电阻以及所述元器件半成品通过自动贴片SMT设备贴装至所述金属基板1。
[0040]本实施例中，所述元器件半成品的制备方法为：通过软焊料固晶机将高压功率器件贴装至表面镀银的散热铜片，以形成所述元器件半成品。
[0041]本实施例中，所述步骤S2中，多个所述元器件2通过在所述金属基板1对应的元器件2安装位上刷锡膏或点银胶的方式贴装至所述金属基板1。
[0042]S3、将引线框架放置到所述金属基板对应的焊接位。
[0043]其中，引线框架通过机械手或人工放置到所述金属基板1，以在所述金属基板1上形成引脚。
[0044]S4、将放置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路的制备方法，其特征在于，所述半导体电路的制备方法包括以下步骤：S1、将金属基板放置到载具上；S2、将多个元器件分别贴装至所述金属基板对应的元器件安装位；S3、将引线框架放置到所述金属基板对应的焊接位，以在所述金属基板上形成引脚；S4、将放置引线框架后的所述金属基板连同所述载具一起放入回流炉进行焊接，以使多个所述元器件分别焊接固定在所述金属基板的元器件安装位；S5、对焊接后的所述金属基板进行清洗，以去除所述金属基板上的阻焊剂和铝屑；S6、通过半导体设备对所述金属基板及其元器件安装位上的多个所述元器件进行绑定线，以使多个所述元器件分别通过绑定的多个绑定金属线与所述金属基板上的电路布线层形成电连接；S7、通过所述半导体设备对多个所述元器件的表面分别进行点胶，以在多个所述元器件的表面分别形成保护层；S8、通过所述半导体设备对点胶后的所述金属基板进行等离子轰击清洗；S9、通过所述半导体设备对等离子轰击清洗后的所述金属基板进行塑封，以在所述金属基板上形成塑封层。2.如权利要求1所述的半导体电路的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，多个所述元器件通过在所述金属基板对应的元器件安装位上刷锡膏或点银胶的方式贴装至所述金属基板。3.如权利要求1所述的半导体电路的制备方法，其特征在于，多个所述元器件包括半导体逆变电路芯片、电容、电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，黄浩，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：