一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置，涉及太阳能电池设备技术领域，包括机架，所述机架上沿物料输送方向依次设置有上料台、刻蚀槽、水洗槽一、碱洗槽、水洗槽二、酸洗槽、水洗槽三、烘干槽、下料台；其特征在于：所述刻蚀槽内顶部位置并排滚动设置有滚轮，所述刻蚀槽侧壁上对应滚轮两端位置设置有支架模组，所述支架模组包括用于固定滚轮的内支架、外支架，所述滚轮，所述内支架底部沿输送方向开设有截面为U型的凹陷通槽部，具有凹陷结构设计的背抛清洗装置，其吸附聚集反应气泡能力下降，气泡聚集量减少，气泡释放频率增加，液面波动面积减小。液面波动面积减小。液面波动面积减小。

【技术实现步骤摘要】
一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置


[0001]本技术涉及太阳能电池设备
，尤其涉及一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置。

技术介绍

[0002]目前光伏行业单晶刻蚀工序使用的RENA InOxSide NIAK2机型由于使用的是链式酸抛光清洗设备，采用是支架固定，水平传输化学品酸腐蚀背抛工艺，目前使用支架装置达不到工艺品质要求和良率提升要求。
[0003]清洗制程链式传输化学品酸腐蚀背抛工艺清洗硅片，刻蚀酸腐蚀背抛工艺清洗硅片时，当前刻蚀药液由于化学反应，自身会产生气泡释放，并且容易吸附于传输滚轮与内支架之间，由于长时间积存不能及时释放，造成反应积存气泡不断融合重组成大气泡，当大气泡超出吸附力度后会加剧释放力度，造成药液循环液面突然波动；其主要原因为：1)原刻蚀槽内支架为正规长方体常规结构支架，此支架容易吸附聚集刻蚀药液反应气泡，且气泡不易释放；2)由于支架距离传输硅片边距仅有10MM，气泡汇聚释放后产生的波动面积＞10MM，液面波动会波及硅片上表面，造成大块翻液；3)刻蚀效果差，直接影响翻液过刻指标，且不易调整改善。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置，在设备原有面貌下，通过对刻蚀槽滚轮内支架的结构更改，气泡聚集融合的大小和位置进行改变，满足链式化学品酸腐蚀背抛工艺清洗模式，能够有效的完成药液反应气泡排放，通过背抛气泡排放满足工艺制程需求。
[0005]为了实现以上目的，本技术采用了以下技术方案：
[0006]一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置，包括机架，所述机架上沿物料输送方向依次设置有上料台、刻蚀槽、水洗槽一、碱洗槽、水洗槽二、酸洗槽、水洗槽三、烘干槽、下料台；所述刻蚀槽内顶部位置并排滚动设置有滚轮，所述刻蚀槽侧壁上对应滚轮两端位置设置有支架模组，所述支架模组包括用于固定滚轮的内支架、外支架，所述内支架底部沿输送方向开设有截面为U型的凹陷通槽部。
[0007]为了进一步优化本技术，可优选选用以下技术方案：
[0008]优选的，所述凹陷通槽部的深度为10mm，凹陷通槽部的宽度为20mm。
[0009]优选的，所述凹陷通槽部距离内支架下端面距离为10mm。
[0010]优选的，所述内支架为PVDF内支架，所述PVDF内支架通过PVDF内支架锁紧螺丝、PVDF内支架固定垫片设置在刻蚀槽侧壁上。
[0011]优选的，所述内支架安装位置处于刻蚀槽槽体内部内壁之上，有多个呈对称直线排列模式安装。
[0012]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0013]1、原有内支架由PVDF材质板材进行加工固定，长度：575MM，宽度：60MM，厚度：20MM的板材加工而成，每根支架12个滚轮制成孔，且与滚轮横截面接触。该结构容易吸附反应气泡，并且气泡释放后液面波动面积大于硅片与支架传输距离，容易造成过刻翻液，无法满足产品质量良率提升目的。本方案将原有平面长方体内支架，在整体长度、宽度、厚度尺寸不变的状态下，在内支架距离底部10MM位置，向上开出宽度20MM，深度10MM，长度575MM贯穿整个支架的凹陷结构，此凹陷结构,使其内部凹陷部位边沿与正常传输硅片的距离由原来的10MM增加到20MM，吸附气泡聚集缩减至原有气泡的1/2大小，气泡释放后液面波动范围缩减到5MM2左右，使其聚集气泡释放后造成的液面波动不会波及正常传输硅片的正面，保证了硅片运行的稳定性及良率提升。
[0014]2、新型凹陷改善支架与原有平面长方体支架相比较，新型凹陷支架结构不存在形变，与原有支架使用周期一样。新型凹陷结构吸附聚集反应气泡能力下降，气泡聚集量减少，气泡释放频率增加，液面波动面积减小，整体良率明显提升。
附图说明
[0015]图1是链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置的整体结构示意图；
[0016]图2为支架模组的结构示意图；
[0017]图3为内支架的结构示意图。
[0018]1‑
机架，2
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上料台，3
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刻蚀槽，4
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水洗槽一，5
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碱洗槽，6
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水洗槽二，7
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酸洗槽，8
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水洗槽三，9
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烘干槽，10
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下料台，11
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支架模组，12
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内支架，13
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凹陷通槽部，14
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内支架锁紧螺丝，15
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内支架固定垫片，16
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滚轮。
具体实施方式
[0019]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0020]实施例1：
[0021]实施例1：
[0022]一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置，包括机架1，机架上沿物料输送方向依次设置有上料台2、刻蚀槽3、水洗槽一4、碱洗槽5、水洗槽二6、酸洗槽7、水洗槽三8、烘干槽9、下料台10；刻蚀槽内顶部位置并排滚动设置有滚轮16，刻蚀槽侧壁上对应滚轮两端位置设置有支架模组11，支架模组包括用于固定滚轮的内支架、外支架，内支架12底部沿输送方向开设有截面为U型的凹陷通槽部13。
[0023]作为优选的方案，凹陷通槽部的深度为10mm，凹陷通槽部的宽度为20mm。
[0024]作为优选的方案，凹陷通13槽部距离内支架下端面距离为10mm。
[0025]作为优选的方案，内支架为PVDF内支架，PVDF内支架通过PVDF内支架锁紧螺丝14、PVDF内支架固定垫片15设置在刻蚀槽侧壁上。
[0026]优选的，内支架安装位置处于刻蚀槽槽体内部内壁之上，有多个呈对称直线排列模式安装。
[0027]本新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置主要包括：
[0028]1：PVDF支架，PVDF锁紧固定螺丝，PVDF锁紧固定垫片等。
[0029]2：本文所述的刻蚀化学品酸腐蚀背抛工艺良率提升的装置的支架结构设计，支架固定方式及位置设计，支架结构的尺寸设计。
[0030]3：支架模组：PVDF内支架，PVDF内支架锁紧螺丝，PVDF内支架固定垫片；PVDF集成至RENA刻蚀槽内部固定高度及位置。
[0031]4：支架模组模式：内支架模组安装在RENA刻蚀槽体内壁之上，滚轮悬挂与内支架和外支架中间，下方悬空，使滚轮浸泡在刻蚀药液内，通过设备运行，硅片在滚轮上传输完成背抛刻蚀工作，反应气泡通过改善支架，避开硅片传输位置，完成硅片的背抛排气泡工作，此模组启用与设备同步启动功能，能够有效的完成药液反应气泡排放，通过背抛气泡排放满足工艺制程需求。
[0032]5：信号控制：RENA InOxSide NIAK2上料端进料BC1 WAFDTC B1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置，包括机架，所述机架上沿物料输送方向依次设置有上料台、刻蚀槽、水洗槽一、碱洗槽、水洗槽二、酸洗槽、水洗槽三、烘干槽、下料台；其特征在于：所述刻蚀槽内顶部位置并排滚动设置有滚轮，所述刻蚀槽侧壁上对应滚轮两端位置设置有支架模组，所述支架模组包括用于固定滚轮的内支架、外支架，所述内支架底部沿输送方向开设有截面为U型的凹陷通槽部。2.根据权利要求1所述的一种新型链式化学品酸腐蚀背抛清洗装置，其特征在于：所述凹陷通槽部的深度为10mm，凹陷通槽部的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海峰，彭平，夏中高，李旭杰，高志强，
申请(专利权)人：平煤隆基新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：