一种温压一体式传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种温压一体式传感器，涉及传感器领域，包括基底，所述基底底部覆盖有过渡膜，过渡膜上方覆盖有绝缘膜；所述绝缘膜上设置有薄膜应变电路和薄膜测温电阻，所述薄膜应变电路和薄膜测温电阻外端均设置有引线焊盘。本实用新型专利技术通过将测量温度和压力的元件制作在一个敏感芯体上，无需单独制作温度传感器和压力传感器后再做装配集成，抬高装配效率，提高空间利用率，制作简单，有利于降低传感器生产成本。器生产成本。器生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种温压一体式传感器


[0001]本技术涉及传感器领域，具体是一种温压一体式传感器。

技术介绍

[0002]传统的温压一体式传感器往往需要先分别制作温度传感器和压力传感器，再通过一定的组合方式制作而成，无法实现一个敏感芯体同时具备测量温度和压力的功能，外围电路也较为复杂，导致装配避免麻烦，空间利用率较低，传感器的生产成本也较高。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种温压一体式传感器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种温压一体式传感器，包括基底，所述基底底部覆盖有过渡膜，过渡膜上方覆盖有绝缘膜；所述绝缘膜上设置有薄膜应变电路和薄膜测温电阻，所述薄膜应变电路和薄膜测温电阻外端均设置有引线焊盘。
[0006]作为本技术进一步的方案：所述薄膜应变电路为由四个电阻和金属连接线组成的惠斯通电桥。
[0007]作为本技术再进一步的方案：所述薄膜应变电路的电阻材料采用镍铬合金、铂钨合金、钯铬合金或铁铬铝合金；所述薄膜应变电路厚度为100
‑
200nm。
[0008]作为本技术再进一步的方案：所述薄膜测温电阻厚度为100
‑
200nm；所述薄膜测温电阻材料采用铂。
[0009]作为本技术再进一步的方案：所述基底的形状为圆柱体，直径为5mm或7mm；所述基底的应变梁厚度为0.2
‑
1mm；所述基底3材料采用不锈钢、钛合金、陶瓷、铁基或镍基或钴基高温合金。
[0010]作为本技术再进一步的方案：所述过渡膜厚度为100
‑
200nm；所述过渡膜材料采用钛或铬；所述绝缘膜厚度为2
‑
6μm；所述绝缘膜材料采用氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化镁。
[0011]作为本技术再进一步的方案：所述引线焊盘厚度为0.5
‑
1μm；所述引线焊盘的材料采用镍、金或铂。
[0012]作为本技术再进一步的方案：所述薄膜应变电路和薄膜测温电阻上均覆盖有保护膜。
[0013]作为本技术再进一步的方案：所述保护膜的厚度为0.5
‑
2μm；所述保护膜的材料优选氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化镁。
[0014]作为本技术再进一步的方案：所述过渡膜、绝缘膜、薄膜应变电路、薄膜测温电阻、引线焊盘、保护膜采用离子束镀膜、磁控溅射镀膜或PECVD镀膜。
[0015]相较于现有技术，本技术的有益效果如下：
[0016]本技术提出的温压一体式传感器，通过将测量温度和压力的元件制作在一个敏感芯体上，无需单独制作温度传感器和压力传感器后再做装配集成，抬高装配效率，提高空间利用率，制作简单，有利于降低传感器生产成本。
附图说明
[0017]图1为本技术实施例的俯视结构示意图。
[0018]图2为本技术实施例的侧视结构示意图。
[0019]附图标记注释：1
‑
薄膜应变电路、2
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薄膜测温电阻、3
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基底、4
‑
过渡膜、5
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绝缘膜、6
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保护膜、7
‑
引线焊盘。
具体实施方式
[0020]以下实施例会结合附图对本技术进行详述，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的标号，并且在实际应用中，各部件的形状、厚度或高度可扩大或缩小。本技术所列举的各实施例仅用以说明本技术，并非用以限制本技术的范围。对本技术所作的任何显而易知的修饰或变更都不脱离本技术的精神与范围。
[0021]实施例
[0022]请参阅图1～2，本技术实施例中，一种温压一体式传感器，包括薄膜应变电路1、薄膜测温电阻2、基底3、过渡膜4、绝缘膜5、保护膜6、引线焊盘7，薄膜应变电路1用于测量压力、薄膜测温电阻2用于测量温度。
[0023]其中，基底3形状优选圆柱体，直径为5mm或7mm，材料优选不锈钢、钛合金、陶瓷、铁基或镍基或钴基高温合金，基底3的应变梁厚度为0.2
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1mm。
[0024]过渡膜4覆盖于基底3顶部，绝缘膜5覆盖于过渡膜4上方；过渡膜4材料优选钛或铬，过渡膜4厚度为100
‑
200nm；绝缘膜5材料优选氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化镁，绝缘膜5厚度为2
‑
6μm；
[0025]薄膜应变电路1和薄膜测温电阻2设置于绝缘膜5上，薄膜应变电路1和薄膜测温电阻2外端均设置有引线焊盘7；薄膜应变电路1为由四个电阻和金属连接线组成的惠斯通电桥，电阻材料优选镍铬合金、铂钨合金、钯铬合金或铁铬铝合金，薄膜应变电路1厚度为100
‑
200nm；薄膜测温电阻2材料优选铂，薄膜测温电阻2厚度为100
‑
200nm；引线焊盘7的材料优选镍、金或铂，引线焊盘7厚度为0.5
‑
1μm。
[0026]薄膜应变电路1和薄膜测温电阻2上均覆盖有保护膜6，保护膜6的材料优选氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化镁，保护膜6的厚度为0.5
‑
2μm。
[0027]过渡膜4、绝缘膜5、薄膜应变电路1、薄膜测温电阻2、引线焊盘7、保护膜6优选使用离子束镀膜、磁控溅射镀膜或PECVD镀膜制备，通过将测量温度和压力的薄膜测温电阻2和薄膜应变电路1制作在一个敏感芯体上，无需单独制作温度传感器和压力传感器后再做装配集成，抬高装配效率，提高空间利用率，制作简单，有利于降低传感器生产成本。
[0028]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含
义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0029]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温压一体式传感器，包括基底(3)，其特征在于，所述基底(3)底部覆盖有过渡膜(4)，过渡膜(4)上方覆盖有绝缘膜(5)；所述绝缘膜(5)上设置有薄膜应变电路(1)和薄膜测温电阻(2)，所述薄膜应变电路(1)和薄膜测温电阻(2)外端均设置有引线焊盘(7)。2.根据权利要求1所述的温压一体式传感器，其特征在于，所述薄膜应变电路(1)为由四个电阻和金属连接线组成的惠斯通电桥。3.根据权利要求2所述的温压一体式传感器，其特征在于，所述薄膜应变电路(1)的电阻材料采用镍铬合金、铂钨合金、钯铬合金或铁铬铝合金；所述薄膜应变电路(1)厚度为100
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200nm。4.根据权利要求1所述的温压一体式传感器，其特征在于，所述薄膜测温电阻(2)厚度为100
‑
200nm；所述薄膜测温电阻(2)材料采用铂。5.根据权利要求1所述的温压一体式传感器，其特征在于，所述基底(3)的形状为圆柱体，直径为5mm或7mm；所述基底(3)的应变梁厚度为0.2
‑
1mm；所述基底(3)材料采用不锈钢、钛合金、陶瓷、铁基或镍基或钴基高温...

【专利技术属性】
技术研发人员：白鹤，孙启萌，崔雪岩，齐迪春，
申请(专利权)人：山东伟航敏芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：