【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过确实地避免当例如在其上形成有阳极的衬底的表面上形成有机层时由于有机物等引起的不利影响而稳定地制造高质量有机EL器件方法。
技术介绍
对于以平板类型显示器为代表的下一代显示器的应用，利用有机化合物的电致发光器件(有机EL器件)被认为是迄今还没有获得的具有高转换效率的基于电/光转换的器件，并且在最近几年中，迅速地进行其研发。 作为有机EL器件的一个例子，示例了有机EL器件101，其中将空穴注入层104、空穴传输层105、发射层106、电子传输层107，以及背电极(阴极)108层叠在衬底102的表面上，衬底102包括透明材料例如玻璃，具有包括透明导电膜例如在前一个步骤中在其表面上形成的ITO膜的阳极(例如，空穴注入电极)103，以及最终用密封材料109封装整体，在图5中显示其横截面。在这种构造中，空穴注入层104、空穴传输层105、发射层106，以及电子传输层107每个都是具有各自功能的包括有机化合物的有机层。 可以使用例如在图6中显示了其略图的用于在表面上形成有阳极的衬底的表面上形成有机层的装置(有机层形成装置)来制造图5中所示的有机EL器件...
【技术保护点】
一种有机ＥＬ器件的制造方法，其特征在于，用臭氧气体清洗装配有用于在衬底的表面上形成有机层的有机膜形成室的有机ＥＬ器件制造装置的内部，然后形成有机层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1中描述的。 在权利要求2中描述的制造方法其特征在于，在权利要求1所描述的制造方法中，衬底是已形成电极的衬底。 在权利要求3中描述的制造方法其特征在于，在权利要求1或2所描述的制造方法中，有机EL器件制造装置是这样的有机EL器件制造装置，其至少装配有用于在衬底的表面上形成有机层的有机膜形成室，以及在其内部提供有机器人用于将衬底发送到有机膜形成室的输送室；并且利用将放置在有机膜形成室内部的沉积源交换为新沉积源的时间，用臭氧气体清洗输送室的内部，然后形成有机层。 在权利要求4中描述的制造方法其特征在于，在权利要求1或2所描述的制造方法中，当新近制造有机EL器件制造装置或者拆卸和检修装置时，用臭氧气体清洗装置的内部，然后形成有机层。 本发明的有机EL器件制造装置的清洗方法其特征在于，用臭氧气体清洗装配有用于在衬底的表面上形成有机层的有机膜形成室的有机EL器件制造装置的内部，如在权利要求5中描述的。 在权利要求6中描述的清洗方法其特征在于，在权利要求5所描述的清洗方法中，衬底是已形成电极的衬底。 在权利要求7中描述的清洗方法其特征在于，在权利要求5或6所描述的清洗方法中，有机EL器件制造装置是这样的有机EL器件制造装置，其至少装配有用于在衬底的表面上形成有机层的有机膜形成室，以及在其内部提供有机器人用于将衬底发送到有机膜形成室的输送室；并且利用将放置在有机膜形成室内部的沉积源交换为新沉积源的时间，用臭氧气体清洗输送室的内部。 在权利要求8中描述的清洗方法其特征在于，在权利要求5或6所描述的清洗方法中，当新近制造有机EL器件制造装置或者拆卸和检修装置时，用臭氧气体清洗装置的内部。 发明效果根据本发明，提供了一种方法，通过确实地避免当在已形成电极的衬底等的表面上形成有机层时由于有机物等引起的不利影响而稳定地制造高质量有机EL器件。附图说明图1是显示实例1中伪样衬底的表面上的水接触角的平均值的转变的曲线。 图2是显示实例1中有机EL器件的性能的比较。 图3是显示实例2中伪样衬底的表面上的水接触角的平均值的转变的曲线。 图4是显示实例2中有机EL器件的性能的比较。 图5是有机EL器件的构造的一个例子的横截面视图。 图6是有机层形成装置的一个例子的示意图。 附图标号和标记的描述1 装载室2，6，10 输送室3 预处理室4，7，8，11 有机膜形成室5，9 装料室12 电极膜形成室13 封装室14 卸载室a～l 闸门阀101 有机EL器件 102 衬底103 阳极104 空穴注入层105 空穴传输层106 发射层107 电子传输层108 背电极(阴极)109 密封材料具体实施方式本发明的有机EL器件的制造方法其特征在于用臭氧气体清洗装配有用于在衬底的表面上形成有机层的有机膜形成室的有机EL器件制造装置的内部，然后形成有机层。此外，本发明的有机EL器件制造装置的清洗方法其特征在于用臭氧气体清洗装配有用于在衬底的表面上形成有机层的有机膜形成室的有机EL器件制造装置的内部。 如上所述，在专利文献2等中提出了一种方法，将前一个步骤中制造的已形成电极的衬底放置到有机层形成装置，在预处理室中用臭氧气体清洗衬底以去除粘附到衬底的表面的大气中的有机物等，通过输送室将衬底发送到有机层形成室，以及在衬底的表面上形成有机层。但是，没有现有技术参考资料描述或建议有机层形成装置本身作为清洗对象，用臭氧气体清洗装置的内部，然后在已形成电极的衬底的表面上形成有机层。 在本发明中，不特别地限制用臭氧气体清洗有机EL器件制造装置的内部的方法。例如，可以执行实施方案，其中将臭氧机(臭氧发生装置)所产生的臭氧气体提供到装置的内部。可以通过例如根据有机层的形成步骤使伪样衬底(dummy substrate)穿过装置的内部，以及测量其表面上的水接触角，来实施清洗装置内部的必要性的确认和清洗效果的确认。特别地，例如在水接触角为5°或更小(优选地4°或更小)的情况下，可以估计清洁度是良好的，而在超过该值的情况下，可以估计有清洗的必要性。 例如，大气中的有机物等或多或少地从装载室1通过闸门阀a进入图6中所示的有机层形成装置的输送室2，并且沉积材料也或多或少地从有机膜形成室4通过闸门阀c进入输送室2。结果，这些东西粘附到输送室2的内部的现象发生。此外，不同的沉积材料或多或少地分别从有机膜形成室7和有机膜形成室8进入输送室6，结果这些东西粘附到其内部的现象发生。本发明在于稳定地制造高质量有机EL器件，其利用将放置在有机膜形成室内部的沉积源交换为新沉积源的时间，用臭氧气体清洗被上述现象污染的输送室的内部，这是在有机EL器件的制造步骤中实施的，从而去除大气中的粘附有机物等以及粘附的沉积材料，并且在已形成电极的衬底的表面上均匀地形成有机层。 不特别地限制利用将放置在有机膜形成室内部的沉积源交换为新沉积源的时间用臭氧气体清洗输送室内部的方法。例如，可以执行实施方案，其中将臭氧机所产生的臭氧气体提供到输送室。在将放置在图6中所示的有机层形成装置的有机膜形成室4内部的沉积源交换为新沉积源的情况中，通过提供臭氧气体到输送室2，6和10来清洗内部。不总是对于所有输送室同时实施输送室内部的清洗。选择任意的输送室，并且可以仅清洗选定输送室的内部。 作为清洗条件，例如这样的条件是期望的，将臭氧气体引入输送室的内部直到使其压力达到100～300Torr，并且在允许保持0.5～5小时之后，实施高真空抽空0.5小时或更长。不必说，可以根据需要而多次实施这种循环。 优选地，通过提供臭氧气体到那里与清洗输送室的内部同时地清洗装载室、预处理室、装料室、卸载室等的内部。这些室也具有大气中的有机物等或沉积材料粘附到其内部而污染内部的可能性，并且这不利地影响均匀有机层的形成。 此外，作为在新近制造装置之后或者在拆卸和检修装置之后保证有机层形成装置内部的清洁度的方法，例如有一种方法，通过在制造装置之前使用清洗液例如有机溶剂或碱性清洗剂脱脂清洗单个部件，而不在装置的制造之后实施清洗。但是，在该方法中，大气中的有机物等粘附到清洗过的部件，并且这导致大气中的该有机物等粘附到装置的内部。此外，有一种方法在装置的制造之后用浸满了异丙醇的无尘和无油废布擦拭装置的内部，以及有一种方法实施真空抽空同时加热到60～80°(热脱气)。但是，在前一种方法中不可能充分地擦拭装置的内部直至细微部分，而后一种方法不能总是有效地去除粘附到装置内部的大气中的有机物等。 在本发明中，当新近制造有机层形成装置或者拆卸和检修装置时，用臭氧气体清洗装置的内部，结果可以有效地去除粘附到装置内部的大气中的有机物等。因此，当用臭氧气体清洗装置的内部，然后在已形成电极的衬底的表面上形成有机层时，可以稳定地制造高质量有机EL器件。 不特别地限制当新近制造装置或者拆卸和检修装置时，用臭氧气体清洗图6中所示的有机层形成装置的内部的方法。例如，可以执行实施方案，其中将臭氧机所产生的臭氧气体提供到每个室。关于有机膜形成室和电极膜形成室，优选地在放置粘附防护板的状态下，并且在不放置其中充满沉积材料的沉积源的状态下实施清洗。这个的原因是为了避免沉积材料的质量随臭氧气体而改变。 作为清洗条件，例如这样的条件是期望的，将臭氧气体引入输送室的内部直到使其压力达到100～300Torr，并且在允许保持0.5～5小时之后，实施高真空抽空0.5小时或更长。不必说，可以根据需要而多次实施这种循环。 在上面描述其上形成有机层的衬底是已形成电极的衬底的实施方案作为一个例子，但是其上形成有机层的衬底不限于该实施方案。 实例通过下面的例子更详细地描述本发明，但是发明不限于下面的说明。 实例1 实验A。用臭氧气体清洗有机层形成装置的输送室内部的效果。 将六个伪样衬底插入在某个时段内工作的图6中所示的有机层形成装置的输送室2的内部，紧接着进行高真空抽空(压力6.9×10-4Pa)30分钟。将室向大气敞开，并且从室中取出伪样衬底。测量所取出的伪样衬底的表面上的水接触角，以评估输送室2内部的清洁度。结果，初始平均值3.8°增加到25.4°。该现象被认为是由于粘附到输送室2内部的大气中的有机物等或沉积材料消除并再次粘附到伪样衬底，结果污染了表面。 作为第一清洗，将臭氧气体引入输送室2的内部直到使其压力达到200Torr，并且在允许保持2小时之后，实施高真空抽空2小时。在向大气敞开之后，将六个伪样衬底插入输送室2的内部，紧接着进行高真空抽空(压力5.3×10-4Pa)30分钟。将室向大气敞开，从室中取出伪样衬底，并且测量其表面上的水接触角。结果，初始平均值3.5°增加到11.3°。 其后，再次实施高真空抽空2小时。在向大气敞开之后，将六个伪样衬底插入输送室2的内部，紧接着进行高真空抽空(压力4.5×10-4Pa)30分钟。将室向大气敞开，从室中取出伪样衬底，并且测量其表面上的水接触角。结果，初始...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥夏木，逆瀬川浩一，五十岚武，西之坊泰树，大友政彦，入泽修，山田和男，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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