半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括基底、和位于所述基底部分表面的凸部结构；位于所述基底表面、所述凸部结构的侧壁表面和所述凸部结构的顶部表面的薄膜层，所述薄膜层内具有缝隙面，所述薄膜层包括位于凸部结构侧壁表面的第一区以及位于基底表面的第二区，所述第一区和第二区之间具有交接面，且所述缝隙面和所述交接面不重合，使处于受力最大的交接面位于缝隙面外，减少缝隙面处受力，从而使形成的薄膜的力学稳定性能较好，减少造成薄膜脱落异常的概率，提高所形成的半导体结构的性能。所形成的半导体结构的性能。所形成的半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺，通过在沉积室利用辉光放电，使反应气体电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。在现有的半导体领域中，PECVD技术作为一种常见薄膜生长的技术，在半导体工艺中具有不可或缺的作用。
[0003]当被沉积的衬底表面不平整(如具有台阶)时，PECVD制程中沉积的薄膜会按被沉积表面的图形形貌来生长。然而，由于PECVD的生长机理，在台阶处，沿垂直于衬底表面生长的第一薄膜和沿台阶侧面的生长第二薄膜由于生长速率的不同，难以避免地会在第一薄膜和第二薄膜之间形成缝隙，所述缝隙容易造成所形成的薄膜的力学稳定性能较差，如造成薄膜脱落等异常，使形成的半导体结构性能较差。
[0004]因此，现有的PECVD工艺形成的半导体结构性能有待进一步改善。

技术实现思路

>[0005]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底、和位于所述基底部分表面的凸部结构；位于所述基底表面、所述凸部结构的侧壁表面和所述凸部结构的顶部表面的薄膜层，所述薄膜层内具有缝隙面，所述薄膜层包括位于凸部结构侧壁表面的第一区以及位于基底表面的第二区，所述第一区和第二区之间具有交接面，且所述缝隙面和所述交接面不重合。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述基底表面的薄膜层厚度范围为小于4微米；位于凸部结构侧壁表面的薄膜层厚度范围为小于4微米。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸部结构的侧壁和所述基底表面之间具有第一交线；所述第一区包括位于凸部结构侧壁表面的第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第二区包括位于基底表面的第三面以及与所述第三面相对的第四面，所述第二面和所述第四面之间具有第二交线。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述交接面自第一交线延伸至第二交线。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缝隙面自第一交线延伸至第二面；或者，所述缝隙面自第一交线延伸至第四面。6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、和位于所述基底部分表面的凸部结构；在所述基底表面、所述凸部结构的侧壁表面和所述凸部结构的顶部表面形成薄膜材料层，所述薄膜材料层内具有缝隙面，所述薄膜材料层的形成工艺在所述基底表面的沉积速率不同于在所述凸部结构侧壁表面的沉积速率；回刻所述衬底表...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑜彬，熊鹏，李斌，叶偲偲，徐一凡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：