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本发明提供了一种真空吸附加热盘的沟槽结构及真空吸附加热盘，涉及半导体设备的技术领域。真空吸附加热盘的沟槽结构包括加热盘盘体；加热盘盘体上开设有至少三个供顶针升降的顶针孔、多个用于抽吸气体的吸附孔和多道吸附流道，吸附流道与吸附孔连通；吸附流道...
该专利属于拓荆科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技股份有限公司授权不得商用。

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