发光器件制造技术

本发明专利技术揭示了以激光振荡器为代表的发光器件，该激光振荡器由场致发光材料构成，具有改进的激光振荡效率和平稳降低的耗电特性。所揭示的发光器件包括发光元件，该发光元件包括具有凹部分的第一电极，用作为激光介质、在第一电极上形成的，同凹部分重叠的场致发光层，形成在场致发光层上同凹部分重叠的第二电极，在场致发光层中产生的光在第一电极与第二电极之间谐振，从第二电极作为激光反射，激光的光轴同第二电极相交，第一电极在凹部分具处有曲面，曲面的曲率中心位于在第一电极上面的第二电极的一侧。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括场致发光材料的发光器件。
技术介绍
半导体激光器有极其制造成小尺寸和同别的气体激光器或固体激光器相比较激光振荡器重量轻的优点。半导体激光器放置在各种场合中的实际使用作为通过在光集成电路中光互连的方法用于发送和接收信号的光源；用于在光盘、光存储器等上记录；用于有光导纤维的光通信作为光制导。半导体激光器的振荡波长有蓝色到红外区的宽广范围。通常使用的半导体激光器的主振荡波长是在红外区域例如GaAs激光器(波长为0.84μm)、InAs激光器(波长为3.11μm)、InSb激光器(波长为5.2μm)、GaAlAs(波长为0.72到0.9μm)、或者InGaAsP(波长为1.0到1.7μm)。在最近几年中，对具有在可见光区域中振荡波长的半导体激光器的实际应用方面的研究已有所加强。能产生激光器振荡的激光振荡器(有机半导体激光器)已引起注意，该激光振荡器包括能通过对其施加电场而产生发光(场致发光或称电致发光)的场致发光材料。这样的有机半导体激光器能发射可见光波长，并能在低成本的玻璃基底上制成。因此，这样的有机半导体激光器期望用于各种用途。具有峰值波长λ在510nm处的有机半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其特征在于，所述器件包括：具有凹部分的第一电极；在所述第一电极上形成的复盖所述凹部分的场致发光层；在所述场致发光层上形成的同所述凹部分重叠的第二电极，所述第一电极在所述凹部分处具有曲面， 所述曲面的曲率中心位于所述第一电极上的所述场致发光层，所述第二电极具有平面，以及在所述场致发光层中产生的光在所述第一层与所述第二电极之间谐振，从所述第二电极作为激光发射。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，野村亮二，下村明久，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]