【技术实现步骤摘要】
接触式晶圆固定平台
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种接触式晶圆固定平台。
技术介绍
[0002]晶圆在加工工艺过程中需要经历喷淋、旋转、冲洗等一系列外部动作的影响，因此通常在晶圆的固定平台上设置真空通道对晶圆的背面进行吸附，既不影响晶圆正面的加工，又能提升晶圆在平台上的稳定性。
[0003]随着半导体产业的发展，已经由最早的4英寸、6英寸、8英寸小硅片晶圆工艺，发展至以12英寸为主流的大硅片晶圆的工艺。相应的，晶圆固定平台也由原来的4、6英寸的小硅片固定平台和8英寸的固定平台发展至12英寸的固定平台。
[0004]因相关工艺的需求，部分半导体生产企业仍保留着8英寸或者更小尺寸的生产工艺，为了提高设备的利用率，需要设置转换装置，以使装载固定大尺寸晶圆的固定平台也能固定小尺寸的晶圆。
[0005]现有技术中通过在固定平台的背面设置真空阀控制固定平台内的气路走向，以适应不同尺寸晶圆的固定。但这种方式会增加系统控制的复杂度，且会提升制造成本。
技术实现思路
[0006...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种接触式晶圆固定平台，其特征在于，包括：第一支撑件，设有第一支撑平面、第一气路通道、第二气路通道和第三气路通道，所述第一支撑平面用于支撑第一尺寸的晶圆，所述第一气路通道与所述第二气路通道连通，且所述第一气路通道与所述第三气路通道连通，所述第一气路通道用于与外部负压源连通，所述第二气路通道与所述第一支撑平面连通，所述外部负压源用于通过所述第一气路通道和所述第二气路通道对所述第一尺寸的晶圆进行负压吸附、固定；第二支撑件，环绕设置于所述第一支撑件外侧，设有第二支撑平面和第四气路通道，所述第二支撑平面的直径大于所述第一支撑平面的直径，所述第二支撑平面用于支撑第二尺寸的晶圆，所述第四气路通道的一端与所述第二支撑平面连通，所述第四气路通道的另一端用于与所述第三气路通道连通，所述外部负压源还用于通过所述第一气路通道、所述第三气路通道和所述第四气路通道对所述第二尺寸的晶圆进行负压吸附、固定；所述第二支撑件还设有封堵部，所述封堵部相对于所述第一支撑件活动设置，所述封堵部用于隔断所述第一气路通道与所述第三气路通道的连通，同时使所述第一气路通道与所述第二气路通道保持连通；或所述封堵部用于隔断所述第一气路通道与所述第二气路通道的连动，同时使所述第一气路通道与所述第三气路通道保持连通。2.根据权利要求1所述的接触式晶圆固定平台，其特征在于，所述封堵部包括第一封堵部，所述第一封堵部设有第一段部和第二段部，所述第一段部与所述第二段部同轴设置，且所述第一段部设置于所述第二段部远离所述第二支撑件的一侧；所述第二气路通道的顶端延伸至所述第一支撑平面，所述第二气路通道的底端延伸至所述第一气路通道和所述第三气路通道之间，并与所述第一气路通道和所述第三气路通道均连通；当所述第一段部封堵所述第二气路通道时，所述第一气路通道和所述第三气路通道通过所述第二段部连通，当所述第一段部用于封堵所述第三气路通道时，所述第一气路通道和所述第二气路通道连通。3.根据权利要求2所述的接触式晶圆固定平台，其特征在于，所述第一支撑件还设有第一容置槽，所述第一容置槽与所述第三气路通道同轴设置，且所述第一容置槽与所述第一气路通道、所述第二气路通道和所述第三气路通道均连通；所述第一封堵部可移动的位于所述第一容置槽，且所述第一段部可通过第一容置槽移动至所述第二气路通道。4.根据权利要求3所述的接触式晶圆固定平台，其特征在于，所述第一气路通道和所述第三气路通道沿所述第一支撑件的径向同轴设置，所述第一段部设有第一通孔，所述第二段部设有第二通孔；当所述第一段部封堵所述第二气路通道时，所述第一气路通道和所述第三气路通道通过所述第二通孔连通，当所述第一段部封堵所述第三气路通道时，所述第一气路通道通过所述第一通孔与所述第二气路通道连通。5.根据权利要求3所述的接触式晶圆固定平台，其特征在于，所述第一气路通道和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：武瑞杰，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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