电极及真空处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板（３）的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极（１７Ａ、１７Ｂ）；在多个电极（１７Ａ、１７Ｂ）之间，沿着电极（１７Ａ、１７Ｂ）延伸的缓冲室（２５）；多个第一喷出口（２７），其沿着电极（１７Ａ、１７Ｂ）延伸的方向设置，向缓冲室（２５）内供给反应气体；多个第二喷出口（２３），其形成为在电极（１７Ａ、１７Ｂ）延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室（２５）朝向被处理基板（３）供给反应气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电极及真空处理装置。
技术介绍
在现有的等离子体CVD装置等中，向配备在真空等离子体处理装置 内部的梯子状的气体吹出型电极供给反应气体，使其在等离子体气氛内进 行分解反应而在基板(被处理基板)上形成薄膜。(例如，参考专利文献l)专利文献l:特开2000-12471号公报另外，为了应对近几年的成膜速度的高速化要求，有必要在电极和基 板之间供给大量的反应气体。另一方面，为应对提高成膜品质的要求，有 必要提高被供给的反应气体的气压，并且，縮窄电极和基板之间的距离(间 隔长)。在这种情况下，有必要将反应气体的供排气设置在电极和基板之 间的附近区域。可是，当将供给反应气体的喷出孔设置于基板附近时，会 产生根据从喷出孔喷出的反应气体的喷流在基板上形成的成膜分布等不 均匀的问题。在上述高压气体条件下，为了成膜为高品质的膜，有必要将等离子体 放电关入电极和基板之间，只在形成等离子体放电的等离子体放电区域通 入反应气体，并且，有必要将成膜使用的反应气体快速排气。在上述高压 气压条件中，在气相中反应气体彼此的反应速度大，容易形成分子量大的 气体分子(微粒子)。如果该微粒子进入成膜中的膜中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电极，其特征在于，具有：　多个电极，其沿着被处理基板的面隔着规定间隔并排延伸；　缓冲室，其在该多个电极之间沿着所述电极延伸；　多个第一喷出口，其沿着所述电极延伸的方向设置，向所述缓冲室内供给反应气体；　第二喷出口，其形成为在所述电极延伸的方向延伸的狭缝状，从所述缓冲室朝向所述被处理基板供给所述反应气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐竹宏次，坂井智嗣，弥政敦洋，渡边俊哉，山越英男，茂中俊明，
申请(专利权)人：三菱重工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]