蚀刻机台及其控制方法技术

技术编号:37239345 阅读:11 留言:0更新日期:2023-04-20 23:20
本公开实施例公开了一种蚀刻机台的控制方法及蚀刻机台,所述控制方法包括:将测试晶圆投入所述蚀刻机台的酸槽盛装的蚀刻液中进行第一蚀刻处理,以激活所述蚀刻液;利用所述蚀刻机台的检测模块对所述第一蚀刻处理过程中的所述测试晶圆进行蚀刻参数检测,得到第一检测结果;根据所述第一检测结果,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功;确定所述蚀刻液的激活成功时,将产品晶圆投入所述蚀刻液中进行第二蚀刻处理。投入所述蚀刻液中进行第二蚀刻处理。投入所述蚀刻液中进行第二蚀刻处理。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻机台及其控制方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
,尤其涉及一种蚀刻机台及其控制方法。

技术介绍

[0002]湿法蚀刻是一种利用化学液对晶圆进行化学腐蚀,从而在晶圆上形成图案或者将晶圆减薄的半导体制作工艺。为了达到较高的蚀刻速率和蚀刻选择比,湿法蚀刻所采用的蚀刻液会由多种化学液混合而成,蚀刻液与晶圆发生的化学反应也较为复杂。通常新配的蚀刻液在第一次执行产品晶圆之前,需要对新配的蚀刻液进行激活,以获得较高的蚀刻速率和蚀刻选择比。在实际的湿法蚀刻制程中,激活过程会伴随着晶圆转移、检测等工序,在一定程度上会降低湿法蚀刻机台的产能。如何实现高效的激活成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]根据本公开实施例的第一方面,提供一种蚀刻机台的控制方法,包括:
[0004]将测试晶圆投入所述蚀刻机台的酸槽盛装的蚀刻液中进行第一蚀刻处理,以激活所述蚀刻液;
[0005]利用所述蚀刻机台的检测模块对所述第一蚀刻处理过程中的所述测试晶圆进行蚀刻参数检测,得到第一检测结果;
[0006]根据所述第一检测结果,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功;
[0007]确定所述蚀刻液的激活成功时,将产品晶圆投入所述蚀刻液中进行第二蚀刻处理。
[0008]在一些实施例中,所述根据所述第一检测结果,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功,包括:
[0009]根据所述第一检测结果,确定所述测试晶圆的蚀刻程度;
[0010]根据所述蚀刻程度,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功。
[0011]在一些实施例中,所述方法还包括:
[0012]若所述蚀刻程度大于或者等于预设值,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活成功。
[0013]在一些实施例中,所述利用所述检测模块对所述第一蚀刻处理过程中的所述测试晶圆进行蚀刻参数检测,包括:
[0014]利用所述检测模块对所述第一蚀刻处理过程中所述测试晶圆进行多次重量检测;
[0015]或者,
[0016]利用所述检测模块对进行所述第一蚀刻处理过程中所述测试晶圆的进行多次光学厚度检测。
[0017]在一些实施例中,所述方法还包括:
[0018]确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活不成功时,在所述蚀刻液中继续对所述测试晶圆进行第三蚀刻处理。
[0019]在一些实施例中,所述方法还包括:
[0020]利用所述检测模块对进行所述第三蚀刻处理的测试晶圆进行蚀刻参数检测,得到第二检测结果;
[0021]根据所述第二检测结果,确定进行所述第三蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功;
[0022]确定进行所述第三蚀刻处理后的所述蚀刻液激活不成功,更换所述酸槽中的所述蚀刻液。
[0023]在一些实施例中,所述方法还包括:
[0024]在所述蚀刻机台的显示模块上显示所述蚀刻液是否激活成功的信息。
[0025]在一些实施例中,所述蚀刻机台用于实现对所述产品晶圆的减薄。
[0026]根据本公开实施例的第二方面,提供一种蚀刻机台,包括:一个或多个酸槽、检测模块、机械臂及控制器;其中,
[0027]所述酸槽用于盛放蚀刻液;
[0028]所述检测模块用于测量在所述蚀刻液中进行蚀刻的相关晶圆的蚀刻参数检测;
[0029]所述控制器,与所述机械臂和所述检测模块连接,用于控制所述机械臂将测试晶圆投入所述蚀刻机台的酸槽盛装的蚀刻液中进行第一蚀刻处理,以激活所述蚀刻液;控制所述检测模块对进行所述第一蚀刻处理的所述测试晶圆进行蚀刻参数检测,得到第一检测结果;根据所述第一检测结果,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功;确定所述蚀刻液的激活成功时,控制所述机械臂将产品晶圆投入所述蚀刻液中进行第二蚀刻处理。
[0030]在一些实施例中,所述检测模块包括重量检测器件或者光学厚度检测器件。
[0031]本公开实施例在蚀刻机台中设置检测模块,使用测试晶圆对酸槽中的蚀刻液进行第一蚀刻处理以激活蚀刻液,利用检测模块对第一蚀刻处理过程中的测试晶圆进行蚀刻参数检测得到第一检测结果,根据第一检测结果确定第一蚀刻处理后的蚀刻液的激活是否成功,确定蚀刻液激活成功后,将产品晶圆投入蚀刻液中进行第二蚀刻处理。一方面,本公开实施例在产品晶圆进行第二蚀刻处理之前,利用测试晶圆激活蚀刻液,使得蚀刻液满足第二蚀刻处理的蚀刻速率或者蚀刻选择比,提高产品晶圆的制作效率和制作良率。另一方面,本公开实施例将检测模块集成在机台内,可实现激活以及蚀刻参数检测在一个蚀刻机台内的自动化整合,避免将测试晶圆从机台取出检测而导致蚀刻液暴露的问题,减少测试晶圆在不同机台间的传片时间,减少传片时间过长导致测试晶圆被氧化或者污染而引起的检测误差,提高测试晶圆检测效率和检测精度,进而提高激活效果和机台产能。
附图说明
[0032]图1是根据本公开实施例示出的一种蚀刻机台的结构块图;
[0033]图2是根据本公开实施例示出的一种蚀刻机台的控制方法的示意图;
[0034]图3a至图3e是根据本公开实施例示出的一种应用蚀刻机台的半导体结构的制作方法的示意图。
具体实施方式
[0035]以下结合说明书附图及具体实施例对本公开的技术方案做进一步的详细阐述。
[0036]在本公开实施例中,术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。
[0037]在本公开实施例中,术语“A与B接触”包含A与B直接接触的情形,或者A、B两者之间还间插有其它部件而A间接地与B接触的情形。
[0038]在本公开实施例中,术语“层”是指包括具有厚度的区域的材料部分。层可以在下方或上方结构的整体之上延伸,或者可以具有小于下方或上方结构范围的范围。此外,层可以是厚度小于连续结构厚度的均质或非均质连续结构的区域。例如,层可位于连续结构的顶表面和底表面之间,或者层可在连续结构顶表面和底表面处的任何水平面对之间。层可以水平、垂直和/或沿倾斜表面延伸。并且,层可以包括多个子层。
[0039]可以理解的是,本公开中的“在
……
上”、“在
……
之上”和“在
……
上方”的含义应当以最宽方式被解读,以使得“在
……
上”不仅表示其“在”某物“上”且其间没有居间特征或层(即直接在某物上)的含义,而且还包括“在”某物“上”且其间有居间特征或层的含义。
[0040]需要说明的是,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其它实施方式。
[0041]在半导体芯片制造过程中,相较于各向非同异性的干法等离子体蚀刻,湿法蚀刻具本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻机台的控制方法,其特征在于,包括:将测试晶圆投入所述蚀刻机台的酸槽盛装的蚀刻液中进行第一蚀刻处理,以激活所述蚀刻液;利用所述蚀刻机台的检测模块对所述第一蚀刻处理过程中的所述测试晶圆进行蚀刻参数检测,得到第一检测结果;根据所述第一检测结果,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功;确定所述蚀刻液的激活成功时,将产品晶圆投入所述蚀刻液中进行第二蚀刻处理。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一检测结果,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功,包括:根据所述第一检测结果,确定所述测试晶圆的蚀刻程度;根据所述蚀刻程度,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活是否成功。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:若所述蚀刻程度大于或者等于预设值,确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活成功。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述检测模块对所述第一蚀刻处理过程中的所述测试晶圆进行蚀刻参数检测,包括:利用所述检测模块对所述第一蚀刻处理过程中所述测试晶圆进行多次重量检测;或者,利用所述检测模块对进行所述第一蚀刻处理过程中所述测试晶圆的进行多次光学厚度检测。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:确定进行所述第一蚀刻处理后的所述蚀刻液的激活不成功时,在所述蚀刻液中继续对所述测试晶圆进行第三蚀刻处...

【专利技术属性】
技术研发人员:程曲汪松谢冬王逸群
申请(专利权)人:湖北江城芯片中试服务有限公司
类型:发明
国别省市:

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