一种基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术要解决的技术问题是提供一种基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置及方法。该装置包括烧结平台、防护罩和石英坩埚，烧结平台位于防护罩的中央位置，高纯石英坩埚位于烧结平台的中央位置，防护罩位于石英坩埚的中央位置，防护罩内下部为熔融石英粉，防护罩内上部为过滤后空气，熔融石英粉的高度不超过烧结平台的二分之一，高纯熔融石英坩埚的宽度不超过烧结平台的台面宽度，熔融石英粉将防护罩完全掩埋，其高度不超过防护罩高度的二分之一。所制备的高纯熔融石英坩埚可满足高纯多晶硅的生产需要。硅的生产需要。硅的生产需要。

【技术实现步骤摘要】
一种基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置及方法


[0001]本专利技术涉及耐火材料制备领域，特别是指一种基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置及方法。

技术介绍

[0002]高纯晶体硅是高技术制造业不可或缺的重要原材料。高纯晶体硅可分为三种类型，直拉硅晶圆、区熔硅单晶和高纯硅多晶。长期以来，4个9至 10个9 的多晶硅制备技术一直依赖进口，国内企业无法生产。我国光伏产业的迅速发展推升了对高纯多晶硅的市场需求，然而受制于原材料的短缺和国际贸易争端，高纯多晶硅的供应成了限制我国光伏产业健康有序发展的卡脖子环节。因此，加快形成高纯多晶硅的国产替代，势在必行。
[0003]在高纯多晶硅的生产中，需要用到高纯熔融石英坩埚来浇注块体多晶硅，熔融石英坩埚的纯度直接影响高纯多晶硅的纯度，而高纯熔融坩埚在烧结环节极易受到加热电极和炉腔中挥发出的杂质的污染。本专利技术提出的烧结装置和方法可避免坩埚在烧结过程中受到污染，是制备高纯熔融石英坩埚的有效工艺途径和方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是提供一种基于热压铸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置，其特征在于：包括高纯熔融石英粉体（1）；高纯熔融石英粉体（2）；烧结平台（3）；防护罩（4）；高纯熔融石英坩埚（5）；过滤净化后的烧结气氛（6）；烧结容器（7）；防护罩材质为高纯熔融石英坩埚，烧结容器材质同样为高纯熔融石英坩埚。2.根据权利要求1所述的基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置，其特征在于：所述防护罩（3）材质为高纯熔融石英，烧结容器7的材质同样为高纯熔融石英。3.根据权利要求1所述的基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置，其特征在于：所述粉体（1）的粒径为100~200目，粉体（2）的粒径为1000~2000目。4.采用权利要求1所述的基于热压铸成型的高纯熔融石英坩埚烧结装置进行烧结的方法，其特征在于：包括步骤如下：步骤一：将脱蜡后熔融石英坩埚生坯放置于烧结装置中防护罩内的烧结平台上，并完成烧结装置的搭建组装；步骤二：将步骤一中完成组装的烧结装置放入烧结炉内，关上炉门，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国庆，
申请(专利权)人：洛阳旭科新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：