真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘制造技术

本发明专利技术提供了一种真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘，涉及半导体设备的技术领域。真空吸附加热盘的沟槽结构包括加热盘盘体；加热盘盘体上开设有至少三个供顶针升降的顶针孔、多个用于抽吸气体的吸附孔和多道吸附流道，吸附流道与吸附孔连通；吸附流道的最外围位于多个顶针孔围成的圆的外侧，且顶针孔位于吸附流道围成的范围外；加热盘盘体位于吸附孔处开设有抽气流道。真空吸附加热盘包括真空吸附加热盘的沟槽结构。达到了真空吸附加热盘和晶圆之间传热均匀的技术效果。和晶圆之间传热均匀的技术效果。和晶圆之间传热均匀的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体而言，涉及真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘。

技术介绍

[0002]亚大气压化学气相沉积(SACVD)工艺在降低的(或亚大气压)压力下进行。减压倾向于减少不需要的气相反应，从而改善晶片上的薄膜均匀性。许多传统的SACVD工艺提供了膜和/或涂层的高纯度和均匀性以及保形台阶覆盖。
[0003]然而，在某些应用中，已经观察到传统的SACVD工艺表现出沉积膜的高厚度不均匀性，从而降低质量和产率。这种厚度不均匀性被认为至少部分是由于工艺中所涉及的晶圆的不均匀热分布造成的。晶圆的不均匀热分布至少部分是由于真空吸附加热盘和晶圆之间的不均匀传热导致的。
[0004]因此，提供一种提高真空吸附加热盘与晶圆之间热传递均匀的真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热，以缓解现有技术中真空吸附加热盘和晶圆之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空吸附加热盘的沟槽结构，其特征在于，包括：加热盘盘体(100)；所述加热盘盘体(100)上开设有至少三个供顶针升降的顶针孔(200)、多个用于抽吸气体的吸附孔(300)和多道吸附流道，所述吸附流道与所述吸附孔(300)连通；所述吸附流道的最外围位于所述多个所述顶针孔(200)围成的圆的外侧，且所述顶针孔(200)位于所述吸附流道围成的范围外；所述加热盘盘体(100)位于所述吸附孔(300)处开设有抽气流道。2.根据权利要求1所述的真空吸附加热盘的沟槽结构，其特征在于，所述吸附流道的槽宽小于所述顶针孔(200)的直径。3.根据权利要求1所述的真空吸附加热盘的沟槽结构，其特征在于，所述吸附流道的槽宽在0.3
‑
1.5mm之间。4.根据权利要求3所述的真空吸附加热盘的沟槽结构，其特征在于，所述吸附流道的槽宽在0.3
‑
1mm之间。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的真空吸附加热盘的沟槽结构，其特征在于，所述吸附流道包括内圈吸附凹槽(410)、外圈吸附凹槽(420)和连接吸附凹槽(430)；所述连接吸附凹槽(430)的一端与所述内圈吸附凹槽(410)连通，另一端与所述外圈吸附凹槽(420)连通；所述内圈吸附凹槽(410)位于多个所述顶针孔(200)围成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋宇，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：