温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，包括生长坩埚、镜面反射装置和透光反射装置，所述生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，所述坩埚本体内限定出顶部敞开的原料腔，所述坩埚盖设于所述坩埚本体的顶部；所述镜面反射装置倾斜布置在所述坩埚本体的内壁上...
该专利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。