用于等离子体处理的方法技术

本发明专利技术提供了用于减小以等离子体方式沉积介质层时等离子体不稳定性的方法。在一种实施例中，该方法包括：在等离子体处理室中设置衬底；使气体混合物流入室中；向电极施加ＲＦ功率以在室中形成等离子体；并收集电极的ＤＣ偏压。在另一种实施例中，用于等离子体处理的方法包括：获取多次等离子体产生事件中的ＤＣ偏压信息；并根据这些ＤＣ偏压信息确定ＲＦ功率施加率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及半导体处理技术，更具体地说，涉及用于等离子体处理的方法，该方法适于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理以及 其他等离子体处理。
技术介绍
在集成电路的制造中，经常用等离子体处理来对各种材料层进行沉积 或刻蚀。等离子体处理提供了优于热处理的许多优点。例如，与类似的热 处理相比，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)允许在较低温度和较高 沉积速率下进行沉积处理。因此，对于热要求较严格的集成电路制造，例 如较大规模或超大规模集成电路(VLSI或ULSI)器件制造，PECVD很有 利。集成电路制造中等离子体处理遇到的一个问题是可能由于暴露于非均 匀的等离子体环境(例如电场梯度)而造成器件损坏。例如，等离子体点 火过程中发生的RF功率涌流(power in-rush)可能造成处理区域中非均匀 等离子体的产生和分布。器件易受破坏的程度或水平取决于器件制造的阶 段和具体的器件设计。例如，具有较大天线比率(例如金属互连件的面积 对栅极面积之比)的衬底比具有较小天线比率的衬底更易于在等离子体点 火过程中发生电弧。具有较大天线比率的衬底还易于收集电荷并将荷电效 应放大，从而使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体处理的方法，包括：　　　　在等离子体处理室中设置衬底；　　　　使气体混合物流入所述室中；　　　　向电极施加射频功率以在所述室中形成等离子体；　　　　收集表征所述电极直流偏压的量度；和　　　　响应于收集到的所述量度，对向所述电极施加射频功率的施加参数进行调整。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋杰宏，马修斯普勒，迈克尔S考克斯，马丁杰伊西芒斯，埃米尔奥巴亚缇，金博宏，海彻姆马萨德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]