多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置制造方法及图纸

提供多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置，能够在抑制阵列畸变的增加的同时解决由二次电子的空间滞留和偏转器电极带电产生的射束位置的变动。本实施方式的多带电粒子束描绘方法具备：形成向描绘对象的基板照射的多带电粒子束的工序；使上述多带电粒子束偏转到加上规定的偏转偏移量的位置，以使得不包含向静电型的定位偏转器的多个电极分别施加的各偏转电压全部为零的状态的工序；以及将上述多带电粒子束照射到上述基板的工序，在上述各偏转电压上加上正的共用电压并施加到上述定位偏转器的各电极。述定位偏转器的各电极。述定位偏转器的各电极。

【技术实现步骤摘要】
多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置
[0001]本申请以日本专利申请2021
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135680(申请日：2021年8月23日)以及日本专利申请2022
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087811(申请日：2022年5月30日)为基础申请，享受该申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括该基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术涉及多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置。

技术介绍

[0003]随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。为了对半导体设备形成所希望的电路图案，采用如下方法：使用缩小投影型曝光装置，将在石英上形成的高精度的原画图案(掩模、或者尤其是在步进器、扫描仪中使用的也称作中间掩模。)缩小转印到晶片上。高精度的原画图案由电子束描绘装置描绘，使用所谓的电子束光刻技术。
[0004]作为电子束描绘装置的一个方式，已知使用了多射束的多电子束描绘装置。多电子束描绘装置与由1条电子束描绘的描绘装置相比，由于一次能够照射更多的射束，因此能够大幅提高生产率。/>[0005]在多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多带电粒子束描绘方法，具备：形成向描绘对象的基板照射的多带电粒子束的工序；使上述多带电粒子束偏转到加上规定的偏转偏移量的位置，以使得不包含向静电型的定位偏转器的多个电极分别施加的各偏转电压全部为零的状态的工序；以及将上述多带电粒子束照射到上述基板的工序，在上述各偏转电压上加上正的共用电压并施加到上述定位偏转器的各电极。2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘方法，其中，具备以下工序：将上述多带电粒子束偏转到加上上述规定的偏转偏移量的位置，以使得在上述各偏转电压的范围内各电极的电压的极性固定。3.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘方法，其中，使配置在比上述定位偏转器靠上述多带电粒子束的行进方向的下游侧的焦点校正透镜在正的电压范围内动作。4.根据权利要求3所述的多带电粒子束描绘方法，其中，上述共用电压是向上述焦点校正透镜施加的正的电压的上限值以上的值。5.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘方法，其中，使用磁场偏转器产生与上述偏转偏移量相反方向的偏转。6.一种多带电粒子束描绘装置，具备：静电型的定位偏转器，具有多个电极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田博文，东矢高尚，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：