通过微波微结构电极放电产生局部等离子区的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:3718438 阅读:203 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出一种产生等离子区的装置,它尤其通过微结构电极放电用于表面处理、气体化学置换或产生光,它具有一个等离子发生装置(1),该装置至少具有一个波导结构(11)。此外设有一个微波发生器,借助它可将电磁微波耦合到波导结构(11)中。波导结构(11)还具有至少一个特别是局部窄限界的等离子区(12),它与气体形成接触。波导结构(11)最好是一个被一种电介质(22)填充的金属空心导体(21)或一个延伸在介电板上的条形导体结构。该装置及由它实施的方法尤其适用于表面的处理或活化或在一个基底上沉积层。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及根据独立权利要求所述类型的通过微结构电极放电产生等离子区的装置及由该装置实施的方法,尤其是用于表面处理、气体化学反应或产生光。对于用等离子方法的表面处理有利的是,尽可能接近待处理的表面或基底产生等离子区,或将一个具有精确限界的或局部等离子体积的等离子源引导到待处理基底的附近。这在现有技术中通过所谓微结构电极放电来实现,其中介电板设有电极,它们被放置在约100μm或更小的典型距离上。此类放电以公知方式在很宽的压力范围上工作并具有相对精确的等离子界面,即形成大面积、但局部窄限界的小容积等离子区。在现有技术中,迄今微结构电极放电仅用直流电压触发及工作。对此例如可参考M.Roth等人发表的“作为固态及气态之间电子界面的微结构电极用于气相化学反应的可电控的催化剂”,1997年1月,微反应技术国际会议,法兰克福/美因;及J.W.Frame的文章“在硅中制作的微放电装置”1997年4月,Phys.Lett.,第71卷,第9期,第1165页。高频或微波激励至今没有被实现。由Kummer著的“微波技术基础”(VEB技术出版社,1986年,柏林)还公知了通过空心导体或条形导体引导微波本文档来自技高网...

【技术保护点】
产生等离子区的装置,它尤其通过微结构电极放电用于表面处理、气体化学置换或产生光,及设有一个等离子发生装置(1),其中该装置(1)至少具有一个波导结构(11),其特征在于:设有一个微波发生器,借助它可将电磁微波耦合到波导结构(11)中以产生等离子。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:斯特凡格罗塞约翰内斯福格特
申请(专利权)人:罗伯特博施有限公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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