一种晶圆片表面金属杂质处理装置及方法制造方法及图纸

技术编号:37137859 阅读:36 留言:0更新日期:2023-04-06 21:39
本发明专利技术公开了一种晶圆片表面金属杂质处理装置,包括除尘装置、清洗装置和风干装置,所述除尘装置和风干装置分别位于清洗装置的两侧,所述清洗装置包括超声波清洗槽,所述超声波清洗槽的底部设有升降平台,所述升降平台上设有翻转机构,本发明专利技术结构简单,设计新颖,功能多样,增设的除尘装置能够先将晶圆片的表面杂质吸除,然后再送至清洗装置中清洗,清洗结束后,增设的风干装置能够去除晶圆片表面的水渍。渍。渍。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片表面金属杂质处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及晶圆片表面处理
,具体为一种晶圆片表面金属杂质处理装置及方法。

技术介绍

[0002]单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿,其主要用途是制作成晶圆片用作半导体材料,在晶圆片的生产加工过程中,需要对其表面进行抛光打磨,抛光后的晶圆片表面容易覆有金属杂质,因此需要清除后才能送至下一工序进行氧化成膜;现有的晶圆片表面金属杂质处理装置,功能单一,都是机械臂之间连盒带晶圆片一起,送进行装置内部进行清洗,这样表面附着的金属杂质,不容易被清洗干净。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种晶圆片表面金属杂质处理装置及方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种晶圆片表面金属杂质处理装置,包括除尘装置、清洗装置和风干装置,所述除尘装置和风干装置分别位于清洗装置的两侧,所述清洗装置包括超声波清洗槽,所述超声波清洗槽的底部设有升降平台,所述升降平台上设有翻转机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片表面金属杂质处理装置,包括除尘装置1、清洗装置2和风干装置3,所述除尘装置1和风干装置3分别位于清洗装置2的两侧,其特征在于:所述清洗装置2包括超声波清洗槽21,所述超声波清洗槽31的底部设有升降平台22,所述升降平台22上设有翻转机构23。2.根据权利要求1所述的一种晶圆片表面金属杂质处理装置,其特征在于:所述翻转机构23包括安装框231,所述安装框231的底部通过加强筋固定在升降平台22上,所述安装框231内侧设有第一气缸232,所述第一气缸232的底部转动连接至安装框231的内底部,所述第一气缸232的顶部转动连接着翻转板233,所述翻转板233的底面上设有方形密封条234,所述方形密封条234与安装框231的框口相匹配,所述翻转板233的上表面设有晶圆片夹持机构24,所述翻转板233的两侧均设有两个延伸杆235,每侧所述的两个延伸杆235之间均横向设有圆柱杆236;所述安装框231的两侧均设有弧形卡槽237,两个所述圆柱杆236分别设置于相对应的弧形卡槽237内,每个所述弧形卡槽237外侧的安装框231上还设有第二气缸238,所述第二气缸238的活塞杆前端设有卡板239。3.根据权利要求2所述的一种晶圆片表面金属杂质处理装置,其特征在于:所述晶圆片夹持机构24包括固定板241,所述固定板241上设有多个U型夹片242,每个所述U型夹片242的两侧均设有一组相对应的弧形夹臂243,每侧的多个所述弧形夹臂243均统一固定于推板244上,所述推板244连接着第三气缸245。4.根据权利要求1所述的一种晶圆片表面金属杂质处理装置,其特征在于:所述除尘装置1包括第一底座11,所述第一底座11上四周设有第一支撑杆12,四个所述第一支撑杆12顶部固定有第一安装板13,所述安装板13的下方设有多个吸尘头14,所述吸尘头14连接着吸尘器;所述第一底座11上设有第一机械臂15,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:顾少俊耿伟周航余珺
申请(专利权)人:鑫德斯特电子设备安徽有限公司
类型:发明
国别省市:

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