【技术实现步骤摘要】
存储器、存储系统及存储器的操作方法
[0001]本公开涉及半导体
，特别涉及一种存储器、存储系统及存储器的操作方法。
技术介绍
[0002]非易失性存储器广泛应用于各个领域，包括嵌入式系统，如计算机、网络互联设备，同时还包括语音、图像、数据存储类产品，如数码相机、数码录音机等。随着这些产品对存储容量的要求不断提高，非易失性存储器的工艺尺寸不断缩小，导致非易失性存储器的可靠性面临着越来越严峻的挑战，尤其是非易失性存储器受限于其本身的物理特性，使得在使用过程中存在着可擦除存储块的使用寿命的问题。在其使用过程中，如果频繁地擦除某个存储块，则会导致使用次数较多的存储块容易出现损坏，从而影响整个存储器的数据存储性能。因此，如何均衡地使用不同的存储块使得存储器的寿命被最大化成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
[0003]根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器，包括：第一存储模块、第二存储模块和外围电路，所述外围电路与所述第一存储模块和所述第二存储模块耦接；其中，
[0004]所述第一存储模块为非易失性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：第一存储模块、第二存储模块和外围电路，所述外围电路与所述第一存储模块和所述第二存储模块耦接；其中，所述第一存储模块为非易失性存储模块，用于存储写入数据；所述第二存储模块为静态随机存取存储模块，用于存储所述第一存储模块的块循环信息；所述外围电路，被配置为基于所述第二存储模块中的块循环信息，对所述第一存储模块进行磨损均衡处理。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述块循环信息包括所述第一存储模块中各个存储块的写入/擦除次数。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路，还被配置为根据所述第一存储模块的存取操作更新所述第二存储模块中的块循环信息。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二存储模块的存储容量大于所述第一存储模块的块循环信息的字节数。5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一存储模块包括M个存储块，每一所述存储块的块循环信息包括N个字节，所述第一存储模块的块循环信息的字节数为M*N，M、N均为正整数；其中，所述第二存储模块中第一个存储区块用于存储所述第一存储模块的第一个所述存储块的块循环信息；所述第二存储模块中第M个存储区块用于存储所述第一存储模块的第M个所述存储块的块循环信息；其中，所述第二存储模块中每一所述存储区块的存储容量包括N个字节。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路和所述第二存储模块集成于同一芯片上。7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路和所述第一存储模块集成于两个不同的芯片上，且所述两个不同的芯片键合连接。8.一种存储系统，其特征在于，包括：至少一个存储器和耦合到所述存储器的存储器控制器，所述存储器包括第一存储模块、第二存储模块和外围电路，所述外围电路与所述第一存储模块和所述第二存储模块耦接；其中，所述第一存储模块为非易失性存储模块，用于存储写入数据；所述第二存储模块为静态随机存取存储模块，用于存储所述第一存储模块的块循环信息；所述存储器控制器，被配置为将所述第一存储模块的块循环信息发送至所述外围电路；所述外围电路，被配置为将所述块循环信息写入所述第二存储模块。9.根据权利要求8所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器，还被配置为基于所述第二存储模块中的块循环信息，对所述第一存储模块进行磨损均衡处理。10.根据权利要求8所述的存储系统，其特征在于，所述外围电路，还被配置为基于所述第二存储模块中的块循环信息，对所述第一存储模块进行磨损均衡处理。
11.根据权利要求9或10所述的存储系统，其特征在于，所述外围电路，还被配置为从所述第二存储模块中获取历史块循环信息，并将所述历史块循环信息发送至所述存储器控制器；所述外围电路，还被配置为在预设时间内未读取到所述历史块循环信息时，将所述第二存储模块处于电力异常状况反馈至所述存储器控制器；所述存储器控制器，还被配置为在所述第二存储模块上电后，将所述历史块循环信息发送至所述外围电路；所述外围电路，还被配置为将所述历史块循环信息写入所述第二存储模块。12.根据权利要求9或10所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器，被配置为发送数据传输指令至所述外围电路；其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨荟，黄蔚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。