太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件技术

技术编号:37215497 阅读:9 留言:0更新日期:2023-04-20 23:03
本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件,太阳能电制备方法包括:提供基底,基底为熔融盐基底,熔融盐基底的熔点为第一温度;在基底的表面上形成薄膜太阳能电池,薄膜太阳能电池包括形成温度为第二温度的吸收层,第一温度大于第二温度;提供底电池,将底电池与薄膜太阳能电池远离基底的表面贴合;去除基底,露出薄膜太阳能电池远离底电池的表面;在薄膜太阳能电池远离底电池的表面上形成透明电极层;在透明电极层远离薄膜太阳能电池的表面上形成栅线。本申请实施例至少有利于扩展叠层太阳能电池的适用场景,降低叠层太阳能电池制备过程中的电池损伤,提高叠层太阳能电池的光电转换效率。太阳能电池的光电转换效率。太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及太阳能电池
,特别涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]化石能源存在大气污染并且储量有限,而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点,因此,太阳能正在逐渐成为替代化石能源的核心清洁能源,由于太阳能电池具有良好的光电转化效率,太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
[0003]影响太阳能在能源利用中所占比重的一个重要因素是太阳能电池的光电转换效率,为了提高太阳能电池的光电转化效率,形成由底电池和顶电池构成的双端叠层太阳能电池是当前颇受推崇的一种方式。
[0004]然而,当前的叠层太阳能电池存在适用场景受限以及光电转换效率有限的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件,至少有利于扩展叠层太阳能电池的适用场景,降低叠层太阳能电池制备过程中的电池损伤,提高叠层太阳能电池的光电转换效率。
[0006]本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法,包括:提供基底,所述基底为熔融盐基底,所述熔融盐基底的熔点为第一温度;在所述基底的表面上形成薄膜太阳能电池,所述薄膜太阳能电池包括形成温度为第二温度的吸收层,所述第一温度大于所述第二温度;提供底电池,将所述底电池与所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面贴合;去除所述基底,露出所述薄膜太阳能电池远离所述底电池的表面;在所述薄膜太阳能电池远离所述底电池的表面上形成透明电极层;在所述透明电极层远离所述薄膜太阳能电池的表面上形成栅线。
[0007]另外,所述第一温度与所述第二温度之间的差值不小于100摄氏度。
[0008]另外,所述第二温度为300摄氏度至1000摄氏度。
[0009]另外,将所述底电池与所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面贴合的步骤包括:在所述底电池与所述薄膜太阳能电池之间形成粘合层;所述粘合层相对的两个表面分别与所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面及所述底电池贴合。
[0010]另外,形成所述粘合层的步骤包括:在所述底电池的表面形成所述粘合层;将所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面与所述粘合层贴合;或者,在所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面形成所述粘合层;将所述底电池与所述粘合层贴合。
[0011]另外,在形成所述薄膜太阳能电池前还包括:在所述基底的表面形成阻挡层;形成所述薄膜太阳能电池包括:在所述阻挡层远离所述基底的表面上形成所述薄膜太阳能电池;在去除所述基底后,还包括:去除所述阻挡层。
[0012]另外,所述阻挡层的厚度为1nm

100nm。
[0013]另外,所述阻挡层的材料包括:氮化钛、氧化铝或者氧化钼。
[0014]另外,所述基底的材料包括:氯化钠、碘化钾、氯化铵或者氢氧化钾。
[0015]另外,所述基底的热膨胀系数小于或等于5
×
10
‑5/K。
[0016]另外,去除所述基底的步骤包括:利用洗涤液对所述基底进行溶解,去除所述基底。
[0017]另外,所述洗涤液包括水或者甲醇。
[0018]相应的,本申请实施例还提供了一种太阳能电池,采用如上所述的太阳能电池制备方法形成,包括:依次层叠设置的薄膜太阳能电池和底电池。
[0019]另外,太阳能电池还包括:粘合层;所述粘合层相对的两个表面分别与所述薄膜太阳能电池及所述底电池贴合。
[0020]另外,所述粘合层为导电胶。
[0021]另外,所述薄膜太阳能电池包括CIGS薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池或者III

V族薄膜太阳能电池。
[0022]相应的,本申请实施例还提供了一种光伏组件,包括:电池串,所述电池串由多个上述的太阳能电池连接而成;封装层,所述封装层用于覆盖所述电池串的表面;盖板,所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0023]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点:本申请实施例提供的太阳能电池制备方案中,先提供一个由熔点为第一温度的熔融盐基底作为基底,然后在基底表面上形成薄膜太阳能电池,薄膜太阳能电池的吸收层形成温度为第二温度,且第二温度小于第一温度。在熔融盐基底表面完成薄膜太阳能电池的制备后,提供底电池并将底电池和薄膜太阳能电池贴合,然后再去除基底,并在薄膜太阳能电池的表面上形成透明电极层,在透明电极层上形成栅线。通过将熔点大于电池吸收层形成温度的熔融盐基底作为制备薄膜太阳能电池的基底,保证不同类型的薄膜太阳能电池均能顺利制备,提高叠层太阳能电池制备方法的适应性;利用熔融盐基底作为基底,结合熔融盐基底便于去除的特性,降低了去除基底的过程中对薄膜太阳能电池造成的性能损伤,有效地提升了叠层太阳能电池的性能;先在熔融盐基底上进行薄膜太阳能电池的制备,然后再将薄膜太阳能电池与底电池贴合,避免了直接在底电池上进行薄膜太阳能电池制备对底电池造成的性能损伤,保证了叠层太阳能电池的光电转换能力,同时降低了采用对电极结构敏感的薄膜太阳能电池制作叠层太阳能电池的难度。
附图说明
[0024]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
[0025]图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图;图2为本申请一实施例提供的一种半成品太阳能电池的结构示意图;图3为本申请一实施例提供的另一种半成品太阳能电池的结构示意图;图4为本申请一实施例提供的又一种半成品太阳能电池的结构示意图;图5为本申请一实施例提供的还一种半成品太阳能电池的结构示意图;图6为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图;
图7为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图;图8为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的结构示意图;图9为本申请另一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
[0026]由
技术介绍
可知,当前的叠层太阳能电池由于制备方法和电池特性的影响,存在适用场景受限以及光电转换效率有限的问题。
[0027]本申请一实施例提供了一种太阳能电池制备方法,在进行太阳能电池制备的过程中,先在熔点高于薄膜太阳能电池吸收层形成温度的熔融盐基底上制备薄膜太阳能电池,然后将薄膜太阳能电池与底电池贴合,然后将熔融盐基底去除,并在薄膜太阳能电池上形成透明电极层,在透明电极层上形成栅线,得到底电池与薄膜太阳能电池叠加形成的叠层太阳能电池。通过将熔点大于电池吸收层形成温度的熔融盐基底作为制备薄膜太阳能电池的基底,使得不同类型的薄膜太阳能电池均能顺利制备,提高叠层太阳能电池制备方法的适应性;利用熔融盐基底作为基底,借助熔融盐基底便于去除的特性,降低了去除基底的过程中对薄膜太阳能电池造成的性能损伤,有效地提升了叠层太阳能电池的性能;先在熔融盐基底上进行薄膜太阳能电池的制备,然后再将薄膜太阳能电池与底电池贴合,避免了本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底为熔融盐基底,所述熔融盐基底的熔点为第一温度;在所述基底的表面上形成薄膜太阳能电池,所述薄膜太阳能电池包括形成温度为第二温度的吸收层,所述第一温度大于所述第二温度;提供底电池,将所述底电池与所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面贴合;去除所述基底,露出所述薄膜太阳能电池远离所述底电池的表面;在所述薄膜太阳能电池远离所述底电池的表面上形成透明电极层;在所述透明电极层远离所述薄膜太阳能电池的表面上形成栅线。2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述第一温度与所述第二温度之间的差值不小于100摄氏度。3.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述第二温度为300摄氏度至1000摄氏度。4.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,将所述底电池与所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面贴合的步骤包括:在所述底电池与所述薄膜太阳能电池之间形成粘合层;所述粘合层相对的两个表面分别与所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面及所述底电池贴合。5.根据权利要求4所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所述粘合层的步骤包括:在所述底电池的表面形成所述粘合层;将所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面与所述粘合层贴合;或者,在所述薄膜太阳能电池远离所述基底的表面形成所述粘合层;将所述底电池与所述粘合层贴合。6.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,在形成所述薄膜太阳能电池前还包括:在所述基底的表面形成阻挡层;形成所述薄膜太阳能电池包括:在所述阻挡层远离所述基底的表面上形成所述薄膜太阳能电池;在去除所述基底后,还包括:去除所述阻挡层。7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员:张远方徐孟雷杨洁张昕宇
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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