【技术实现步骤摘要】
静电吸盘
[0001]本申请涉及半导体制造
,特别是涉及一种静电吸盘。
技术介绍
[0002]静电吸盘被广泛应用于集成电路(IC)制造中,如应用于等离子刻蚀(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等,承载晶圆以避免其在工艺过程中出现移动或错位,并为晶圆提供射频偏压和控制晶圆表面的温度。
[0003]随着第三代宽禁带半导体的飞速发展,对用于半导体器件,特别是SiC器件制造的高温静电吸盘的需求急剧上升。高温静电吸盘的技术要求极高,温度控制精度需达到
±
2℃,且从室温升温至500℃的时间不超过20分钟,温度范围需要达到100
‑
700℃,以使得保持在高温静电吸盘上的晶圆达到预期的温度(如500℃以上),保障晶圆的成膜或刻蚀等工艺精度。
[0004]现有高温静电吸盘大多是利用制冷机组冷却流经静电吸盘的冷却液来对静电吸盘进行冷却降温,并与静电吸盘上设置的加热电极相配合实现对静电吸盘的实时控温。但是,静电吸盘的冷却降温要求其各层材料之间能够迅速地进行热传导,即 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘(100),其特征在于,包括吸盘主体(20)、散热基座(40)以及设置于所述吸盘主体(20)和散热基座(40)之间的导热腔体(30),所述吸盘主体(20)内设置有静电电极(24)和加热电极(26),所述静电电极(24)用于产生静电引力,所述加热电极(26)用于产生热量,所述导热腔体(30)内形成内腔(32),所述内腔(32)中填充有导热介质(34),所述导热介质(34)在相对较低的第一温度时具有第一导热系数、在相对较高的第二温度时具有第二导热系数,所述第一导热系数大于第二导热系数,使得所述导热腔体(30)在第一温度时的热传导性能大于在第二温度时的热传导性能。2.如权利要求1所述的静电吸盘(100),其特征在于,所述内腔(32)中的导热介质(34)为相变材料,所述相变材料在第一温度时为固相、在第二温度时为液相,并且所述相变材料的熔点相对于所述静电吸盘(100)的最高工作温度低20
‑
400℃。3.如权利要求2所述的静电吸盘(100),其特征在于,所述相变材料的熔点为20
‑
350℃。4.如权利要求3所述的静电吸盘(100),其特征在于,所述相变材料为锡、铟、铅、钠、钾、铋中的一种或者其合金。5.如权利要求1所述的静电吸盘(100),其特征在于,所述内腔(32)中的导热介质(34)...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚丛雪,常籽萱,张巨先,
申请(专利权)人:烟台睿瓷新材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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