一种内部可视的碳化硅单晶生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，包括生长坩埚、镜面反射装置和透光反射装置，所述生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，所述坩埚本体内限定出顶部敞开的原料腔，所述坩埚盖设于所述坩埚本体的顶部；所述镜面反射装置倾斜布置在所述坩埚本体的内壁上，且其倾斜角度可随着晶体的生长进行调整；所述透光装置安装在所述坩埚盖上，用于接收所述镜面反射装置反射的光线，并将其传送至所述生长坩埚的外部。本发明专利技术实现了生长坩埚内部情况的可视化，并可以实时观测生长的晶体形状。并可以实时观测生长的晶体形状。并可以实时观测生长的晶体形状。

【技术实现步骤摘要】
一种内部可视的碳化硅单晶生长装置


[0001]本专利技术涉及多铁半导体材料领域，尤其是涉及一种内部可视的碳化硅单晶生长装置。

技术介绍

[0002]物理气相传输法(PVT)作为制备导电型碳化硅晶体最常用的方法之一，主要是通过对碳化硅粉末进行加热，当其温度达到2100℃以上时，碳化硅粉末受热升华并在碳化硅籽晶上沉积、生长，从而成功地长出碳化硅晶体。
[0003]目前，在生产过程中，由于热场设计，内部的石墨坩埚以及外部的保温毡等均为不透明材料，内部光线无法穿透，整个热场形成一个黑箱结构，导致整个晶体生长过程无法探知，只能待晶体生长结束后才可以观察晶体形状，并根据晶体厚度与生长时间估算晶体的平均生长速度。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术在于提出一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，可实现碳化硅晶体生长过程的可视化，实时观测晶体形状。
[0005]根据本专利技术实施例中内部可视的碳化硅单晶生长装置，包括：
[0006]生长坩埚，所述生长坩埚包括坩埚本体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：生长坩埚，所述生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，所述坩埚本体内限定出顶部敞开的原料腔，所述坩埚盖设于所述坩埚本体的顶部；镜面反射装置，所述镜面反射装置倾斜布置在所述坩埚本体的内壁上，且其倾斜角度可随着晶体的生长进行调整；透光反射装置，所述透光装置安装在所述坩埚盖上，用于接收所述镜面反射装置反射的光线，并将其传送至所述生长坩埚的外部。2.根据权利要求1所述的一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述透光反射装置包括透光装置和反射装置，所述透光装置包括：第一光线通道，所述第一光纤通道开设于所述坩埚盖上正对所述镜面反射装置的位置，并贯穿所述坩埚盖，用于将内部光线的反射导出；透光板，所述透光板有两个，分别安装在所述第一光线通道的两端；所述反射装置布置在所述坩埚盖的外部，并安装在所述第一光线通道处，用于接收经透光装置导出的光线，并将其再次反射导出。3.根据权利要求2所述的一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，还包括降温组件，所述降温组件包括进气管道和出气管道，所述进气管道、所述出气管道均与所述第一光线通道连通，所述进气管道内通有冷却气体。4.根据权利要求2所述的一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述反射装置包括：外壳，所述外壳内限定出底部敞开的光线反射腔，所述光线反射腔的敞开口正对所述第一光线通道布置；反射板，所述反射板倾斜布置在所述光线反射腔内，以将接收的光线再次反射；其中，所述外壳上设有连通所述光线反射腔和所述外壳外部的第二光线通道，以供反射板反射的光线向所述外壳外部导出。5.根据权利要求4所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：许成凯，陈俊宏，
申请(专利权)人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：