升降式真空共晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种升降式真空共晶炉，包括真空腔体、载台、真空电极和载台升降装置。载台内设有均匀排列的管状加热器，真空电极设置在真空腔体的底部，载台升降装置固定在真空腔体外侧的底面上，载台升降装置的顶部穿过真空腔体底面的中心通孔连接并支撑在载台的底面上，冷却管路均匀排列在真空腔体的底面内。相对独立的升温和降温系统，提高了真空共晶炉的使用安全性，避免了温度的相互干扰，满足了升温和降温曲线的要求，载台升温过程更直接、更可靠，降温过程更均匀，整体结构简单、组装方便。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种真空共晶炉，特别涉及一种带有升降载台的升降式真空共晶炉，属于焊接加工设备领域。
技术介绍
真空共晶炉是芯片焊接加工领域中的一种常见设备，其采用真空腔体的方式，将芯片放置在腔体内的载台上，利用加热管和冷却管的升温及降温处理，完成芯片焊接过程。真空共晶炉的主要考核指标包括：升温速率、降温速率、温度均匀性、真空度及漏率等。现有真空共晶炉在解决升温速率和保持温度均匀性的问题上主要以材料和零部件选择搭配为主，如：使用石墨、纯铜或铸铝等不同材质制作载台；选择金属铠装加热器、红外加热器或卤素加热器等作为加热器具；选择气冷、水冷或水气结合的方式进行载台冷却等。其结果虽然使真空共晶炉的使用性能得到一定的提升，但相应的弊端也会同时显现，如：1、在结构规定范围内，以不同材质制成不同的载台，收效不明显。因为在真空腔体内没有空气对流，热辐射少，主要以接触式热传导为主，材料的选择对于快速升温、降温需要难有突破；2、冷却方式以水冷为主，但运用真空共晶炉焊接的产品，本身价值很高，管路焊接很容易产生渗漏现象，风险较高；3、传统水冷方式直接将管路引入载台或真空腔体中，对管路质量和密封质量要求较高，产品成本增加，装配效率明显降低；4、加热器与冷却管路在一个载台或空腔内，危险性较高，不利于安全生产。于是，设计一种全新结构的真空共晶炉，提高真空共晶炉的使用性能，就成为本技术想要解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述现有情况和不足，本技术旨在提供一种可水电分开，并且能够实现载台快速升温和降温的升降式真空共晶炉，以提高真空共晶炉的使用性能，确保使用安全性和可靠性。本技术是通过以下技术方案来实现的：一种升降式真空共晶炉，包括真空腔体和位于真空腔体内的载台，载台内设有均匀排列的管状加热器，还包括真空电极和一个载台升降装置，真空电极设置在真空腔体的底面，真空电极的顶部位于真空腔体内，真空电极的顶部与管状加热器的输入和输出端连通；载台升降装置的底部固定在真空腔体外侧的底面上，载台升降装置的顶部穿过真空腔体底面的中心通孔连接并支撑在载台的底面上；真空腔体的底面内均匀排列有冷却管路，冷却管路的出、入端位于真空腔体的外侧。所述载台升降装置包括支架、气缸、连杆、载台固定板、上密封盖、上密封圈、下密封盖和下密封圈；支架固定在真空腔体外侧的底面上；气缸固定在支架上；载台固定板固定在载台的底部；连杆穿过中心通孔连接在缸杆和载台固定板之间；上密封盖、上密封圈、下密封盖和下密封圈分别套在连杆上，相互配合的上密封盖和上密封圈密封在中心通孔的顶部端面上，相互配合的下密封盖和下密封圈密封在中心通孔的底部端面上。所述真空腔体的内侧底面上还设有与载台固定板形状匹配的凹坑，凹坑的深度与载台固定板的厚度相同；所述上密封盖嵌入在凹坑的底面内。所述支架的形状为‘L’形。本技术所述的一种升降式真空共晶炉的有益效果包括：1、利用载台升降装置将载台的升温和降温过程分离，避免了升温过程和降温过程的相互干扰，形成了相对独立的升温和降温系统，使真空共晶炉的使用安全性明显提高；2、简化了载台结构，方便了载台组装，载台的加热升温过程更直接、更稳定、更可靠；3、冷却管路安装在真空腔体的底面内，使冷却过程更均匀，冷却效果更易控制和调节；4、真空腔体底面的凹坑设计，实现了载台底面与真空腔体底面的充分接触，保证了冷却过程快速、可靠、有效进行；5、载台升降装置和冷却管路的出、入端均在真空腔体的外侧，避免了对真空腔体内空间的占用，提高了真空腔体内部空间的利用效率，方便了真空共晶炉的组装过程。附图说明图1为本技术的结构示意简图；图2为本技术的正面结构示意图；图3为图2的A-A向剖视图。具体实施方式本技术的中心是：通过将冷却管路与加热器分离，使真空共晶炉的安全性提高，同时，通过可升降载台实现腔体内的加热和冷却过程独立进行，避免了相互间的温度干扰，使焊接过程所需的升温曲线和降温曲线更易实现。下面结合附图1、图2、图3对本技术做进一步的描述：本技术所述的一种升降式真空共晶炉，包括真空腔体1、位于真空腔体1内的载台2、真空电极15和载台升降装置。载台2内设有均匀排列的管状加热器3，管状加热器3的输入和输出端排列在载台2的一侧，管状加热器3可直接对载台2进行加热。真空电极15安装在真空腔体1的底面上，真空电极15的顶部位于真空腔体内，并且与管状加热器3的输入和输出端连通。载台升降装置包括支架4、气缸5、连杆6、载台固定板14、上密封盖10、上密封圈9、下密封盖8和下密封圈7。支架4的形状为‘L’形，‘L’形支架4的长端固定在真空腔体外侧的底面上，气缸5固定在‘L’形支架4的短端端面上。载台固定板14固定在载台2的底部，连杆6穿过真空腔体底面的中心通孔连接在缸杆11和载台固定板14之间。为使载台2能够与真空腔体1的底面充分接触，在真空腔体1的内侧底面上还设有与载台固定板14形状匹配的凹坑13，凹坑13的深度与载台固定板14的厚度相同，这样，当载台2下降时，载台固定板14嵌入到凹坑13中，载台底面与真空腔体1的底面可以充分接触。为保证真空腔体1的密封性，在中心通孔的顶部端面上还安装有相互配合的上密封盖10和上密封圈9，在中心通孔的底部端面上安装有相互配合的下密封盖8和下密封圈7。上密封盖10、上密封圈9、下密封盖8和下密封圈7分别套在连杆6上，其中，上密封盖10嵌入并固定在凹坑13的底面内，下密封盖8固定在真空腔体1的外侧底面上。为形成相对独立的加热和冷却系统，避免相互干扰，冷却管路16被均匀排列在真空腔体1的底面内，冷却管路16的出、入端位于真空腔体1的外侧。工作过程中，首先将待焊接芯片及电路板放置在载台2上，利用气缸5带动连杆6将载台2向上推起，载台底部与真空腔体1的内表面脱离；然后，利用真空电极15为管状加热器3供电，管状加热器3对载台2进行升温，电路板上焊锡熔化，待焊接芯片开始焊接；接着，连通位于真空腔体底面内的冷却管路16，冷却液对真空腔体1进行降温；最后，通过气缸5和连杆6带动载台2向下运动，载台固定板14嵌入到凹坑13中，载台底面与真空腔体1的内表面充分接触，真空腔体1对载台2进行降温，焊点固定，待焊接芯片及电路板温度降低，一次焊接过程完成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升降式真空共晶炉，包括真空腔体和位于真空腔体内的载台，所述载台内设有均匀排列的管状加热器，其特征在于，还包括真空电极和一个载台升降装置，所述真空电极设置在真空腔体的底面，真空电极的顶部位于真空腔体内，真空电极的顶部与管状加热器的输入和输出端连通；所述载台升降装置的底部固定在真空腔体外侧的底面上，载台升降装置的顶部穿过真空腔体底面的中心通孔连接并支撑在载台的底面上；所述真空腔体的底面内均匀排列有冷却管路，冷却管路的出、入端位于真空腔体的外侧。

【技术特征摘要】
1.一种升降式真空共晶炉，包括真空腔体和位于真空腔体内的载台，所述载台内设有均匀排列的管状加热器，其特征在于，还包括真空电极和一个载台升降装置，所述真空电极设置在真空腔体的底面，真空电极的顶部位于真空腔体内，真空电极的顶部与管状加热器的输入和输出端连通；所述载台升降装置的底部固定在真空腔体外侧的底面上，载台升降装置的顶部穿过真空腔体底面的中心通孔连接并支撑在载台的底面上；所述真空腔体的底面内均匀排列有冷却管路，冷却管路的出、入端位于真空腔体的外侧。2.根据权利要求1所述的升降式真空共晶炉，其特征在于，所述载台升降装置包括支架、气缸、连杆、载台固定板、上密封盖、上密封圈、下密...

【专利技术属性】
技术研发人员：张延忠，赵永先，
申请(专利权)人：北京中科同志科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11