超结MOSFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体功率器件技术领域，本发明专利技术提供一种超结MOSFET器件的制造方法，其包括下列步骤：在衬底上生长N

【技术实现步骤摘要】
超结MOSFET器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种超结MOSFET器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]超结MOSFET(Super junction MOSFET)是一种功率半导体器件，因为超结MOSFET比传统功率器件MOSFET多利用了电荷平衡的原理，所以超结MOSFET打破了传统功率器件比导通电阻Ron和耐压BV的关系：Ron
∝
BV2.5(也称硅极限)，目前在中高压领域得到广泛应用。
[0003]超结MOSFET的制造方法分为三种：多外延方法、沟槽外延填充方法和沟槽离子注入方法。其中，沟槽离子注入方法相比其他两种制备方法而言，在工艺制程上更加简便，且生产成本更低。目前，使用沟槽离子注入方法形成的超结MOSFET有平面型超结VDMOSFET和沟槽型超结VDMOSFET两种，其中平面型超结VDMOSFET的缺点是pitch尺寸过大，Ron.sp较大，会浪费大量芯片面积；而沟槽型超结VDMOSFET虽然可以改善平面型VDMOSFET的缺点，但是在沟槽型超结VDMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超结MOSFET器件的制造方法，其特征在于：所述超结MOSFET器件的制造方法包括下列步骤：S100：在所述衬底上生长N
‑
漂移区；S200：在所述N
‑
漂移区上生长氧化层，并蚀刻部分所述氧化层和部分所述N
‑
漂移区形成沟槽；S300：在所述沟槽的侧壁生长一层厚度小于300埃米的氧化层，同时利用步骤S200中剩余的氧化层作为硬掩模，对所述沟槽的侧壁进行第一倾斜角度α的P型离子注入，形成P超结区；S400：利用步骤S300中剩余的氧化层作为硬掩模，进行第二倾斜角度β的N型离子注入，形成N
‑
反型区；S500：去除步骤S400中剩余的氧化层，接着在所述沟槽内形成绝缘层，然后在所述绝缘层上生长栅极氧化层，并在所述栅极氧化层上生长栅极；S600：从所述N
‑
漂移区的上表面注入P型离子，形成PW区；S700：从所述PW区的上表面注入N型离子，然后进行高温退火处理，形成N+源区。2.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件的制造方法，其特征在于：所述第二倾斜角度β大于所述第一倾斜角度α。3.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件的制造方法，其特征在于：在步骤S300中，先是朝着所述沟槽的一面侧壁进行第一次注入操作，之后旋转180
°
再朝着所述沟槽的另一面侧壁进行第二次注入操作。4.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守一，陈志鹏，蔡铭进，
申请(专利权)人：厦门芯达茂微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：