数据生成方法、带电粒子束照射装置以及计算机可读取的记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种数据生成方法、带电粒子束照射装置以及计算机可读取的记录介质，能够高速且准确地进行包含曲线的图形的像素覆盖率计算。本发明专利技术的一个方式的数据生成方法将表现描绘图案的形状且由在规定方向上依次配置的多个控制点定义的参数曲线在极值以及拐点的位置分割而生成多个参数要素，对于各参数要素，从上述多个控制点中提取一部分控制点，将提取出的控制点在上述规定方向上依次连结而生成多边形，计算以规定尺寸分割带电粒子束的照射对象而得的多个矩形的划分区域各自的基于上述多边形的覆盖率，求出上述多个参数要素与上述多个划分区域的四边的交点，计算上述描绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率。绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率。绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率。

【技术实现步骤摘要】
数据生成方法、带电粒子束照射装置以及计算机可读取的记录介质
[0001]本申请以日本专利申请2021
‑
130792号(申请日：2021年8月10日)为基础申请，享受该基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术涉及数据生成方法、带电粒子束照射装置以及计算机可读取的记录介质。

技术介绍

[0003]随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。为了向半导体设备形成所希望的电路图案，采用如下方法：使用缩小投影型曝光装置，将在石英上形成的高精度的原画图案缩小转印到晶片上。在高精度的原画图案的制作中，使用通过电子束描绘装置对抗蚀剂进行曝光而形成图案的所谓的电子束光刻技术。
[0004]作为电子束描绘装置，例如已知有使用多射束一次照射大量的射束来提高处理能力的多射束描绘装置。在该多射束描绘装置中，例如，从电子枪发射的电子束通过具有多个开口的孔径部件，由此形成多射束，各射束在消隐板中被消隐控制。未被遮蔽的射束在光学系统中被缩小，照射到描绘对象的掩模上的所希望的位置。
[0005]在使用多射束描绘装置进行电子束描绘的情况下，针对以规定尺寸划分的每个像素，计算输入图形的覆盖率，对每个射束的照射量进行控制。在输入图形包含曲线的情况下，通过近似为多边形，能够比较容易地计算覆盖率。但是，如果高精度地进行近似，则近似多边形的顶点数增大，存在数据处理需要花费大量时间的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种能高速且准确地进行包含曲线的图形的像素覆盖率计算的数据生成方法、带电粒子束照射装置以及程序。
[0007]本专利技术的一个方式的数据生成方法将表现描绘图案的形状且由在规定方向上依次配置的多个控制点定义的参数曲线在极值以及拐点的位置分割而生成多个参数要素，对于各参数要素，从上述多个控制点中提取一部分控制点，将提取出的控制点在上述规定方向上依次连结而生成多边形，计算以规定尺寸分割带电粒子束的照射对象而得的多个矩形的划分区域各自的基于上述多边形的覆盖率，求出上述多个参数要素与上述多个划分区域的四边的交点，计算上述描绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率。
附图说明
[0008]图1是本专利技术的实施方式的多带电粒子束描绘装置的概要图。
[0009]图2是成形孔径阵列板的俯视图。
[0010]图3是说明描绘方法的流程图。
[0011]图4是说明描绘动作的图。
[0012]图5是说明像素映像图生成方法的流程图。
[0013]图6a是表示B样条曲线的例子的图，图6b是表示贝塞尔曲线的例子的图，图6c是表示转换式的图。
[0014]图7a是表示贝塞尔曲线的例子的图，图7b是表示贝塞尔曲线的分割例的图，图7c表示贝塞尔要素的例子的图。
[0015]图8a是表示贝塞尔曲线的例子的图，图8b是表示贝塞尔曲线的分割例的图，图8c是表示内部多边形的例子的图。
[0016]图9a是表示贝塞尔要素的分类例的图，图9b是表示贝塞尔基本要素的例子的图。
[0017]图10是说明交点计算方法的数学式。
[0018]图11是表示交点的例子的图。
[0019]图12是说明交点计算方法的图。
[0020]图13是表示像素覆盖率的计算例的图。
[0021]符号的说明
[0022]100：描绘装置；110：控制计算机；111：面积密度计算部；112：照射时间计算部；113：数据处理部；114：描绘控制部。
具体实施方式
[0023]本专利技术的一个方式的数据生成方法将表现描绘图案的形状且由在规定方向上依次配置的多个控制点定义的参数曲线在极值以及拐点的位置分割而生成多个参数要素，对于各参数要素，从上述多个控制点中提取一部分控制点，将提取出的控制点在上述规定方向上依次连结而生成多边形，计算以规定尺寸分割带电粒子束的照射对象而得的多个矩形的划分区域各自的基于上述多边形的覆盖率，求出上述多个参数要素与上述多个划分区域的四边的交点，计算上述描绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率。
[0024]以下，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。在实施方式中，作为带电粒子束的一例，对使用了电子束的构成进行说明。但是，带电粒子束并不限定于电子束，也可以是离子束等。
[0025]图1是实施方式的描绘装置的概要构成图。如图1所示，描绘装置100具备描绘部150以及控制部160。描绘装置100是多带电粒子束描绘装置的一例。描绘部150具备电子镜筒102以及描绘室103。在电子镜筒102内配置有电子枪201、照明透镜202、成形孔径阵列板203、消隐孔径阵列板204、缩小透镜205、限制孔径部件206、物镜207以及偏转器208。
[0026]在描绘室103内配置有XY工作台105。在XY工作台105上配置有作为描绘对象的基板101。基板101例如是掩模坯、半导体基板(硅晶片)。此外，在XY工作台105上配置有位置测定用的反射镜210。
[0027]控制部160具有控制计算机110、偏转控制电路130、工作台位置检测器139以及存储部140。描绘数据从外部输入并保存在存储部140中。在描绘数据中，定义了记述形成在基板101上的图案的多个图形图案的信息。如后所述，包含曲线的图形图案以3次B样条曲线定义形状。
[0028]控制计算机110具有面积密度计算部111、照射时间计算部112、数据处理部113以及描绘控制部114。控制计算机110的各部可以由电路等的硬件构成，也可以由执行这些功
能的程序等的软件构成。或者，也可以通过硬件与软件的组合而构成。
[0029]工作台位置检测器139将激光照射到反射镜210并接收该反射光，根据激光干涉法的原理检测XY工作台105的位置。
[0030]图2是表示成形孔径阵列板203的构成的概念图。如图2所示，在成形孔径阵列板203，沿着纵向(y方向)以及横向(x方向)以规定的排列间距形成有多个开口203a。优选各开口203a均由相同的尺寸形状的矩形或者圆形形成。电子束200的一部分别通过这些多个开口203a，由此形成多射束20a～20e。
[0031]在消隐孔径阵列板204，与成形孔径阵列板203的各开口203a的配置位置一致地形成有通过孔。在各通过孔配置有由成对的两个电极的组构成的消隐器。将消隐器的两个电极中的、例如一方的电极接地而保持为接地电位，将另一方的电极切换成接地电位或者接地电位以外的电位，由此，切换通过通过孔的射束的偏转的关闭/开启，进行消隐控制。在消隐器不使射束偏转的情况下，射束接通。在消隐器使射束偏转的情况下，射束截止。这样，多个消隐器进行通过成形孔径阵列板203的多个开口203a后的多射束中的、分别对应的射束的消隐偏转。
[0032]从电子枪201(发射部)发射的电子束200借助照明透镜202对成形孔径阵列板203整体进行照明。电子束200对包括所有开口203a的区域进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据生成方法，其特征在于，将表现描绘图案的形状且由在规定方向上依次配置的多个控制点定义的参数曲线在极值以及拐点的位置分割而生成多个参数要素，对于各参数要素，从上述多个控制点中提取一部分控制点，将提取出的控制点在上述规定方向上依次连结而生成多边形，计算以规定尺寸分割带电粒子束的照射对象而得的多个矩形的划分区域各自的基于上述多边形的覆盖率，求出上述多个参数要素与上述多个划分区域的四边的交点，计算上述描绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率。2.根据权利要求1所述的数据生成方法，其特征在于，上述参数曲线是贝塞尔曲线。3.根据权利要求2所述的数据生成方法，其特征在于，将上述贝塞尔曲线在极值以及拐点的位置分割而生成多个贝塞尔要素，从上述多个贝塞尔要素分别包含的多个控制点中提取开始点以及结束点，将提取出的上述开始点以及结束点在上述规定方向上依次用直线连结而生成上述多边形。4.根据权利要求1所述的数据生成方法，其特征在于，使用上述参数要素与上述划分区域的四边的交点，将上述划分区域内分为三角形部与曲线扇形部，将上述三角形部的面积与上述曲线扇形部的面积相加，计算该划分区域的覆盖率。5.一种计算机可读取的记录介质，存储有程序，其特征在于，上述程序使计算机执行如下步骤：将表现描绘图案的形状且由在规定方向上依次配置的多个控制点定义的参数曲线在极值以及拐点的位置分割而生成多个参数要素的步骤；对于各参数要素，从上述多个控制点中提取一部分控制点，将提取出的控制点在上述规定方向上依次连结而生成多边形的步骤；计算以规定尺寸分割带电粒子束的照射对象而得的多个矩形的划分区域各自的基于上述多边形的覆盖率的步骤；以及求出上述多个参数要素与上述多个划分区域的四边的交点，计算上述描绘图案的周缘部的划分区域的覆盖率的步骤。6.根据权利要求5所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，上述参数曲线是贝塞尔曲线。7.根据权利要求6所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，上述程序使计算机执...

【专利技术属性】
技术研发人员：安井健一，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：