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一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底,所述衬底包括基底、和位于所述基底部分表面的凸部结构;位于所述基底表面、所述凸部结构的侧壁表面和所述凸部结构的顶部表面的薄膜层,所述薄膜层内具有缝隙面,所述薄膜层包括位于凸部结构侧壁表面的第一区...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底,所述衬底包括基底、和位于所述基底部分表面的凸部结构;位于所述基底表面、所述凸部结构的侧壁表面和所述凸部结构的顶部表面的薄膜层,所述薄膜层内具有缝隙面,所述薄膜层包括位于凸部结构侧壁表面的第一区...