【技术实现步骤摘要】
本技术是有关 一 种掩膜盒以及掩膜传送盒,特别是指其中可防止静电放电破坏的掩膜盒以及传送 合
技术介绍
近代半导体科技发展迅速,其中光学光刻技术(Optical Lithography)扮演重要的角色,只要是关于 图形(pattern)定义,皆需仰赖光学光刻技术。光学光刻技术在半导体的应用上,是将设计好的 线路制作成具有特定形状可透光的掩膜(photo mask)。 利用曝光原理,则光源通过掩膜投影至硅晶圆(silicon wafer)可曝光显示特定图案。由于任何附着于掩膜上 的尘埃颗粒(如微粒、粉尘或有机物)都会造成投影 成像的品质劣化,用于产生图形的掩膜必须保持绝对 洁净,因此在 一 般的晶圆制程中,都提供无尘室(clean room)的环境以避免空气中的颗粒污染。然而,目前室也无法达到绝对无尘状态。现代的半导体制用抗污染的掩膜盒(reticle pod)进行掩膜的保 输,以使掩膜保持洁净。知的掩膜盒多以高分子材质所构成,此种高分 具有成型容易、价格低廉以及可形成透明体的 此种绝缘电阻高的高分子材质容易因为磨擦或 产生静电,尤其是无尘室的作业环境需要保持 度 ...
【技术保护点】
一种掩膜盒,其特征在于,该掩膜盒包括: 一第一盖体;以及 一第二盖体,与第一盖体组合形成一内部空间,可容置至少一掩膜; 其中,该第一以及第二盖体至少其中之一具有一本体,该本体面对该内部空间的表面上设有多数个支撑件或限制件,该支撑件或限制件材质为静电消散材。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王建峰,
申请(专利权)人:家登精密工业股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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