III族氮化物基半导体封装结构及其制造方法技术

一种III族氮化物基半导体封装结构，包括引线框架、第一粘合剂层、III族氮化物基晶粒、第二粘合剂层和第一导电迹线。所述引线框架包括晶粒座和引线。第一粘合剂层设置在晶粒座上。所述III族氮化物基晶粒设置在所述第一粘合剂层上。所述第二粘合剂层设置在所述III氮化物基晶粒上。所述第一导电迹线将所述III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线，其中所述第一导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置，并且具有两次转向的延伸路径。向的延伸路径。向的延伸路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】III族氮化物基半导体封装结构及其制造方法


[0001]本专利技术总体上涉及半导体封装结构。更具体地说，本专利技术涉及具有用于电气连接的预制导电迹线的III族氮化物基(III
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nitride
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based)半导体封装结构。

技术介绍

[0002]近年来，人们对高电子迁移率晶体管(HEMTs)进行了大量的研究，特别是在大功率开关和高频应用中。III族氮化物基HEMT利用具有不同带隙(bandgaps)的两种材料之间的异质结界面(heterojunction interface)形成量子阱结构(quantum well
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like structure)，所述结构容纳二维电子气体(2DEG)区域，从而满足高功率/频率装置的需求。除了HEMT之外，具有异质结构的装置的实例进一步包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)和调制掺杂FET(MODFET)。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供了一种III族氮化物基半导体封装结构。所述III族氮化物基半导体封装结构包括引线框架，包括晶粒座(die paddle)和引线；第一粘合剂层，其设置在所述晶粒座上；III族氮化物基晶粒，其设置在所述第一粘合剂层上；第二粘合剂层，其设置在所述III族氮化物基晶粒上；和第一导电迹线，其将所述III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线，其中所述第一导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置，并且具有两次转向的延伸路径。
[0004]根据本公开的一个方面，提供一种III族氮化物基半导体封装结构的制作方法。所述III族氮化物基半导体封装结构的制作方法包括：形成彼此分离的第一导电迹线与第二导电迹线；将所述第一导电迹线的第一部分和所述第二导电迹线的第一部分分别放置在盖体的凹部中，使得所述第一导电迹线的第二部分和所述第二导电迹线的第二部分在所述盖体的凹部之外；弯曲所述第一导电迹线的所述第二部分和所述第二导电迹线的所述第二部分，使得所述第一导电迹线和所述第二导电迹线各自具有两个转角；和将所述第一导电迹线和所述第二导电迹线定位在III族氮化物基晶粒上，使得所述第一导电迹线和所述第二导电迹线电性连接到所述III族氮化物基晶粒。
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种III族氮化物基半导体封装结构。所述III族氮化物基半导体封装结构包括：引线框架，包括晶粒座和引线；III族氮化物基晶粒，设置在所述晶粒座上；第一导电迹线，将III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线；第二导电迹线，将III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线；和盖体，设置在所述III族氮化物基晶粒、所述第一导电迹线和所述第二导电迹线上，其中所述盖体具有凹部以容纳所述第一导电迹线和所述第二导电迹线。
[0006]通过应用上述配置，导电迹线可以具有足以抵抗干扰的结构强度，因此可以固定导电迹线的轮廓。固定的导电迹线轮廓、形状或边线可以确保导电迹线所提供的电性连接被良好地维持。
附图说明
[0007]当结合附图阅读时，从以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应注意，各种特征可不按比例绘制。也就是说，为了论述的清楚起见，各种特征的尺寸可任意增大或减小。在下文中参考图式更详细地描述本公开的实施例，在图式中：
[0008]图1A是根据本公开的一些实施例的III族氮化物基半导体封装结构的俯视图；
[0009]图1B是图1A中的III族氮化物基半导体装置沿I
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I
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线的横截面图；和
[0010]图2A、图2B、图2C、图2D和图2E示出了根据本公开的一些实施例的用于制造III族氮化物基半导体封装结构的方法的不同阶段。
具体实施方式
[0011]在所有附图和详细描述中使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据结合附图作出的以下详细描述将容易理解本公开的实施例。
[0012]相对于某一组件或组件群组，或者组件或组件群组的某一平面，为相关联图中所展示的组件的定向指定空间描述，例如“上”、“上方”、“下方”、“向上”、“左”、“右”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“较低”、“上部”、“之上”、“之下”等等。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可任何定向或方式在空间上布置，前提为本公开的实施例的优点是不会因此类布置而有所偏差。
[0013]此外，应注意，在实际装置中，由于装置制造条件，描绘为近似矩形的各种结构的实际形状可能是曲形、具有圆形边缘、具有稍微不均匀的厚度等等。使用直线和直角只是为了方便表示层和特征。
[0014]在以下描述中，半导体器件/裸片/封装、其制造方法等被阐述为优选实例。所属领域的技术人员将显而易见，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下作出修改，包含添加和/或替代。可省略特定细节以免使本公开模糊不清；然而，编写本公开是为了使所属领域的技术人员能够在不进行不当实验的情况下实践本文中的教示。
[0015]图1A是根据本公开的一些实施例的III族氮化物基半导体封装结构1A的俯视图。图1B是图1A中的III族氮化物基半导体装置1A沿I
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I
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线的横截面图。III族氮化物基半导体封装结构1A包括引线框架10、III族氮化物基晶粒12、粘合剂层14、16、32、导电迹线20和22、盖30、封装剂40。如本文所用，术语“III族氮化物”是指GaN、AlN、InN及其各种混合物，例如AlGaN、InAlGaN和InAlN，氮化物中金属1元素的比例不同。
[0016]引线框架10包括晶粒座(die paddle)102以及引线104和106。引线(lead)104和106可以布置在晶粒座102的两个相对侧。引线104、106中的每一个都可以包括用作电性连接的导电垫，该导电垫可以电性连接两个位置。晶粒座102可以由金属制成。晶粒座102具有被配置以支撑晶粒或芯片的上表面。引线104和106可以由金属制成。
[0017]粘合剂层14设置在晶粒座102的上表面上。粘合剂层14放置在晶粒座102的上表面上。III族氮化物基晶粒12设置在粘合剂层14上。III族氮化物基晶粒12放置在粘合层14上，以使III族氮化合物基晶粒12可以固定在晶粒座102的上表面上。粘合剂层16设置在III族氮化物基晶粒12上。在一些实施例中，粘合剂层16是导电的，因此外部电信号可以通过粘合剂层16输入到III族氮化合物基晶粒12中。粘合剂层32设置在引线104和106的上表面上，粘
合剂层32是导电的，因此外部电信号可以从引线104和106输入到粘合剂层32中。
[0018]在一些实施例中，III族氮化物基晶粒12可包括至少一个III族氮化物基晶体管于其中。在此，III族氮化物基晶体管可以包括两个可以用作沟道层和阻挡层的氮化物基半导体层、两个或更多个源极或漏极以及至少一个栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，包括:引线框架，包括晶粒座和引线；第一粘合剂层，其设置在所述晶粒座上；III族氮化物基晶粒，其设置在所述第一粘合剂层上；第二粘合剂层，其设置在所述III族氮化物基晶粒上；和第一导电迹线，其将所述III族氮化物基晶粒电性连接到所述引线，其中所述第一导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置，并且具有两次转向的延伸路径。2.根据前述权利要求的任一项所述的III型氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一导电迹线在所述延伸路径的转角具有两个圆角。3.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述延伸路径的所述转角是由范围为80度至90度的角度所形成。4.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一导电迹线包括位于所述III族氮化物基晶粒正上方的指状焊垫。5.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，还包括:盖体，其覆盖在所述第一导电迹线的所述指状焊垫。6.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述盖体具有凹部以容纳所述第一导电迹线的所述指状焊垫。7.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，还包括：封装剂，其封装引线框架、所述III族氮化物基晶粒、所述第一导电迹线和所述盖。8.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，还包括：第二导电迹线，其将所述III族氮化物基晶粒管芯电性连接到所述引线，其中所述第二导电迹线从所述III族氮化物基晶粒上方的位置延伸到所述引线上方的位置并朝向远离所述第一导电迹线的方向延伸，并且所述第二导电迹线具有两次转向的延伸路径。9.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述第二导电迹线包括位于所述III族氮化物基晶粒正上方的指状焊垫。10.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述第一导电迹线的所述指状焊垫与所述第二导电迹线的所述指状焊垫相互隔离。11.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，还包括：盖体，其覆盖所述第一导电迹线的所述指状焊垫与所述第二导电迹线的所述指状焊垫。12.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述盖体包括分隔壁，其位于所述第一导电迹线的所述指状焊垫和所述第二导电迹线的所述指状焊垫之间。13.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，
其中所述分隔壁呈锯齿状。14.根据前述权利要求的任一项所述的III族氮化物基半导体封装结构，其特征在于，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚卫刚，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：