一种LED芯粒刻蚀方法技术

本发明专利技术公开一种LED芯粒刻蚀方法，按照预设腔体制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设腔体制程温度小于0℃；使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品，通过降低腔体制程温度以及将刻蚀后的吹扫气体改为氮气，能够降低刻蚀速率，提高刻蚀稳定性，从而提高刻蚀均匀性，使得片源的金属刻蚀深度处于所设定的区间内，不会出现区域过蚀刻，避免底层金属裸露与后续制程过程中的液体接触而造成金属氧化，防止了刻蚀后裸露的金属氧化。金属氧化。金属氧化。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯粒刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，尤其涉及一种LED芯粒刻蚀方法。

技术介绍

[0002]刻蚀，是指在光刻工艺中，将想要的图形留在硅片上，实现图形转移工艺的步骤。在刻蚀过程中，有图形的光刻胶层(或掩膜层)将不受到腐蚀源的腐蚀或刻蚀，以此来保护硅片上所需要的区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性地刻蚀掉。现阶段，在对金属开孔有2种方法：湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法蚀刻腐蚀金属表面膜层，但腐蚀后溶液会与金属接触，导致侵蚀氧化；干法蚀刻通过物理轰击或化学反应，去除金属上面的膜层，从而开出金属孔。但现因PV膜层下是Ag(银)金属，即活泼金属，在对其刻蚀会造成金属氧化，且刻蚀均匀性达不到工艺要求，片源表面会同时出现过刻蚀与刻蚀不净现象。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种LED芯粒刻蚀方法，能够提高刻蚀均匀性。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：
[0005]一种LED芯粒刻蚀方法，包括步骤：
[0006]按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设制程温度小于0℃；
[0007]使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品。
[0008]本专利技术的有益效果在于：按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，预设制程温度小于0℃，使用氮气对最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品，通过降低腔体制程温度以及将刻蚀后的吹扫气体改为氮气，能够降低刻蚀速率，提高刻蚀稳定性，从而提高刻蚀均匀性，使得片源的金属刻蚀深度处于所设定的区间内，不会出现区域过蚀刻，避免底层金属裸露与后续制程过程中的液体接触而造成金属氧化，防止了刻蚀后裸露的金属氧化。
附图说明
[0009]图1为本专利技术实施例的一种LED芯粒刻蚀方法的步骤流程图；
[0010]图2为本专利技术实施例的一种LED芯粒刻蚀方法的正常芯粒和异常芯粒对比图。
具体实施方式
[0011]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0012]请参照图1，本专利技术实施例提供了一种LED芯粒刻蚀方法，包括步骤：
[0013]按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设制程温度
小于0℃；
[0014]使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品。
[0015]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，预设制程温度小于0℃，使用氮气对最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品，通过降低腔体制程温度以及将刻蚀后的吹扫气体改为氮气，能够降低刻蚀速率，提高刻蚀稳定性，从而提高刻蚀均匀性，使得片源的金属刻蚀深度处于所设定的区间内，不会出现区域过蚀刻，避免底层金属裸露与后续制程过程中的液体接触而造成金属氧化，防止了刻蚀后裸露的金属氧化。
[0016]进一步地，所述预设制程温度为
‑
5～
‑
10℃。
[0017]由上述描述可知，将预设制程温度设置为
‑
5～
‑
10℃，能够在实现有效刻蚀的同时，稳定刻蚀速率，提高了刻蚀的均匀性。
[0018]进一步地，所述按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒包括：
[0019]按照的刻蚀速率和预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒。
[0020]由上述描述可知，按照的刻蚀速率进行刻蚀能够使得片源的刻蚀均匀性达到需求，提高了刻蚀的均匀性和稳定性。
[0021]进一步地，所述按照的刻蚀速率和预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒包括：
[0022]按照预设制程温度对芯粒的PV膜层进行刻蚀，得到第一刻蚀后的芯粒；
[0023]对所述第一刻蚀后的芯粒的第一镍钒或钛钨金属层进行刻蚀，得到第二刻蚀后的芯粒；
[0024]按照第一上电极功率和第一下电极功率对所述第二刻蚀后的芯粒的第二镍钒或钛钨金属层进行刻蚀，得到第三刻蚀后的芯粒；
[0025]按照第二上电极功率和第二下电极功率对所述第三刻蚀后的芯粒的残留金属进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒。
[0026]由上述描述可知，通过对芯粒进行4步的层层刻蚀，确保芯粒刻蚀干净。
[0027]进一步地，所述第一上电极功率为330～440W，所述第一下电极功率为150～260W。
[0028]由上述描述可知，以此保证刻蚀芯粒的镍钒或钛钨金属层时，能够将需刻蚀的金属刻蚀干净，以实现的刻蚀速率，提高刻蚀均匀性。
[0029]进一步地，所述第二上电极功率为230～340W，所述第二下电极功率为120～220W。
[0030]由上述描述可知，通过小功率刻蚀，确保片源刻蚀的均匀性，使得刻蚀速率保持在从而能够将片源表面金属刻蚀干净。
[0031]进一步地，所述使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品包括：
[0032]按照500～1000sccm的流量使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品。
[0033]由上述描述可知，使用氮气吹扫，能够有效避免芯粒中的银金属与氧气接触发生氧化，从而改善了刻蚀后外观。
[0034]本专利技术上述的一种LED芯粒刻蚀方法能够适用于需要对LED芯粒进行干法刻蚀的
场景，以下通过具体实施方式进行说明：
[0035]实施例一
[0036]请参照图1和图2，本实施例的一种LED芯粒刻蚀方法，包括步骤：
[0037]S1、按照预设制程温度(Chiller温度)对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设制程温度小于0℃；
[0038]具体的，按照的刻蚀速率和预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，具体包括：
[0039]S11、按照预设制程温度对芯粒的PV膜层进行刻蚀，得到第一刻蚀后的芯粒；
[0040]其中，所述预设制程温度为
‑
5～
‑
10℃。
[0041]在一种可选的实施方式中，按照
‑
5℃的制程温度对芯粒的PV膜层进行刻蚀，得到第一刻蚀后的芯粒。
[0042]在另一种可选的实施方式中，按照
‑
7℃的制程温度对芯粒的PV膜层进行刻蚀，得到第一刻蚀后的芯粒。
[0043]在另一种可选的实施方式中，按照
‑
10℃的制程温度对芯粒的PV膜层进行刻蚀，得到第一刻蚀后的芯粒。
[0044]通过降低Chiller温度以此能够帮助稳定chamber温度(腔体温度)，进而提高刻蚀均匀性。
[0045]S12、对所述第一刻蚀后的芯粒的第一镍钒或钛钨金属层进行刻蚀，得到第二刻蚀后的芯粒；
[0046]S13、按照第一上电极功率和第一下电极功率对所述第二刻蚀后的芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯粒刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设制程温度小于0℃；使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品。2.根据权利要求1所述的一种LED芯粒刻蚀方法，其特征在于，所述预设制程温度为
‑
5～
‑
10℃。3.根据权利要求1所述的一种LED芯粒刻蚀方法，其特征在于，所述按照预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒包括：按照的刻蚀速率和预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒。4.根据权利要求3所述的一种LED芯粒刻蚀方法，其特征在于，所述按照的刻蚀速率和预设制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒包括：按照预设制程温度对芯粒的PV膜层进行刻蚀，得到第一刻蚀后的芯粒；对所述第一刻蚀后的芯粒的第一镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁日彬，林武，钟伟华，李慧敏，李景浩，蔡武，李家昌，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：