灵敏放大器及存储芯片制造技术

本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，通过侦测单元侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压，然后反馈单元根据该电压输出更低的电压，进而控制流经第一钳位晶体管的电流，不仅可以削弱流经第一钳位晶体管的电流峰值，缓解了对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题；而且侦测单元同时也起到了分压作用，预充电过程中也可以承受更大的电源电压，进而扩大了电源电压的允许使用范围。电压的允许使用范围。电压的允许使用范围。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及存储芯片


[0001]本申请涉及存储
，具体涉及一种灵敏放大器及存储芯片。

技术介绍

[0002]在存储芯片或者存储器中，灵敏放大器用于读出存储单元中的存储数据。然而，传统灵敏放大器对总位线或者位线的充电无法跟随电源电压进行有效的峰值控制，从而导致可使用的电源电压的范围较窄；同时，也会导致对总位线或者位线充电的电流峰值较大。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种灵敏放大器及存储芯片，以缓解电源电压的允许使用范围较小及对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题。
[0004]第一方面，本申请提供一种灵敏放大器，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，预充电晶体管的第一极与电源端电连接，预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接；第一钳位晶体管的第一极与预充电晶体管的第二极电连接，第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接；侦测单元耦接于电源端与预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；反馈单元的输入端与预充电晶体管的第一极电连接，反馈单元的输出端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括：预充电晶体管，所述预充电晶体管的第一极与电源端电连接，所述预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接；第一钳位晶体管，所述第一钳位晶体管的第一极与所述预充电晶体管的第二极电连接，所述第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接；侦测单元，所述侦测单元耦接于所述电源端与所述预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经所述预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；以及反馈单元，所述反馈单元的输入端与所述预充电晶体管的第一极电连接，所述反馈单元的输出端与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，用于削减流经所述第一钳位晶体管的电流峰值。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述侦测单元包括侦测电阻，所述侦测电阻的一端与所述电源端电连接，所述侦测电阻的另一端与所述预充电晶体管的第一极、所述反馈单元的输入端电连接。3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述侦测单元包括侦测晶体管，所述侦测晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述侦测晶体管的控制极与所述侦测晶体管的第二极、所述预充电晶体管的第一极电连接，所述侦测晶体管为P沟道型晶体管。4.根据权利要求2或者3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述反馈单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第一晶体管的控制极与所述侦测电阻的另一端或者所述侦测晶体管的第二极电连接；第二晶体管，所述第二晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的控制极电连接，所述第二晶体管的第二极与接地端电连接；以及第三晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述接地端电连接，所述第三晶体管的控制极与所述第一晶体管的第二极电连接。5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一晶体管为P沟道型晶体管；所述第二晶体管、所述第三晶体管均为N沟道型晶体管。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：管小进，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：